一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用技术

本发明专利技术公开了一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用，该方法在氮化硼晶体生长过程中通过控制生长源中碳粉的含量，成功调控硼空位缺陷密度，之后将带缺陷的氮化硼薄膜作为阻变层、惰性金属作为顶电极和底电极，构筑金属/阻变层/金属结构的阻变存储器。硼空位缺陷可以在电压的激励下进行重新排布，改变阻变存储器的电阻态。通过控制碳粉质量占比，能够使阻变存储器表现出较优的输运性能，包括低的开启电压和关断电压，大的阻变开关比，以及高的阻变切换稳定性，可以应用于阻变存储器阵列加工和应用中。存储器阵列加工和应用中。存储器阵列加工和应用中。

【技术实现步骤摘要】
一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用


[0001]本专利技术属于新型存储器件
，涉及一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用。

技术介绍

[0002]近年来信息产业发展迅速，信息处理量飞速增加，对存储器的集成密度和处理速度提出了更高的要求。目前的存储器技术采用多级存储体系，包括快速响应的易失性存储器和高度集成的非易失性存储器，但这样的复杂系统已经难以满足智能时代高速信息处理的需求，“存储墙”瓶颈难以克服。开发同时具有低功耗和快响应的新型非易失性存储器是解决“存储墙”瓶颈的可行方案。
[0003]在前期研究中，基于氧化物的非易失性存储器表现出了稳定的阻变现象和明确的阻变机理，但是活性金属离子在氧化物阻变层中地随机注入导致器件的保留能力降低。以二维材料为阻变层的阻变存储器具有快速开关、低功耗、结构简单等优势，拥有良好的透明性和弯折可塑性，器件的三明治结构可以将阻变存储器的尺寸缩小到纳米级，这些优点使其成为下一代存储器的有利候选者。
[0004]化学气相沉积(chemical vapor depositi本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化硼本征缺陷调控方法，其特征在于，通过常压高温金属溶剂法生长氮化硼晶体的过程中，调节生长源中碳粉的比例，实现氮化硼中硼空位缺陷密度的调控。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述生长源为镍铬合金、氮化硼粉末、及碳粉混合物，其中碳粉的质量占比为0
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6.8％。3.一种基于氮化硼本征缺陷的阻变存储器，其特征在于，以带有本征缺陷的氮化硼薄膜作为阻变存储器的阻变层，以惰性电极作为顶电极和底电极，形成金属/氮化硼/金属三明治结构的阻变存储器，所述氮化硼的本征缺陷通过权利要求1或2所述方法调控。4.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述阻变层的硼空位缺陷密度与生长源中碳粉质量占比存在对应关系。5.如权利要求3所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极和所述底电极采用惰性金属，材质为以下任一种或多...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵昱达，陈浩瀚，康瑜，万能，俞滨，接文静，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：