一种化学机械抛光系统技术方案

本发明专利技术提供了一种化学机械抛光系统，其包括：前端单元、多组抛光单元和多组后处理单元；所述后处理单元与所述前端单元之间的狭缝空间内配置有行走机构和翻转机构，所述翻转机构竖直承载晶圆并携带晶圆沿所述行走机构直线移动，直至移出所述狭缝空间后将晶圆翻转至水平状态。本发明专利技术可以减少翻转机构在机台长度方向占用的空间，相比现有的机台模块布局方案，本发明专利技术合理利用了机台内部空间，留给干燥和清洗等主要功能模块的空间更大，模块的设计、配置和布局具有更高的灵活性、选择性和多样性。选择性和多样性。选择性和多样性。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光系统


[0001]本专利技术属于晶圆生产
，具体而言，涉及一种化学机械抛光系统。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序，化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。
[0003]CMP系统一般包括前端单元(EquipmentFront End Module，EFEM)、抛光单元、清洗单元及干燥模块，以实现晶圆的“干进干出”，获得表面均匀性符合工艺要求的晶圆。
[0004]在竖直清洗体系中，晶圆在被EFEM取片前需要从竖直状态翻转成水平状态。晶圆从竖直状态翻转成水平状态后，需要留出足够晶圆水平放置的空间，使得机台长度加大，机台空间利用不够充分，用料及成本增加，不利于厂房内机台的合理布置。
专利技术内容
[00本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光系统，其特征在于，其包括：前端单元、多组抛光单元和多组后处理单元；所述后处理单元与所述前端单元之间的狭缝空间内配置有行走机构和翻转机构，所述翻转机构竖直承载晶圆并携带晶圆沿所述行走机构直线移动，直至移出所述狭缝空间后将晶圆翻转至水平状态。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述化学机械抛光系统包括具有长度和宽度的框架；所述前端单元位于所述框架的宽度的外侧，所述抛光单元和所述后处理单元位于所述框架的内部。3.根据权利要求2所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述后处理单元的数量为两组，对称设置于所述框架的长度方向的两侧。4.根据权利要求2或3所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述后处理单元包括沿所述框架的长度方向并排布置的干燥模块和多个清洗模块，其中，所述干燥模块邻近所述前端单元。5.根据权利要求4所述的化学机械抛光系统，其特征在于，所述干燥模块的上方配置有机械手，所述机械手用于在所述干燥模块和所述翻转机构之间传递晶圆。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯杰，李灯，李长坤，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：