【技术实现步骤摘要】
一种基于六方氮化硼阻变存储器及制备方法
[0001]本专利技术属于阻变存储器制备领域，具体涉及一种基于六方氮化硼（h
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BN）阻变存储器的制备方法。
技术介绍
[0002]随着信息技术产业的飞速发展，信息的飞速传输、爆炸式增长和可靠性都对存储器的存取速度、存储容量和保持时间提出了更高的要求。传统的半导体存储器在微缩化上遇到瓶颈，无法实现更高密度的单元集成，迫切需要研发新型非易失性存储器来替代传统的存储器。
[0003]在众多非易矢性存储器中，阻变存储器结构简单，各项性能优异，还具有优异的微缩化能力，与现有的半导体工艺兼容性好，是下一代前瞻性极佳的非易失性存储器。阻变存储器的基本结构为简单的三明治结构，其中中间的电阻层材料是实现电阻态切换的关键。目前已有许多材料被发现有阻变特性，其中二维材料阻变存储器具有功耗低、体积小和柔韧性优良等优势。
技术实现思路
[0004]本专利技术提供一种基于六方氮化硼（h
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BN）阻变存储器及制备方法，其制备出的Au/h
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于六方氮化硼阻变存储器，其特征是所述的阻变存储器包括自下而上依次为衬底、底电极、阻变层和顶电极；所述的衬底为硅片：SiO2/Si衬底；所述的底电极为Au；顶电极为Ag；所述的阻变层材料为六方氮化硼薄膜；其中，底电极厚度为70nm；顶电极厚度为60~80nm；六方氮化硼薄膜厚度为10~60nm。2.权利要求1所述的基于六方氮化硼阻变存储器的制备方法，其特征是包括如下步骤：（1）硅片依次经过丙酮、异丙醇、去离子水超声清洗以去除表面的杂质，后用洗耳球将其表面吹干；（2）将洗干净的硅片经过甩胶、烤胶后，将其放在光刻机曝光区域进行电极图案曝光，而后显影；（3）采用真空蒸发镀膜法在硅片上蒸镀Au底电极；（4）通过机械剥离法得到厚度为10~60 nm厚的六方氮化硼薄膜，将其通过二维转移平台转移至Au底电极上；（5）采用聚焦离子束在六方氮化硼表面上...
【专利技术属性】
技术研发人员：周杨波，肖美铃，廖霞霞，肖志林，王勇，付彬芸，
申请(专利权)人：南昌大学，
类型：发明
国别省市：
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