一种大功率芯片的TSOP封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率芯片的TSOP封装结构，包括塑封体、散热片、叠层芯片以及多个引脚；所述塑封体内部封装有所述叠层芯片，所述塑封体两侧相对设置有多个所述引脚，所述塑封体顶部设置有所述散热片，所述塑封体与其中一侧引脚之间设置有多个凹槽；所述散热片正面裸露设置在塑封体顶部，背面作为所述叠层芯片载体封装在所述塑封体内部，所述散热片与远离凹槽一侧的引脚连接为一体；所述叠层芯片为大功率芯片，靠近凹槽一侧的引脚均通过焊线与叠层芯片连接，焊线与同侧部分引脚封装在所述塑封体内。该封装结构通过顶部散热片提高产品散热能力，凹槽增加爬电距离，提高可靠性，提供较大的过流能力、耐压能力，从而实现大功率芯片的封装。封装。封装。

【技术实现步骤摘要】
一种大功率芯片的TSOP封装结构


[0001]本专利技术涉及半导体封装领域，具体涉及一种大功率芯片的TSOP封装结构。

技术介绍

[0002]TSOP封装，即薄型小尺寸封装，英文全名为Thin Small Outline Package，一个典型特征就是在封装芯片的周围做出引脚，采用SMT技术（表面安装技术）直接附着在PCB板的表面进行安装布线。
[0003]目前TSOP封装方式寄生参数减小，适合高频应用，操作比较方便，可靠性也比较高，可实现叠层芯片封装，是比较成熟的一种封装技术，但由于芯片引脚焊接在PCB板上的，焊点和PCB板的接触面积较小，且PCB板的导热能力差，使得采用TSOP封装结构的产品使用受限，所以常用于芯片功率较小的低端产品。对于大功率芯片，采用TSOP封装结构会产生散热困难、电极之间容易短路以及会产生较大的信号干扰和电磁干扰等问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术提供一种大功率芯片的TSOP封装结构，该封装结构通过顶部散热片提高产品散热能力和塑封体凹槽增加爬电距离，提高可靠性，提供较大的过流能力、耐压能力，从而实现大功率芯片的封装。
[0005]本专利技术提供的技术解决方案如下：一种大功率芯片的TSOP封装结构，其特殊之处在于：包括塑封体、散热片、叠层芯片以及多个引脚；所述塑封体内部封装有所述叠层芯片，所述塑封体两侧相对设置有多个所述引脚，所述塑封体顶部设置有所述散热片，所述塑封体与其中一侧引脚之间设置有多个凹槽；所述散热片正面裸露设置在所述塑封体顶部，背面作为所述叠层芯片载体封装在所述塑封体内部，所述散热片与远离所述凹槽一侧的引脚连接为一体；所述叠层芯片为大功率芯片，靠近所述凹槽一侧的引脚均通过焊线与所述叠层芯片连接，所述焊线与同侧部分所述引脚封装在所述塑封体内。
[0006]进一步地，所述引脚包括D极引脚、S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚，所述D极引脚与所述散热片直接连接，所述S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚的数量总和与所述D极引脚的数量相同且相对设置，所述S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚分别与封装在所述塑封体内部的第一引脚区、第二引脚区以及第三引脚区连接，所述第一引脚区、第二引脚区以及第三引脚区均通过所述焊线与所述叠层芯片连接。
[0007]进一步地，所述塑封体另外两侧相对设置有至少一组缺口，所述缺口从所述塑封体底部延伸至所述散热片的背面，使得所述散热片边缘从所述缺口中露出。
[0008]进一步地，所述凹槽包括形状相同的第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的间距等于所述第二凹槽与所述第三凹槽之间的间距，所述第一凹槽、所述第二凹槽以及所述第三凹槽两端延伸至所述塑封体的侧面。
[0009]进一步地，所述塑封体的四个侧面均由上型面和下型面组成，所述上型面和下型面之间具有166
°‑
174
°
的夹角，所述引脚均从所述下型面内引出。
[0010]进一步地，所述D极引脚、所述G极引脚、所述S极引脚以及所述S
‑
K极引脚均弯曲为S型，且所述D极引脚、所述G极引脚、所述S极引脚以及所述S
‑
K极引脚成型弯曲后与所述塑封体底部在同一平面内。
[0011]进一步地，所述散热片裸露在所述塑封体顶部的形状为方形，所述散热片两侧相对设置有2组凸起结构，所述凸起结构均裸露在所述塑封体顶部，且所述凸起结构的边缘均从所述缺口中露出。
[0012]进一步地，所述塑封体底部表面设置有脱模孔。
[0013]进一步地，所述叠层芯片包括第一芯片，以及设置在所述第一芯片表面的第二芯片。
[0014]进一步地，所述焊线包括S极焊线、S
‑
K极焊线以及G极焊线，所述S极焊线与所述第一芯片和第二芯片中至少一个连接，所述S
