电池片双面镀膜设备及方法技术

本申请涉及电池片加工技术领域，尤其是涉及一种电池片双面镀膜设备及电池片双面镀膜方法，电池片双面镀膜设备包括：第一镀膜腔；第一靶材组件，设置于第一镀膜腔内；第二镀膜腔，第二镀膜腔与第一镀膜腔相邻设置，第二靶材组件，设置于第二镀膜腔内；承载托盘，承载托盘承载有待镀膜的硅片，承载托盘顺次经过第一镀膜腔和第二镀膜腔，第一靶材组件对硅片的一侧表面镀膜，第二靶材组件对硅片的另一侧表面镀膜。本申请提供的电池片双面镀膜设备，能够对硅片实现双面镀膜，且溅射功率可调，能够有效避免溅射功率可调范围狭窄，容易对硅片的表面产生损伤，进而能够提高膜层质量、提升良品率，也提高了电池片的性能。也提高了电池片的性能。也提高了电池片的性能。

【技术实现步骤摘要】
电池片双面镀膜设备及方法


[0001]本申请涉及电池片加工
，尤其是涉及一种电池片双面镀膜设备及电池片双面镀膜方法。

技术介绍

[0002]PVD设备是为了在电池片制备透明导电薄膜。PVD即物理气相沉积，采用磁控溅射技术，通过辉光放电，产生氩离子以不断轰击阴极靶材，阴极靶材对应的成分被轰击溅射出来而沉积在电池片表面，从而实现溅射镀膜。在对电池片镀膜时，需要对电池片进行双面镀膜，使用现有的镀膜设备在对电池片进行镀膜时，需要在单面进行镀膜后取出电池片，将电池片翻转，重新启动设备再对电池片的另一侧表面进行镀膜，加工效率低，而且溅射功率不可调或者可调范围十分有限，很容易出现溅射功率过大，电池片通常由晶体硅或非晶硅制成，当溅射功率过大时，容易对电池片的表面产生损伤，从而容易影响膜层质量和电池片的性能。

