包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法技术

本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，存储器块个别地包括竖直堆叠，竖直堆叠包括导体层正上方交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和导电层的沟道材料串。沟道材料串与导体层的导体材料直接电耦合。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过绝缘层和导电层到导体层中的TAV。TAV中的个别TAV包括在下部部分正上方且与下部部分接合的上部部分。个别TAV在竖直横截面中包括至少一个外部上部折弯表面。个别TAV包括在竖直横截面中在所述导体层中且在上部折弯表面下方的至少一个外部下部折弯表面。公开了其它实施例，包含方法。包含方法。包含方法。

【技术实现步骤摘要】
包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法


[0001]本文中所公开的实施例涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

技术介绍

[0002]存储器是一种类型的集成电路系统且用于计算机系统中以存储数据。存储器可被制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称作位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称作字线)对存储器单元进行写入或从中进行读取。感测线可沿着阵列的列使存储器单元以导电方式互连，并且存取线可沿着阵列的行使存储器单元以导电方式互连。每一存储器单元可通过感测线和存取线的组合唯一地寻址。
[0003]存储器单元可为易失性、半易失性或非易失性的。非易失性存储器单元可在不通电的情况下将数据存储很长一段时间。非易失性存储器通常被指定为具有至少约10年保持时间的存储器。易失性存储器会消散，且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的保留时间。无论如何，存储器单元被配置成以至少两个不同可选状态保留或存储存储器。在二进制系统中，状态被认为是“0”本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和穿阵列通孔TAV区，所述下部部分包括顶部；在所述TAV区中的所述堆叠的所述下部部分中形成部分牺牲性插塞，所述部分牺牲性插塞个别地处于将形成个别TAV的水平位置，所述部分牺牲性插塞包括个别地具有外围且具有与所述下部部分的顶部竖向重合的所述顶部的岛部；形成个别地延伸穿过所述岛部中的个别岛部的绝缘环，所述绝缘环中的个别绝缘环从其延伸穿过的所述岛部的所述外围径向向内间隔开；在所述堆叠的所述下部部分和所述岛部正上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层；使TAV开口形成到所述堆叠的所述上部部分中，所述TAV开口个别地处于所述水平位置中的一者处且延伸到在延伸穿过其的所述绝缘环的径向向内的所述岛部中的一者的牺牲材料；穿过所述TAV开口，移除所述个别岛部的所述牺牲材料，所述牺牲材料在延伸穿过其的所述绝缘环的径向向内以使所述TAV开口更深地延伸到所述堆叠中；在经延伸TAV开口中的个别经延伸TAV开口中和其中由所述移除产生的空隙空间中形成个别TAV；以及形成延伸穿过所述存储器块区中的所述第一层和所述第二层的沟道材料串。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括导电金属材料。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括绝缘材料。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述牺牲材料包括半导电材料。5.根据权利要求1所述的方法，其中初始形成的所述岛部为均匀的。6.根据权利要求5所述的方法，其中所述牺牲材料包括导电金属材料。7.根据权利要求1所述的方法，其包括：在形成所述岛部的同时在所述下部部分中形成牺牲插塞，所述牺牲插塞个别地处于将形成所述沟道材料串的水平位置；使沟道开口形成到所述上部部分中到达所述牺牲插塞且通过所述沟道开口移除所述牺牲插塞；以及在所述牺牲插塞的所述移除之后在所述沟道开口中形成所述沟道材料串。8.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述下部部分中形成牺牲性轨道，所述牺牲性轨道个别地处于所述存储器块区中的横向紧邻的存储器块区之间；以及使沟槽形成到所述上部部分中到达所述牺牲性轨道且通过所述沟槽移除所述牺牲性轨道。9.根据权利要求1所述的方法，其包括：在所述TAV区中的所述下部部分中形成牺牲性杆；和使沟槽形成到所述上部部分中到达所述牺牲性杆且通过所述沟槽移除所述牺牲性杆。10.根据权利要求1所述的方法，其包括：同时在所述下部部分中形成牺牲性轨道和牺牲性杆，所述牺牲性轨道个别地处于所述