‑
K极焊线与所述G极焊线均与所述第二芯片连接。
[0015]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：1.本专利技术通过特有的TSOP封装外形顶部含有散热片结构，通过框架设计可以对散热片大小进行调整，满足不同的散热要求，外观要求，安装要求，提高了产品安装适配场景。该封装结构通过凹槽增加爬电距离，通过散热片顶部裸露设计提高了产品散热能力和可靠性，提供较大的过流能力、耐压能力，从而实现大功率芯片的封装。
[0016]2.本专利技术通过在TSOP封装外形的顶部设计散热片实现产品顶部面散热，方便与外部散热系统连接，改善PCB板的导热能力差的问题，提供较好的散热能力，降低由于热而产生的一系列寄生参数干扰，从而满足大功率产品散热，提高产品的可靠性。
[0017]3.本专利技术通过在塑封体顶部表面设计的3条凹槽，增加G极、S极、S
‑
K极与D极散热片的爬电距离，避免由于电压过高，外部环境恶劣的情况下击穿电极，S极、S
‑
K极与D极之间产生短路的现象，从而提高大功率产品的可靠性。
[0018]4.本专利技术通过在塑封体左侧面、右侧面与塑封体背面交界处设计4个缺口使对应的散热片背面的四部分裸露在外面，方便压塑时固定框架散热片，保证压塑后散热片顶部表面完整的裸露在外，无溢料，提高整体散热效果和外观质量。
[0019]5.本专利技术结构简单，生产制造成本低，可以适配多种不同大功率TSOP产品。
附图说明
[0020]图1为本专利技术实施例中塑封体内部框架结构示意图；图2为本专利技术实施例中大功率芯片的TSOP封装结构示意图一；图3为本专利技术实施例中大功率芯片的TSOP封装结构示意图二；图4为本专利技术实施例中大功率芯片的TSOP封装结构示意图三；图5为本专利技术实施例中大功率芯片的TSOP封装结构示意图四；图6为本专利技术实施例中大功率芯片的TSOP封装结构示意图五。
[0021]附图标记如下：1、散热片；101、凸起结构；2
‑
1、第一凹槽；2
‑
2、第二凹槽 ；2
‑
3、第三凹槽；3、塑封
体；3
‑
1、第一区域；3
‑
2、第二区域；4、D极引脚；4
‑
1、D极第一引脚；4
‑
2、D极第二引脚；4
‑
3、D极第三引脚；4
‑
4、D极第四引脚；4
‑
5、D极第五引脚；4
‑
6、D极第六引脚；5、S极引脚；5
‑
1、S极第一引脚；5
‑
2、S极第二引脚；5
‑
3、S极第三引脚；5
‑
4、S极第四引脚；6、S
‑
K极引脚；7、G极引脚；8
‑
1、第一缺口；8
‑
2、第二缺口；8
‑
3、第三缺口；8
‑
4、第四缺口；9
‑
1、散热片背部第一露出部分；9
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种大功率芯片的TSOP封装结构，其特征在于：包括塑封体、散热片、叠层芯片以及多个引脚；所述塑封体内部封装有所述叠层芯片，所述塑封体两侧相对设置有多个所述引脚，所述塑封体顶部设置有所述散热片，所述塑封体与其中一侧引脚之间设置有多个凹槽；所述散热片正面裸露设置在所述塑封体顶部，背面作为所述叠层芯片载体封装在所述塑封体内部，所述散热片与远离所述凹槽一侧的引脚连接为一体；所述叠层芯片为大功率芯片，靠近所述凹槽一侧的引脚均通过焊线与所述叠层芯片连接，所述焊线与同侧部分所述引脚封装在所述塑封体内。2.根据权利要求1所述的大功率芯片的TSOP封装结构，其特征在于：所述引脚包括D极引脚、S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚，所述D极引脚与所述散热片直接连接，所述S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚的数量总和与所述D极引脚的数量相同且相对设置，所述S极引脚、S
‑
K极引脚、G极引脚分别与封装在所述塑封体内部的第一引脚区、第二引脚区以及第三引脚区连接，所述第一引脚区、第二引脚区以及第三引脚区均通过所述焊线与所述叠层芯片连接。3.根据权利要求1所述的大功率芯片的TSOP封装结构，其特征在于：所述塑封体另外两侧相对设置有至少一组缺口，所述缺口从所述塑封体底部延伸至所述散热片的背面，使得所述散热片边缘从所述缺口中露出。4.根据权利要求1所述的大功率芯片的TSOP封装结构，其特征在于：所述凹槽包括形状相同的第一凹槽、第二凹槽以及第三凹槽，所述第一凹槽与所述第二凹槽之间的间距等于所述第二凹槽与所述第三凹槽之间的间距，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：翁艳薇，赵文涛，张涛，韩萌，
申请(专利权)人：华羿微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：