一种薄膜电路中侧面图形制作方法技术

本发明专利技术公开一种薄膜电路中侧面图形制作方法，涉及薄膜电路工艺制作领域。将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽，切成多个陶瓷条；在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上；将陶瓷盘放到有水冷系统的键合机上等待陶瓷条平整地压紧在陶瓷盘上；将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛光；待抛光完成后再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取下陶瓷条水浴加热并清洗陶瓷条；将清洗后的陶瓷条侧面朝上溅射导电层；在溅射导电层后的陶瓷条侧面光刻侧面图形，划切，完成单品制作。本发明专利技术方法通过研磨抛光降低了陶瓷侧面粗糙度，提高了陶瓷侧面图形与金属膜层之间的结合力，进而提高了成品质量。提高了成品质量。提高了成品质量。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜电路中侧面图形制作方法


[0001]本专利技术涉及薄膜电路工艺制作
，特别是涉及一种薄膜电路中侧面图形制作方法。

技术介绍

[0002]受限于产品特点与光刻技术，侧面图形是薄膜电路中制作难度最大的产品之一，特别是线宽小于100um的图形细线条。通常量产的图形线宽都在100um以上，成品在25um金丝键合检验中良率只有30％左右。
[0003]目前的侧面图形制作工艺流程，是先在陶瓷基板中制作正面图形，然后在固定的间隙使用金刚石划切刀将基片进行切割，切割的位置通常在正面图形的接地处。由于金刚石和陶瓷的硬度都很高，划切后的陶瓷切割面比较粗糙，导致侧面图形在后续金属化中表面线路由于侧向腐蚀，结合力不良。