技术实现思路

[0003]本申请的目的在于提供一种电池片双面镀膜设备及电池片双面镀膜方法，以在一定程度上解决现有技术中存在的镀膜设备进行双面镀膜时操作繁琐，也难以保对硅片的镀膜质量和性能的技术问题。
[0004]本申请提供了一种电池片双面镀膜设备，包括：第一镀膜腔，所述第一镀膜腔设置有第一镀膜装置，所述第一镀膜装置包括第一靶材组件，所述第一靶材组件设置于所述第一镀膜腔内；
[0005]第二镀膜腔，所述第二镀膜腔与所述第一镀膜腔相邻设置，所述第二镀膜腔设置有第二镀膜装置，所述第二镀膜装置包括第二靶材组件，所述第二靶材组件设置于所述第二镀膜腔内；
[0006]承载托盘，所述承载托盘承载有待镀膜的硅片，所述承载托盘顺次经过所述第一镀膜腔和所述第二镀膜腔，所述第一靶材组件对所述硅片的一侧表面镀膜，所述第二靶材组件对所述硅片的另一侧表面镀膜。
[0007]在上述技术方案中，进一步地，所述第一靶材组件包括多个第一靶组，多个所述第一靶组沿所述承载托盘的输送方向顺次间隔排布在所述承载托盘的下方或上方，每一个所述第一靶组与所述硅片之间的距离均不相同；
[0008]所述第二靶材组件包括多个第二靶组，多个所述第二靶组沿所述承载托盘的输送方向顺次间隔排布在所述承载托盘的上方或下方，每一个所述第二靶组与所述硅片之间的距离均不相同；
[0009]所述第一靶组和所述第二靶组分布在所述承载托盘的不同侧。
[0010]在上述任一技术方案中，进一步地，所述第一靶组包括：第一固定架和第一靶材；所述第一固定架与所述第一镀膜腔的壁板活动连接，所述第一靶材设置于所述第一固定
架，通过调节所述第一固定架相对所述第一镀膜腔的位置能够调节所述第一靶材与所述硅片之间的距离；
[0011]所述第二靶组包括：第二固定架和第二靶材，所述第二固定架与所述第二镀膜腔的壁板活动连接，所述第二靶材设置于所述第二固定架，通过调节所述第二固定架相对所述第二镀膜腔的位置能够调节所述第二靶材与所述硅片之间的距离。
[0012]在上述任一技术方案中，进一步地，沿着所述承载托盘的输送方向，多个所述第一靶组与所述硅片之间的距离呈逐渐减小的梯度式分布，多个所述第二靶组与所述硅片之间的距离也呈逐渐减小的梯度式分布。
[0013]在上述任一技术方案中，进一步地，所述第一镀膜腔和第二镀膜腔具有相同的工艺参数，所述工艺参数至少包括：压力、氧气含量、氢气含量和温度。
[0014]在上述任一技术方案中，进一步地，所述电池片双面镀膜设备还包括多个加工腔，多个所述加工腔至少包括载入腔、过渡腔、缓存腔、降温腔、冷却腔和载出腔，所述载入腔、所述过渡腔、所述缓存腔、所述第一镀膜腔、所述第二镀膜腔、所述降温腔、所述冷却腔、所述载出腔顺次排布。
[0015]在上述任一技术方案中，进一步地，所述加工腔还包括翻转腔，所述翻转腔位于所述第一镀膜腔与所述第二镀膜腔之间。
[0016]在上述任一技术方案中，进一步地，所述电池片双面镀膜设备还包括回传装置，所述回传装置设置于多个所述加工腔的下方或侧部，所述回传装置的输送方向与所述承载托盘的输送方向相反。
[0017]本申请还提供了一种电池片双面镀膜方法，包括上述任一技术方案所述的电池片双面镀膜设备，因而，具有该电池片双面镀膜设备的全部有益技术效果，在此，不再赘述。
[0018]本电池片双面镀膜方法具体包括以下步骤：
[0019]对承载托盘装载硅片；
[0020]打开载入腔的翻转门板，使承载托盘进入载入腔内，启动抽真空装置；
[0021]启动过渡腔的加热装置，打开过渡腔的进口的翻转门板，使承载托盘进入过渡腔中，启动抽真空装置；
[0022]启动缓存腔的加热装置，打开输送腔的进口的翻转门板，启动抽真空装置；
[0023]打开第一镀膜腔的翻转门板，对硅片的一侧表面执行镀膜操作；
[0024]打开第二镀膜腔的翻转门板，对硅片的另一侧表面执行镀膜操作；
[0025]启动载出腔的冷却装置和供气装置，打开载出腔的翻转门板；
[0026]将满载镀膜完成的硅片的承载托盘放置于回传装置。
[0027]在上述技术方案中，进一步地，所述电池片双面镀膜方法还包括步骤：翻转承载托盘；
[0028]在第一镀膜腔与第二镀膜腔之间设置翻转腔，在第一镀膜腔内对承载托盘上的硅片的一侧表面进行镀膜后，承载托盘在翻转腔内翻转后进入第二镀膜腔；
[0029]或者，硅片在第一镀膜腔内进行一侧表面镀膜后，使用回传装置将承载托盘输送回输入腔，承载托盘翻转后进入第二镀膜腔对硅片的另一侧表面镀膜。
[0030]与现有技术相比，本申请的有益效果为：
[0031]本申请提供的电池片双面镀膜设备包括：第一镀膜腔，第一镀膜腔设置有第一镀
膜装置，第一镀膜装置包括第一靶材组件，第一靶材组件设置于第一镀膜腔内；第二镀膜腔，第二镀膜腔与第一镀膜腔相邻设置，第二镀膜腔设置有第二镀膜装置，第二镀膜装置包括第二靶材组件，第二靶材组件设置于第二镀膜腔内；承载托盘，承载托盘承载有待镀膜的硅片，承载托盘顺次经过第一镀膜腔和第二镀膜腔，第一靶材组件对硅片的一侧表面镀膜，第二靶材组件对硅片的另一侧表面镀膜。
[0032]本申请提供的电池片双面镀膜设备，不仅能够对硅片实现双面镀膜，还能够实现溅射功率可调，使得溅射功率不再受磁场的分布、强度等因素的限制，从而能够有效避免溅射功率可调范围狭窄，容易对硅片(尤其是非晶硅)的表面产生损伤，进而能够提高膜层质量、提升良品率，也提高了电池片的性能。
[0033]本申请提供的电池片双面镀膜方法，适用于上述所述的电池片双面镀膜设备，因而，通过本电池片双面镀膜设备能够实现双面镀膜，且镀膜效率高，还能够确保对硅片的镀膜质量，进行有助于提高电池片的性能。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本申请的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电池片双面镀膜设备，其特征在于，所述电池片双面镀膜设备至少包括：第一镀膜腔，所述第一镀膜腔设置有第一镀膜装置，所述第一镀膜装置包括第一靶材组件，所述第一靶材组件设置于所述第一镀膜腔内；第二镀膜腔，所述第二镀膜腔与所述第一镀膜腔相邻设置，所述第二镀膜腔设置有第二镀膜装置，所述第二镀膜装置包括第二靶材组件，所述第二靶材组件设置于所述第二镀膜腔内；承载托盘，所述承载托盘承载有待镀膜的硅片，所述承载托盘顺次经过所述第一镀膜腔和所述第二镀膜腔，所述第一靶材组件对所述硅片的一侧表面镀膜，所述第二靶材组件对所述硅片的另一侧表面镀膜。2.根据权利要求1所述的电池片双面镀膜设备，其特征在于，所述第一靶材组件包括多个第一靶组，多个所述第一靶组沿所述承载托盘的输送方向顺次间隔排布在所述承载托盘的下方或上方，每一个所述第一靶组与所述硅片之间的距离均不相同；所述第二靶材组件包括多个第二靶组，多个所述第二靶组沿所述承载托盘的输送方向顺次间隔排布在所述承载托盘的上方或下方，每一个所述第二靶组与所述硅片之间的距离均不相同；所述第一靶组和所述第二靶组分布在所述承载托盘的不同侧。3.根据权利要求2所述的电池片双面镀膜设备，其特征在于，所述第一靶组包括：第一固定架和第一靶材；所述第一固定架与所述第一镀膜腔的壁板活动连接，所述第一靶材设置于所述第一固定架，通过调节所述第一固定架相对所述第一镀膜腔的位置能够调节所述第一靶材与所述硅片之间的距离；所述第二靶组包括：第二固定架和第二靶材，所述第二固定架与所述第二镀膜腔的壁板活动连接，所述第二靶材设置于所述第二固定架，通过调节所述第二固定架相对所述第二镀膜腔的位置能够调节所述第二靶材与所述硅片之间的距离。4.根据权利要求2所述的电池片双面镀膜设备，其特征在于，沿着所述承载托盘的输送方向，多个所述第一靶组与所述硅片之间的距离呈逐渐减小的梯度式分布，多个所述第二靶组与所述硅片之间的距离也呈逐渐减小的梯度式分布。5.根据权利要求1至...

【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，
申请(专利权)人：广东利元亨智能装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：