存储器块区中的横向紧邻的存储器块区之间，所述牺牲性杆处于所述TAV区中；在所述上部部分中形成个别地延伸到所述牺牲性轨道或所述牺牲性杆中的个别者的沟槽；以及通过所述沟槽移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。11.根据权利要求10所述的方法，其中在形成所述个别TAV的导电材料之后移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。12.根据权利要求11所述的方法，其中同时移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。13.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：在衬底上形成将包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠的下部部分，所述堆叠包括横向间隔开的存储器块区和穿阵列通孔TAV区，所述下部部分包括顶部；在所述TAV区中的所述堆叠的所述下部部分中形成部分牺牲性插塞，所述部分牺牲性插塞个别地包括水平伸长线，所述水平伸长线个别地跨越将形成个别TAV的多个水平位置延伸，所述水平伸长线中的个别水平伸长线具有横向外侧部且具有与所述下部部分的顶部竖向重合的所述顶部；形成个别地围绕所述水平位置中的一者延伸穿过所述个别水平伸长线的绝缘环，所述绝缘环中的个别绝缘环从其延伸穿过的所述水平伸长线的所述横向外侧部横向向内间隔开；在所述堆叠的所述下部部分和所述水平伸长线正上方形成所述堆叠的上部部分的所述竖直交替的第一层和第二层；使TAV开口形成到所述堆叠的所述上部部分中，所述TAV开口个别地处于所述水平位置中的一者处且延伸到在延伸穿过其的所述绝缘环的径向向内的所述水平伸长线中的一者的牺牲材料；穿过所述TAV开口，移除所述个别水平伸长线的所述牺牲材料，所述牺牲材料在延伸穿过其的所述绝缘环的径向向内以使所述TAV开口更深地延伸到所述堆叠中；在经延伸TAV开口中的个别经延伸TAV开口中和其中由所述移除产生的空隙空间中形成个别TAV；以及形成延伸穿过所述存储器块区中的所述第一层和所述第二层的沟道材料串。14.根据权利要求13所述的方法，其中所述牺牲材料包括导电金属材料。15.根据权利要求13所述的方法，其中所述牺牲材料包括绝缘材料。16.根据权利要求13所述的方法，其中所述牺牲材料包括半导电材料。17.根据权利要求13所述的方法，其中初始形成的所述岛部为均匀的。18.根据权利要求17所述的方法，其中所述牺牲材料包括导电金属材料。19.根据权利要求13所述的方法，其包括：在形成所述岛部的同时在所述下部部分中形成牺牲插塞，所述牺牲插塞个别地处于将形成所述沟道材料串的水平位置；使沟道开口形成到所述上部部分中到达所述牺牲插塞且通过所述沟道开口移除所述牺牲插塞；以及在所述牺牲插塞的所述移除之后在所述沟道开口中形成所述沟道材料串。20.根据权利要求13所述的方法，其包括：
在所述下部部分中形成牺牲性轨道，所述牺牲性轨道个别地处于所述存储器块区中的横向紧邻的存储器块区之间；和使沟槽形成到所述上部部分中到达所述牺牲性轨道且通过所述沟槽移除所述牺牲性轨道。21.根据权利要求13所述的方法，其包括：在所述TAV区中的所述下部部分中形成牺牲性杆；和使沟槽形成到所述上部部分中到达所述牺牲性杆且通过所述沟槽移除所述牺牲性杆。22.根据权利要求13所述的方法，其包括：同时在所述下部部分中形成牺牲性轨道和牺牲性杆，所述牺牲性轨道个别地处于所述存储器块区中的横向紧邻的存储器块区之间，所述牺牲性杆处于所述TAV区中；在所述上部部分中形成个别地延伸到所述牺牲性轨道或所述牺牲性杆中的个别者的沟槽；以及通过所述沟槽移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。23.根据权利要求22所述的方法，其中在形成所述个别TAV的导电材料之后移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。24.根据权利要求23所述的方法，其中同时移除所述牺牲性轨道和所述牺牲性杆。25.一种包括存储器单元串的存储器阵列，其包括：横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括导体层上方交替的绝缘层和导电层，存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和所述导电层的沟道材料串，所述沟道材料串与所述导体层的导体材料直接电耦合；和穿阵列通孔TAV区，其包括个别地延伸穿过所述绝缘层和所述导电层到所述导体层中的TAV，所述TAV中的个别TAV包括在下部部分正上方且与所述下部部分接合的上部部分，所述个别TAV在竖直横截面中包括至少一个外部上部折弯表面，所述个别TAV包括在所述竖直横截面中在所述导体层中且在所述上部折弯表面下方的至少一个外部下部折弯表面。26.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述上部折弯表面和所述下部折弯表面个别地包含水平的部分。27.根据权利要求26所述的存储器阵列，其中所述部分恰好水平。28.根据权利要求25所述的存储器阵列，其中所述TAV的导电材料在所述竖直横截面中相较于紧靠在所述上部折弯表面上方在紧靠在所述上部折弯表面下方更宽。29.根据权利要求25所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：