【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于薄膜电路，具体涉及一种超厚铜薄膜电路的制备方法。
技术介绍
1、陶瓷电路的制作工艺，按膜层的制备方式，可分为厚膜电路(tpc)与薄膜电路(tfc)两种。目前厚膜电路主要工艺流程包括：丝网印刷、高温烧结、激光调阻、划切成型；薄膜电路主要工艺流程包括：溅射、光刻、电镀、刻蚀、划切。
2、传统的薄膜电路只能适用直径25μm到50μm的金丝键合，拉力值一般为5-50gf，键合强度低，在应用的过程中容易发生起皮的现象，进而降低薄膜元器件的性能。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种超厚铜薄膜电路的制备方法，本专利技术提供的方法制备得到的较宽直径的电路，且电路的键合强度高。
2、为了实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
3、本专利技术提供了一种超厚铜薄膜电路的制备方法，包括以下步骤：
4、利用铜的含氧共晶液将陶瓷基板和铜片进行贴合，烧结，得到电路底板；
5、利用掩膜板法在所述电路底板上制备复合金属层，形成电路，得到所述超厚铜薄膜电路。
6、优选的，所述陶瓷基板的材料包括氧化铝、氮化铝和氧化铍中的一种或几种；
7、所述陶瓷基板的厚度为0.254～3.00mm。
8、优选的，所述铜片的厚度为100～500μm。
9、优选的，所述贴合的过程包括：在所述陶瓷基板上涂覆铜的含氧共晶液后，覆盖铜片进行贴合；
10、所述涂覆的厚度为3～5μm。
1
12、优选的，所述烧结在氮氢混合气氛中进行；
13、所述氮氢混合气氛中氮气和氢气的体积比为9～9.2：0.8～1。
14、优选的，所述复合金属层包括由下到上依次层叠设置的钛钨合金层、镍层和金层。
15、优选的，所述钛钨合金层的厚度为1～2μm；所述镍层的厚度为2～3μm；所述金层的厚度为2～10μm。
16、优选的，所述电路的线宽不小于100μm，线缝宽不小于100μm。
17、优选的，形成电路后，还包括在所述电路的至少一端制备金锡接头。
18、本专利技术提供了一种超厚铜薄膜电路的制备方法，包括以下步骤：利用铜的含氧共晶液将陶瓷基板和铜片进行贴合，烧结，得到电路底板；利用掩膜板法在所述电路底板上制备复合金属层，形成电路，得到所述超厚铜薄膜电路。本专利技术采用dbc基板工艺的超厚铜，为薄膜电路提供良好的衬底，极大地提高薄膜电路的键合强度，满足直径为25～500μm金丝或金带的键合测试，拉力值达到100～200gf；达到微组装常用键合工艺全系列键合不起皮的效果，最大程度地降低了微组装结合力不牢的风险；极大地提升了薄膜元器件的焊接强度、焊接效率、信号传输、耐功率等性能。
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1.一种超厚铜薄膜电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基板的材料包括氧化铝、氮化铝和氧化铍中的一种或几种；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜片的厚度为100～500μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述贴合的过程包括：在所述陶瓷基板上涂覆铜的含氧共晶液后，覆盖铜片进行贴合；
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为800～1200℃，保温时间为60～120min。
6.根据权利要求1或5所述的制备方法，其特征在于，所述烧结在氮氢混合气氛中进行；
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述复合金属层包括由下到上依次层叠设置的钛钨合金层、镍层和金层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述钛钨合金层的厚度为1～2μm；所述镍层的厚度为2～3μm；所述金层的厚度为2～10μm。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述电路的线宽不小于100
10.根据权利要求1或9所述的制备方法，其特征在于，形成电路后，还包括在所述电路的至少一端制备金锡接头。
...【技术特征摘要】
1.一种超厚铜薄膜电路的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述陶瓷基板的材料包括氧化铝、氮化铝和氧化铍中的一种或几种；
3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述铜片的厚度为100～500μm。
4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述贴合的过程包括：在所述陶瓷基板上涂覆铜的含氧共晶液后，覆盖铜片进行贴合；
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烧结的温度为800～1200℃，保温时间为60～120min。
6.根据权利要求1或...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖辉信，冯毅龙，吴宏基，莫马建，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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