本发明专利技术提供一种用于芯片电容的测试装置，包括：探针组件、升降组件、承载台和电性能测试组件。所述探针组件包括基座和测试针，所述测试针包括主体段和针尖段，所述主体段与所述基座连接，延伸方向与竖直方向所成夹角为第一预设夹角，所述针尖段与所述主体段的底部连接，延伸方向与竖直方向所成夹角为第二预设夹角，所述第一预设夹角的角度大于所述第二预设夹角的角度；所述升降组件驱动所述基台在所述承载台的上方升降。相对于现有技术，本发明专利技术的用于芯片电容的测试装置的测试针通过折弯的设计，使得测试针具备一定的弹性，使得测试针接触芯片电容时能够提供缓冲和保护作用，从而避免测试针与芯片电容过接时压力过大而损坏芯片电容。片电容。片电容。
【技术实现步骤摘要】
一种用于芯片电容的测试装置
[0001]本专利技术涉及电子器件
，具体涉及一种用于芯片电容的测试装置。
技术介绍
[0002]芯片电容，是一种在较薄的平面介质的两个平面上分别制作有电容电极的微型电容。在实际生产中，需要通过检测仪器对电容进行耐压试验(需要加上规定电压后持续5秒以上)、绝缘电阻测试(若要测试准确，需一定充电时间)、容量测试或者损耗测试等等项目的电性能测试。电性能测试时，电性能测试仪器通常通过测试探针与芯片电容的电极表面进行接触，进而使得电性能测试仪器与芯片电容接通。
[0003]测试探针在下压并抵接芯片电容的时候，不可避免的会对芯片电容产生垂直方向的下压力，目前测试探针所造成的下压力过大，超过了芯片电容可以承受的极限，常常会对芯片电容的内部结构以及表面外观造成损坏，导致废品率提高。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于克服现有技术中的缺点与不足，提供一种用于芯片电容的测试装置。
[0005]本专利技术的一个实施例提供一种用于芯片电容的测试装置，包括：探针组件、升降组件、承载台和电性能测试组件。
[0006]所述探针组件包括基座和测试针，所述测试针设置在所述基座上，所述测试针包括主体段和针尖段，所述主体段与所述基座连接，其延伸方向与竖直方向所成夹角为第一预设夹角，所述针尖段与所述主体段的底部连接，其延伸方向与竖直方向所成夹角为第二预设夹角，所述第一预设夹角的角度大于所述第二预设夹角的角度，所述第一预设夹角的角度大于45
°
小于90<br/>°
，所述第二预设夹角的角度大于0
°
小于等于60
°
；所述升降组件与所述基座传动连接，驱动所述基台在所述承载台的上方升降；所述电性能测试组件与所述主体段电连接。
[0007]相对于现有技术，本专利技术的用于芯片电容的测试装置的测试针通过折弯的设计，使得测试针具备一定的弹性，使得测试针接触芯片电容时能够提供缓冲和保护作用，从而避免测试针与芯片电容过接时压力过大而损坏芯片电容。
[0008]在一些可选的实施方式中，所述第一预设夹角的角度为75
°
，所述第二预设夹角的角度为45
°
。
[0009]在一些可选的实施方式中，在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离大于第一预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以第一速度下降；
[0010]在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离小于等于所述第一预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以第二速度下降；其中，
[0011]所述第二速度小于所述第一速度。
[0012]在一些可选的实施方式中，在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距
离小于等于所述第一预设距离时，所述第二速度随着所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离的缩小而逐渐变小。
[0013]在一些可选的实施方式中，在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离小于等于所述第一预设距离并且大于所述第二预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以所述第二速度下降；
[0014]在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离小于等于所述第二预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以第三速度下降，所述第三速度的大小小于等于所述第二速度的最小值。
[0015]在一些可选的实施方式中，所述第二预设距离不大于0.3mm。
[0016]在一些可选的实施方式中，所述测试针为铍铜测试针，所述测试针的表面镀有金涂层。
[0017]在一些可选的实施方式中，所述针尖段的头端的直径不大于0.03mm。
