真空镀膜工艺腔及PVD膜厚均匀度调节方法技术

本申请涉及镀膜设备技术领域，尤其是涉及一种真空镀膜工艺腔及PVD膜厚均匀度调节方法，真空镀膜工艺腔包括：固定箱体，固定箱体的内部形成有用于输送承载托架的输送空间；靶材，靶材位于承载托架的上方；调节装置，靶材与承载托架之间形成有溅射区域，调节装置位于靶材与承载托架之间；调节装置具有多个遮挡部，通过调节多个遮挡部中的至少部分遮挡部能够调节溅射区域的范围。本申请提供的真空镀膜工艺腔，通过调整调节装置与靶材的相对位置，能够调节靶材的溅射区域对应的范围，从而能够影响在溅射过程中承载托架上不同区域内的硅片上膜层沉积厚度，使承载托架上的硅片的膜层厚度能够实现高度的一致性。度能够实现高度的一致性。度能够实现高度的一致性。

【技术实现步骤摘要】
真空镀膜工艺腔及PVD膜厚均匀度调节方法


[0001]本申请涉及镀膜设备
，尤其是涉及一种真空镀膜工艺腔及PVD膜厚均匀度调节方法。

技术介绍

[0002]磁控溅射的工作原理是通过粒子碰撞靶材表面，磁控溅射等离子体在硅片表面沉积薄膜层，现有的PVD(物理气相沉积)设备镀膜过程中载板运输硅片两端区域和中间区域膜厚不均匀的现象，导致硅片的光电性能有差异技术问题。
[0003]如膜厚要求120nm，成膜结束后测膜厚发现，阴极两端镀膜区域膜厚在122nm左右，在中间镀膜区域膜厚在118nm左右，在镀膜过程中总是存在硅片分布在阴极靶两端部分的膜厚要比中间区域部分的膜厚要厚4nm左右，影响到整体膜层厚度的均匀性，所以需要一种装置或方法去解决或有效改善此问题。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种真空镀膜工艺腔及PVD膜厚均匀度调节方法，以在一定程度上解决现有技术中存在的硅片在镀膜过程中不同区域膜厚不均的问题的技术问题。
[0005]本申请提供了一种真空镀膜工艺腔，包括：固定箱体，所述固定箱体的内部形成有用于输送承载托架的输送空间；
[0006]靶材，所述靶材设置于所述固定箱体内，所述靶材位于所述承载托架的上方；
[0007]调节装置，所述调节装置设置于所述固定箱体，所述靶材与所述承载托架之间形成有溅射区域，所述调节装置位于所述靶材与所述承载托架之间；
[0008]所述调节装置具有多个遮挡部，通过调节多个所述遮挡部中的至少部分所述遮挡部能够调节所述溅射区域的范围，所述溅射区域的范围影响沉积在待镀膜工件上的膜层厚度。
[0009]在上述技术方案中，进一步地，所述调节装置包括：
[0010]支撑件，所述支撑件与所述固定箱体相连接；
[0011]挡片，所述挡片设置于所述支撑件，所述挡片为所述遮挡部；
[0012]锁紧件，所述挡片与所述支撑件活动连接，所述挡片与所述支撑件通过所述锁紧件锁紧。
[0013]在上述任一技术方案中，进一步地，所述挡片呈长条状，所述挡片设置有滑移槽，所述锁紧件穿过所述滑移槽与所述支撑件相连接；所述滑移槽的长度沿所述承载托架的输送方向延伸。
[0014]在上述任一技术方案中，进一步地，所述挡片的数量为多个，多个所述挡片沿所述支撑件的长度方向顺次排布。
[0015]在上述任一技术方案中，进一步地，每一所述挡片的上表面等间距设置有多个标记刻度，多个所述标记刻度沿所述挡片的长度方向顺次排布。
[0016]在上述任一技术方案中，进一步地，所述靶材呈长条状，所述靶材的长度沿第一方向延伸，所述第一方向与所述承载托架的行进方向相垂直。
[0017]在上述任一技术方案中，进一步地，所述支撑件呈长条状，所述支撑件与所述靶材平行设置；
[0018]所述支撑件的一端设置有第一安装部，所述支撑件的另一端设置有第二安装部，所述第一安装部和所述第二安装部设置有所述挡片，所述支撑件除所述第一安装部和所述第二安装部以外的部分不设置所述挡片。
[0019]在上述任一技术方案中，进一步地，所述承载托架上设置有多个所述待镀膜工件；所述承载托架和所述待镀膜工件位于所述挡片的下方。
[0020]在上述任一技术方案中，进一步地，任意相邻的两个所述标记刻度之间的距离为5mm，所述挡片每相对所述支撑件伸长5mm
‑
10mm，所述挡片下方的所述待镀膜工件的膜层厚度减薄2nm
‑
5nm。
[0021]本申请还提供了一种PVD膜厚均匀度调节方法，包括且适用于上述任一技术方案所述的真空镀膜工艺腔，因而，具有该真空镀膜工艺腔的全部有益技术效果，在此，不再赘述。
[0022]所述PVD膜厚均匀度调节方法包括以下步骤：
[0023]S1、对靶材划定分区；沿着所述靶材的长度方向对所述靶材顺次划定第一溅射区、第二溅射区和第三溅射区；
[0024]S2、对承载托架划定分区；沿着所述靶材的长度方向对所述承载托架顺次划定第一承载区、第二承载区和第三承载区；所述第一承载区、所述第二承载区和所述第三承载区均设置有待镀膜工件；