技术实现思路

[0004]针对上述
技术介绍
中提出的问题，本专利技术提供一种薄膜电路中侧面图形制作方法，以提高侧面图形结合力从而提高成品质量。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供了如下方案：
[0006]一方面，本专利技术提供一种薄膜电路中侧面图形制作方法，包括：
[0007]将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽，切成多个陶瓷条；
[0008]在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上；
[0009]将陶瓷盘放到有水冷系统的键合机上，等待陶瓷条平整地压紧在陶瓷盘上；
[0010]将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛光；
[0011]待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取下陶瓷条水浴加热并清洗陶瓷条；
[0012]使用专用夹具将清洗后的陶瓷条侧面朝上溅射导电层；
[0013]在溅射导电层后的陶瓷条侧面光刻侧面图形，划切，完成单品制作。
[0014]可选地，所述将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽之前，还包括：
[0015]通过溅射或光刻薄膜工艺在陶瓷基片正面制作正面金属图形。
[0016]可选地，所述在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上，具体包括：
[0017]在陶瓷盘上涂蜡并加热到80至100℃，待蜡融化后，将多个陶瓷条待侧面图形化的一面朝上，紧密排列到陶瓷盘上。
[0018]可选地，所述陶瓷盘为直径250mm、厚度15mm的圆柱体陶瓷盘，表面平整度小于2um。
[0019]可选地，所述陶瓷盘上设置3个工作区域，每个工作区域紧密排列20个陶瓷条。
[0020]可选地，所述将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛
光，具体包括：
[0021]把陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上，先滴入1
‑
2um的金刚石研磨液对陶瓷条进行粗磨30min，再通过0.5
‑
1.0um的金刚石研磨液精磨30min。
[0022]可选地，所述待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取下陶瓷条水浴加热并清洗陶瓷条，具体包括：
[0023]待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热到80至100℃，待蜡融化后，取下陶瓷条水浴加热60℃，并采用酒精清洗陶瓷条2次，每次30min。
[0024]可选地，所述使用专用夹具将清洗后的陶瓷条侧面朝上溅射导电层，具体包括：
[0025]使用专用夹具，将清洗后的陶瓷条侧面朝上，溅射钛钨、镍、金导电层。
[0026]根据本专利技术提供的具体实施例，本专利技术公开了以下技术效果：
[0027]本专利技术提供了一种薄膜电路中侧面图形制作方法，所述方法包括：将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽，切成多个陶瓷条；在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上；将陶瓷盘放到有水冷系统的键合机上，等待陶瓷条平整地压紧在陶瓷盘上；将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛光；待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取下陶瓷条水浴加热并清洗陶瓷条；使用专用夹具将清洗后的陶瓷条侧面朝上溅射导电层；在溅射导电层后的陶瓷条侧面光刻侧面图形，划切，完成单品制作。本专利技术方法通过研磨抛光降低了陶瓷侧面粗糙度，提高了陶瓷侧面图形与金属膜层之间的结合力，进而提高了薄膜电路成品质量。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术所提供的一种薄膜电路中侧面图形制作方法的流程图。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]本专利技术的目的是提供一种薄膜电路中侧面图形制作方法，以提高侧面图形结合力从而提高成品质量。
[0032]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。
[0033]图1为本专利技术所提供的一种薄膜电路中侧面图形制作方法的流程图。参见图1，一种薄膜电路中侧面图形制作方法，包括：
[0034]步骤1：将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽，切成多个陶瓷条。
[0035]在将陶瓷基片划切开槽之前，首先通过溅射、光刻等薄膜工艺在陶瓷基片正面制
作正面金属图形，然后将制作完正面金属图形后的陶瓷基片划切开槽，把陶瓷基片等距离切成长方体结构的带有正面金属线路的陶瓷长条。划切开槽时，需保证多个陶瓷条尺寸一致，即在切割宽度上一致。
[0036]步骤2：在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上。
[0037]在陶瓷盘上涂蜡并加热到80至100℃，待蜡融化后，将多个陶瓷条待侧面图形化的一面朝上，紧密排列到陶瓷盘上。本专利技术采用的陶瓷盘为直径250mm、厚度15mm的圆柱体陶瓷盘，其表面平整度小于2um。所述陶瓷盘上可以设置3个工作区域，每个工作区域可以紧密排列20个陶瓷条。
[0038]步骤3：将陶瓷盘放到有水冷系统的键合机上，等待陶瓷条平整地压紧在陶瓷盘上。
[0039]此步骤将侧面放置的厚度一致的多个陶瓷条压到平整度高的陶瓷盘上。
[0040]步骤4：将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛光。
[0041]具体地，把陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上，先滴入1
‑
2um的金刚石研磨液对陶瓷条进行粗磨30min，再通过0.5
‑
1.0um的金刚石研磨液精磨30min。
[0042]步骤5：待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜电路中侧面图形制作方法，其特征在于，包括：将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽，切成多个陶瓷条；在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上；将陶瓷盘放到有水冷系统的键合机上，等待陶瓷条平整地压紧在陶瓷盘上；将陶瓷盘倒扣到化学纤维的抛光垫上对陶瓷条进行粗磨和精磨抛光；待抛光完成后，再次将陶瓷盘加热至蜡融化，取下陶瓷条水浴加热并清洗陶瓷条；使用专用夹具将清洗后的陶瓷条侧面朝上溅射导电层；在溅射导电层后的陶瓷条侧面光刻侧面图形，划切，完成单品制作。2.根据权利要求1所述的薄膜电路中侧面图形制作方法，其特征在于，所述将制作完正面金属图形后的陶瓷基片等距离划切开槽之前，还包括：通过溅射或光刻薄膜工艺在陶瓷基片正面制作正面金属图形。3.根据权利要求1所述的薄膜电路中侧面图形制作方法，其特征在于，所述在陶瓷盘上涂蜡并加热到蜡融化后，将多个陶瓷条侧面朝上紧密排列到陶瓷盘上，具体包括：在陶瓷盘上涂蜡并加热到80至100℃，待蜡融化后，将多个陶瓷条待侧面图形化的一面朝上，紧密排列到陶瓷盘上。4.根据权利要求1所述的薄膜电路中侧面图形制作方法，其特征在于，所述陶瓷盘为直...

【专利技术属性】
技术研发人员：赖辉信，韦玉丙，伍剑文，冯毅龙，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：