温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种氮化硼本征缺陷调控方法及其在阻变存储器上的应用，该方法在氮化硼晶体生长过程中通过控制生长源中碳粉的含量，成功调控硼空位缺陷密度，之后将带缺陷的氮化硼薄膜作为阻变层、惰性金属作为顶电极和底电极，构筑金属/阻变层/金属结构的阻变...
该专利属于浙江大学所有，仅供学习研究参考，未经过浙江大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。