细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法制造技术

本发明专利技术公开了细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其技术方案要点是：在T1温度下烧结并保温5

【技术实现步骤摘要】
细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法


[0001]本专利技术涉及陶瓷领域，特别涉及细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法。

技术介绍

[0002]在装备制造业，结构陶瓷做为一种新型的无机非金属材料具有耐高温，耐磨损，耐腐蚀，抗氧化，高温下蠕变小等优异性能。在结晶构造上，结构陶瓷的元素结合力主要为离子键，共价键或离子共价键，由于其键能导致其具有良好的力学性能，但缺少独立的滑移系统，韧性差，一旦受力就会导致开裂，严重的影响了产品性能。为了改变这种状况，研究人员通过对粉体进行研磨改性使粉体处于亚微米及纳米级，使其活性大，易烧结。但粉体细易团聚烧结过程中易造成晶粒二次长大，影响产品的微观均匀性。陶瓷材料的物理性能在很大程度上取决于微观组织，其中晶粒尺寸影响最大，晶粒越小，强度越高韧性越好。作为制备过程中的烧结工艺，如果用传统的烧结方法很难得到其一定的致密性和均匀的微观结构。传统烧结时会采用高的烧结温度及长的保温时间，这种极端烧结条件会导致在烧结末期晶粒不规则长大并生成不均匀的微观结构，采用热压设备投资性大，局限性大不利于常规化生产。1990年楚提出了两部烧结法，这项技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其特征在于：在T1温度下烧结并保温5
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15min，在T2温度下烧结并保温18
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22h，所述T1温度为1540℃
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1560℃，所述T2温度为1450℃
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1470℃。2.根据权利要求1所述的细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其特征在于：在T1温度下烧结并保温9min，在T2温度下烧结并保温20h，所述T1温度为1550℃，所述T2温度为1460℃。3.根据权利要求1所述的细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其特征在于：在所述T1温度下烧结时，采用游离氧含量在4％
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5％的普通氧化气氛下烧结。4.根据权利要求1所述的细晶亚微米结构陶瓷两步烧结法，其特征在于：在所述T1温度下烧结时，采用游离氧含量1％

【专利技术属性】
技术研发人员：曹珍，柳雨生，陈勇，
申请(专利权)人：基迈克材料科技苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：