半导体的切割方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体的切割方法，包括：在切割载具的承载部上涂覆UV胶；其中，所述切割载具的表面上平行分布有多个凹槽，所述承载部为每两个所述凹槽之间的表面部分；将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化；其中，所述半导体的单元部分与所述承载部对准，所述半导体的切割道部分与所述凹槽对准；将粘接有所述半导体的所述切割载具放置到切割装置中；通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元；切割完成后，用紫外线灯照射所述切割载具，使若干个所述半导体单元与所述切割载具分离。采用本发明专利技术实施例，能够减少切割崩裂的情况发生，从而提高半导体加工良品率。从而提高半导体加工良品率。从而提高半导体加工良品率。

【技术实现步骤摘要】
半导体的切割方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工
，尤其涉及一种半导体的切割方法。

技术介绍

[0002]随着微电子技术的发展，芯片越来越小，为了实现加工精度，磨轮的厚度由660um减少到400um，由于磨轮变薄，其振幅也变大，并且目前采用快干胶水将半导体固定在承载盘上切割的方式，粘接后发硬变脆，因而在切割的过程中，在磨轮在切入半导体晶圆时，在切的入口两侧会形成崩裂。现有的解决办法是调整磨轮的转数和进给速度，然而，这些方法对于问题都没有太大的改善。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种半导体的切割方法，能够减少切割崩裂的情况发生，从而提高半导体加工良品率。
[0004]本专利技术一实施例提供一种半导体的切割方法，包括：
[0005]在切割载具的承载部上涂覆UV胶；其中，所述切割载具的表面上平行分布有多个凹槽，所述承载部为每两个所述凹槽之间的表面部分；
[0006]将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化；其中，所述半导体的单元部分与所述承载部对准，所述半导体的切割道部分与所述凹槽对准；
[0007]将粘接有所述半导体的所述切割载具放置到切割装置中；
[0008]通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元；
[0009]切割完成后，用紫外线灯照射所述切割载具，使若干个所述半导体单元与所述切割载具分离。
[0010]作为上述方案的改进，所述UV胶的厚度为0.03
‑
0.5mm。
[0011]作为上述方案的改进，所述UV胶的粘度为60
‑
80N/in。
[0012]作为上述方案的改进，所述将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化，包括：
[0013]通过预设方式将所述UV胶的粘度降为25
‑
30N/in；
[0014]将半导体粘接到所述切割载具上；
[0015]采用紫外线灯照射所述切割载具，使得所述UV胶的粘度变为15
‑
20N/in，以完成固化。
[0016]作为上述方案的改进，所述预设方式具体为：
[0017]用紫外线灯照射9
‑
10s。
[0018]作为上述方案的改进，所述预设方式具体为：
[0019]在温度为110
‑
130℃的焗炉中加热。
[0020]作为上述方案的改进，所述通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元，包括：
[0021]启动所述切割装置，使得磨轮空转；
[0022]控制所述磨轮通过凹槽；
[0023]当所述磨轮接触到所述半导体时，将所述磨轮的进给速度调整为300
‑
320mm/min、切割深度调整为3
‑
4mm、主轴转速调整为11500
‑
12500rpm，并沿着所述半导体的切割道将所述半导体切割为若干个半导体单元。
[0024]作为上述方案的改进，在空转时，所述磨轮的进给速度为90
‑
110mm/min，主轴转速为14000
‑
16000rpm。
[0025]作为上述方案的改进，在通过凹槽时，所述磨轮的进给速度为40
‑
60mm/min，主轴转速为14000
‑
16000rpm，切割深度为1.4
‑
1.6mm。
[0026]作为上述方案的改进，在分离步骤中，所述紫外线灯的光照强度为3000
‑
5000mJ/cm2，照射时间为40
‑
80s。
[0027]实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：
