【技术实现步骤摘要】
包含存储器单元的竖直串的电子装置以及相关存储器装置、系统和方法
[0001]优先权要求
[0002]本申请要求于2021年9月1日提交的为“包含存储器单元的竖直串的电子装置以及相关存储器装置、系统和方法”的第17/446,649号美国专利申请的申请日的权益，所述美国专利申请的公开内容特此以引用的方式全部并入本文中。
[0003]本文所公开的实施例涉及电子装置设计和制造领域。更具体地说，本公开的实施例涉及包含竖直存储器单元串(例如，NAND存储器单元)的电子装置以及相关存储器装置、系统和方法。
技术介绍
[0004]电子装置(例如，设备、半导体装置、存储器装置)设计者通常希望通过减小单独特征的尺寸且通过减小相邻特征之间的分隔距离来增加电子装置内的特征(例如，组件)的集成度或密度。电子装置设计者还希望设计不仅紧凑而且提供性能优势以及简化设计的架构。减小特征的尺寸和间距增加对用于形成电子装置的方法的需求。一个解决方案是形成三维(3D)电子装置，例如3D NAND装置，在所述三维(3D)电子装置中，存储器单元竖直地定...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子装置，其包括：堆叠，其包括覆盖在源极层次上面的交替的导电结构和绝缘结构的层次；导柱，其包括竖直延伸穿过所述堆叠的沟道材料；以及感测装置，其包括所述源极层次内的栅极材料，所述感测装置的所述栅极材料与所述导柱的所述沟道材料电连通。2.根据权利要求1所述的电子装置，其中所述感测装置与所述堆叠的单个导柱相关联。3.根据权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其中所述感测装置的所述栅极材料竖直对准且与所述导柱的所述沟道材料直接物理接触，展现大体上U形配置的所述沟道材料的对置侧壁之间的宽度相对小于所述栅极材料的宽度。4.根据权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其进一步包括在所述源极层次内且正交于所述堆叠的所述导电结构的方向延伸的导电线，其中所述源极层次包括被配置为所述感测装置的源极区的源极材料，且所述导电线中的一个被配置为所述感测装置的漏极区。5.根据权利要求4所述的电子装置，其进一步包括数字线，所述数字线覆盖在所述导柱上面且大体上平行于所述源极层次的所述导电线的方向延伸。6.根据权利要求4所述的电子装置，其中所述感测装置的所述栅极材料的上部部分横向地邻近于所述源极层次的所述源极材料中的一或多种材料。7.根据权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其中所述导柱的所述沟道材料与所述感测装置的所述栅极材料组合包括所述感测装置的扩展栅极区。8.根据权利要求1或权利要求2所述的电子装置，其中所述感测装置包括大体上包围所述栅极材料的栅极介电材料和大体上包围所述栅极介电材料的另一沟道材料，所述导柱的所述沟道材料通过所述感测装置的所述栅极介电材料和所述导柱的单元材料中的一或多个与所述感测装置的所述另一沟道材料隔离。9.根据权利要求8所述的电子装置，其中所述感测装置的所述栅极材料和所述另一沟道材料中的一个或两个包括大体上单体结构，所述大体上单体结构包括结晶材料。10.一种存储器装置，其包括：竖直延伸的存储器单元串；存取线，其与所述竖直延伸的存储器单元串电连通且在第一水平方向上延伸；上部数据线，其与所述竖直延伸的存储器单元串电连通且在第二水平方向上延伸，所述第二水平方向大体上横向于所述第一水平方向；下部数据线，其在所述第二水平方向上延伸；以及感测装置，其竖直地插入在所述竖直延伸的存储器单元串与所述下部数据线之间且与所述竖直延伸的存储器单元串和所述下部数据线电连通，所述竖直延伸的存储器单元串的单独串被配置为所述感测装置中的相应感测装置的栅极。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中所述上部数据线的部分与所述下部数据线竖直对准。12.根据权利要求10或权利要求11所述的存储器装置，其中所述感测装置位于所述存取线下方的高度处。13.根据权利要求10或权利要求11所述的存储器装置，其进一步包括源极材料，所述源极材料包括被配置为所述感测装置的源极区的一或多种材料的大体上连续的薄片，且所述
下部数据线被配置为所述感测装置的漏极区。14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述源极材料包括覆盖在导...
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