[0025]S3、检测所述待镀膜工件的膜层厚度；分别检测所述第一承载区上的所述待镀膜工件的膜层厚度、所述第二承载区上的所述待镀膜工件的膜层厚度和所述第三承载区上的所述待镀膜工件的膜层厚度；
[0026]S4、操作调节装置；所述调节装置包括多个可相对所述靶材运动的挡片，根据S3的检测结果，对应调节相应位置的所述挡片；
[0027]S5、膜层厚度复检；在对所述挡片调节完成后，重新对下一批次所述待镀膜工件执行镀膜操作，镀膜完成后对所述待镀膜工件的膜层厚度再次进行检测，比对所述第一承载区上的所述待镀膜工件、第二承载区上的所述待镀膜工件和所述第三承载区上的所述待镀膜工件的膜层厚度的差值是否符合要求；
[0028]S6、批量执行镀膜操作；在S5中，若检测结果不符合要求则重复步骤S4；若所述检测结果符合要求则对所述承载托架上的所述待镀膜工件进行批量镀膜。
[0029]与现有技术相比，本申请的有益效果为：
[0030]本申请提供的真空镀膜工艺腔包括：固定箱体，固定箱体的内部形成有用于输送承载托架的输送空间；靶材，靶材设置于固定箱体内，靶材位于承载托架的上方；调节装置，调节装置设置于固定箱体，靶材与承载托架之间形成有溅射区域，调节装置位于靶材与承载托架之间；调节装置具有多个遮挡部，通过调节多个遮挡部中的至少部分遮挡部能够调节溅射区域的范围，溅射区域的范围影响沉积在待镀膜工件上的膜层厚度。
[0031]本申请提供的真空镀膜工艺腔，通过调整调节装置与靶材的相对位置，能够调节
靶材的溅射区域对应的范围，从而能够影响在溅射过程中承载托架上不同区域内的待镀膜工件上膜层沉积厚度，进而使承载托架上的待镀膜工件的膜层厚度能够实现高度的一致性，以提高整个镀膜工艺过程中的良品率以及加工效率。
[0032]本申请提供的PVD膜厚均匀度调节方法，调节操作过程简单、快捷，且调节精度高，能够提高所镀膜层厚度的一致性，进而提高了膜层质量，也提高了良品率。
附图说明
[0033]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0034]图1为本申请实施例提供的真空镀膜工艺腔的调节装置的结构示意图；
[0035]图2为本申请实施例提供的真空镀膜工艺腔的结构示意图；
[0036]图3为图1在A处的放大示意图；
[0037]图4为图2在B处的放大示意图。
[0038]附图标记：
[0039]1‑
固定箱体，2
‑
靶材，3
‑
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空镀膜工艺腔，其特征在于，包括：固定箱体，所述固定箱体的内部形成有用于输送承载托架的输送空间；靶材，所述靶材设置于所述固定箱体内，所述靶材位于所述承载托架的上方；调节装置，所述调节装置设置于所述固定箱体，所述靶材与所述承载托架之间形成有溅射区域，所述调节装置位于所述靶材与所述承载托架之间；所述调节装置具有多个遮挡部，通过调节多个所述遮挡部中的至少部分所述遮挡部能够调节所述溅射区域的范围，所述溅射区域的范围影响沉积在待镀膜工件上的膜层厚度。2.根据权利要求1所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，所述调节装置包括：支撑件，所述支撑件与所述固定箱体相连接；挡片，所述挡片设置于所述支撑件，所述挡片为所述遮挡部；锁紧件，所述挡片与所述支撑件活动连接，所述挡片与所述支撑件通过所述锁紧件锁紧。3.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，所述挡片呈长条状，所述挡片设置有滑移槽，所述锁紧件穿过所述滑移槽与所述支撑件相连接；所述滑移槽的长度沿所述承载托架的输送方向延伸。4.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，所述挡片的数量为多个，多个所述挡片沿所述支撑件的长度方向顺次排布。5.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，每一所述挡片的上表面等间距设置有多个标记刻度，多个所述标记刻度沿所述挡片的长度方向顺次排布。6.根据权利要求2所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，所述靶材呈长条状，所述靶材的长度沿第一方向延伸，所述第一方向与所述承载托架的行进方向相垂直。7.根据权利要求6所述的真空镀膜工艺腔，其特征在于，所述支撑件呈长条状，所述支撑件与所述靶材平行设置；所述支撑件的一端设置有第一安装部，所述支撑件的另一端设置有第二安装部，所述第一安装部和所述第二安装部设置有所述挡片，所述支撑件除所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：