[0028]由于UV胶固化后不会发硬变脆，通过UV胶将半导体粘接到切割载具上，能够有效避免因胶水发硬变脆而导致的切割崩裂，并且，通过紫外线灯照射即可使UV胶减粘，从而易于分离半导体和切割载具，能够有效避免分离过程中的碎裂。此外，还将半导体的切割道与切割载具的凹槽相对应，能够避免切割时损坏切割载具，提高了切割载具的寿命，使得切割载具能够重复使用。
附图说明
[0029]图1是本专利技术一实施例提供的一种半导体的切割方法的流程示意图。
[0030]图2是本专利技术一实施例提供的一种切割载具的俯视示意图。
具体实施方式
[0031]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0032]参见图1，是本专利技术一实施例提供的一种半导体的切割方法的流程示意图。
[0033]本专利技术一实施例提供一种半导体的切割方法，包括：
[0034]S1、在切割载具的承载部上涂覆UV胶；其中，所述切割载具的表面上平行分布有多个凹槽，所述承载部为每两个所述凹槽之间的表面部分；
[0035]S2、将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化；其中，所述半导体的单元部分与所述承载部对准，所述半导体的切割道部分与所述凹槽对准；
[0036]S3、将粘接有所述半导体的所述切割载具放置到切割装置中；
[0037]S4、通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元；
[0038]S5、切割完成后，用紫外线灯照射所述切割载具，使若干个所述半导体单元与所述切割载具分离。
[0039]示例性地，本实施例中的切割载具的如图2所示，其中，阴影部分为凹槽，A和B部分为承载部。一般地，切割载具为透明的玻璃体，其厚度至少为1.5cm，凹槽的宽度可以是与刀片的宽度保持一致，A、B部分宽度可以是和半导体的长型条的宽度一致。
[0040]作为其中一个可选的实施例，所述UV胶的厚度为0.03
‑
0.5mm，从而能够防止因胶水不够而导致的脱落。
[0041]具体地，在本实施例中，所述UV胶的厚度可以为0.03mm、0.15mm、0.265mm、0.39mm、0.5mm。当然，UV胶的厚度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0042]作为其中一个可选的实施例，所述UV胶的成分包括：丙烯酸压敏胶树脂60
‑
80份、光固化树脂3
‑
10份、光固化单体1.5
‑
7份、光引发剂0.5
‑
2.5份和固化剂2
‑
5份；所述UV胶的粘度为60
‑
80N/in。
[0043]具体地，在本实施例中，所述UV胶的粘度可以为60N/in、65N/in、70N/in、75N/in、80N/in。当然，UV胶的粘度不限于上述列举的具体数值，其可以根据实际需求进行设置，在此不做更多的赘述。
[0044本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体的切割方法，其特征在于，包括：在切割载具的承载部上涂覆UV胶；其中，所述切割载具的表面上平行分布有多个凹槽，所述承载部为每两个所述凹槽之间的表面部分；将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化；其中，所述半导体的单元部分与所述承载部对准，所述半导体的切割道部分与所述凹槽对准；将粘接有所述半导体的所述切割载具放置到切割装置中；通过所述切割装置将所述半导体切割为若干个半导体单元；切割完成后，用紫外线灯照射所述切割载具，使若干个所述半导体单元与所述切割载具分离。2.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述UV胶的厚度为0.03
‑
0.5mm。3.如权利要求1所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述UV胶的粘度为60
‑
80N/in。4.如权利要求3所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述将半导体粘接到所述切割载具上，并进行固化，包括：通过预设方式将所述UV胶的粘度降为25
‑
30N/in；将半导体粘接到所述切割载具上；采用紫外线灯照射所述切割载具，使得所述UV胶的粘度变为15
‑
20N/in，以完成固化。5.如权利要求4所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述预设方式具体为：用紫外线灯照射9
‑
10s。6.如权利要求4所述的半导体的切割方法，其特征在于，所述预设方...

【专利技术属性】
技术研发人员：张涛杰，
申请(专利权)人：东莞新科技术研究开发有限公司，
类型：发明
国别省市：