一种铌酸锂易失性忆阻器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种铌酸锂易失性忆阻器及其制备方法，该忆阻器采用磁控溅射法制备的铌酸锂薄膜为阻变材料。本发明专利技术使得器件内部导电细丝的形成和熔断可以通过电压的强度和持续时间控制达到不同的调制效果，使器件展现出了器件电阻自发衰减的且更趋近于生物突触的特性。同时，器件具有非线性和短期记忆的优点，对于储层计算硬件的实现有着重要的意义。于储层计算硬件的实现有着重要的意义。于储层计算硬件的实现有着重要的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂易失性忆阻器及其制备方法


[0001]本专利技术属于半导体和混合集成电路
，具体涉及一种适用于类脑计算的神经网络计算系统中的新型铌酸锂易失性忆阻器及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着人工智能和物联网的快速发展，神经形态计算和硬件安全变得越来越重要。忆阻器是一类新兴的器件，它可以存储电阻值并随着电流的流过而改变电阻值，同时也可用于计算和通信。相比冯诺依曼架构，类脑神经网络计算具有异构性、自适应性、低能耗、本地计算和非线性特点，这使得其在处理复杂问题时表现更好、适应性更强、能效更高。忆阻器分为易失性忆阻器和非易失性忆阻器两种类型。易失性忆阻器的电阻值是暂时存储的，电流停止流过后，电阻值会立即恢复为初始值。易失性忆阻器具有短期记忆和器件电阻自发衰减的特点，并且具有与生物神经元和突触高度相似的结合和独特的物理机制。因此，易失性忆阻器是神经形态计算和硬件安全方面的极好候选器件之一。
[0003]易失性忆阻器常规的阻变材料是氧化钛(TiO2)或氧化铈(CeO2)。这些材料具有在电流流过时可改变电阻值的特性，并且在电流停止流过后本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.易失性忆阻器，其特征在于，包括底电极、阻变层和顶电极，易失性忆阻器的电阻值是暂时存储的，电流停止流过后，电阻值会立即恢复为初始值，所以易失性忆阻器具有短期记忆的特点。2.如权利要求1所述，其特征在于，所述电极采用铂和金，厚度为30nm
±
0.5nm。3.如权利要求1所述，其特征在于，所述阻变层采用铌酸锂薄膜，厚度为100nm
±
0.5nm。4.铌酸锂易失性忆阻器制备方法：所述器件采用光刻工艺，制备出十字交叉式忆阻器的底电极结构，在底电极结构表面溅射一层铂作为底电极，继而在底电极结构上采用光刻工艺，制备出十字交叉式忆阻器的顶电极结构，在顶电极结构表面先溅射一层铌酸锂薄膜，再溅射一层金薄膜作为顶电极，制备出铌酸锂忆阻器；具体铌酸锂易失性忆阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵元溪，段文睿，李黄龙，董东犁，
申请(专利权)人：北京信息科技大学，
类型：发明
国别省市：