[0018]在一些可选的实施方式中，用于芯片电容的测试装置还包括：旋转盘和旋转驱动组件；
[0019]所述旋转盘上设置有多个所述承载座，多个所述承载座沿着环绕所述旋转盘的转动轴线的方向依序布置，所述旋转驱动组件与所述旋转盘传动连接，驱动所述旋转盘转动。
[0020]在一些可选的实施方式中，所述探针组件还包括两轴调节机构，所述两轴调节机构与所述基座连接，驱动所述基座在横向方向和纵向方向上移动，所述升降组件与所述两轴调节机构连接。
[0021]为了能更清晰的理解本专利技术，以下将结合附图说明阐述本专利技术的具体实施方式。
附图说明
[0022]图1是本专利技术一个实施例的用于芯片电容的测试装置的结构示意图；
[0023]图2是本专利技术一个实施例的用于芯片电容的测试装置的一侧的结构示意图；
[0024]图3是本专利技术一个实施例的基座、测试针和承载台的剖视图；
[0025]图4是图3所示的A处的放大图。
[0026]附图标记说明：
[0027]10、探针组件；11、基座；12、测试针；121、主体段；122、针尖段；13、两轴调节机构；20、升降组件；30、承载台；40、旋转盘；50、旋转驱动组件。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。在本专利技术的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是2个或2个以上，“若干”的含义是1个或1个以上。
[0029]请参阅图1和图2，图1是本专利技术一个实施例的用于芯片电容的测试装置的结构示意图，图2是本专利技术一个实施例的用于芯片电容的测试装置的一侧的结构示意图，该用于芯片电容的测试装置，包括：探针组件10、升降组件20、承载台30和电性能测试组件。
[0030]请参阅图3和图4，图3是本专利技术一个实施例的基座、测试针和承载台的剖视图，图4是图3所示的A处的放大图，探针组件10包括基座11和测试针12，测试针12设置在基座11上，测试针12包括主体段121和针尖段122，主体段121与基座11连接，针尖段122与主体段121的底部连接，升降组件20与基座11传动连接，驱动基台在承载台30的上方升降；电性能测试组件与主体段121电连接。测试时，升降组件20驱动基座11下降直至测试针12的针尖段122的头端接触芯片电容的电极表面，从而使得电性能测试组件通过测试针12与芯片电容接通，以便电性能测试组件对芯片电容进行测试。
[0031]电性能测试组件可以根据实际需要测试的项目而采用对应的设计，由于芯片电容的电性能测试组件的原理和结构为本领域技术人员所公知的技术，因此在此不进行赘述。
[0032]主体段121的延伸方向与竖直方向所成夹角为第一预设夹角，针尖段122的延伸方向与竖直方向所成夹角为第二预设夹角，第一预设夹角的角度大于第二预设夹角的角度，其中，相比第一预设夹角的角度大于0
°
小于等于45
°
的情况，在第一预设夹角的角度大于45
°
小于90
°
更够使本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于芯片电容的测试装置，其特征在于，包括：探针组件、升降组件、承载台和电性能测试组件；所述探针组件包括基座和测试针，所述测试针设置在所述基座上，所述测试针包括主体段和针尖段，所述主体段与所述基座连接，其延伸方向与竖直方向所成夹角为第一预设夹角，所述针尖段与所述主体段的底部连接，其延伸方向与竖直方向所成夹角为第二预设夹角，所述第一预设夹角的角度大于所述第二预设夹角的角度，所述第一预设夹角的角度大于45
°
小于90
°
，所述第二预设夹角的角度大于0
°
小于等于60
°
；所述升降组件与所述基座传动连接，驱动所述基台在所述承载台的上方升降；所述电性能测试组件与所述主体段电连接。2.根据权利要求1所述的一种用于芯片电容的测试装置，其特征在于：所述第一预设夹角的角度为75
°
，所述第二预设夹角的角度为45
°
。3.根据权利要求1所述的一种用于芯片电容的测试装置，其特征在于：在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离大于第一预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以第一速度下降；在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距离小于等于所述第一预设距离时，所述升降组件驱动所述基座以第二速度下降；其中，所述第二速度小于所述第一速度。4.根据权利要求3所述的一种用于芯片电容的测试装置，其特征在于：在所述针尖段的头端到所述承载座上的芯片电容的距...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹巍，庄彤，欧阳衡，钟建平，刘伟，吴立纯，
申请(专利权)人：广州天极电子科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。