一种基片支撑结构及沉积设备、沉积方法技术

本发明专利技术提供基片支撑结构以及具有该基片支撑结构的沉积设备，对用于静电吸附的凸点布局设计，将三个杆孔以基座圆心为中心呈等边三角形排布，同时基座的圆心处设置一凸点，不在同一直线上的三个相邻凸点呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等，该布局下凸点呈三点支撑，使得基片局部变形小，同时在该整体布局下，吸附力更为均匀，可以克服高温过程中由于局部温差而导致的基片局部塌陷问题，提升基片加工良率。提升基片加工良率。提升基片加工良率。

【技术实现步骤摘要】
一种基片支撑结构及沉积设备、沉积方法


[0001]本专利技术涉及半导体设备领域，尤其涉及一种基片支撑结构及具有该基片支撑结构的沉积设备、沉积方法。

技术介绍

[0002]随着晶片加工尺寸的不断增大，在沉积设备中，如CVD(Chemical Vapor Deposition)、ALD(Atomic Layer Deposition)等沉积设备，多采用具有静电吸附功能的加热盘，即支撑晶片的加热盘上设置静电吸附凸点，在工艺过程中通过静电吸附凸点将晶片吸附于加热盘上。然而，在晶片制备过程中，由于膜层应力作用的存在，导致晶片局部形成塌陷的问题，导致晶片制备无法正常进行。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种基片支撑结构以及具有该基片支撑结构的沉积设备、沉积方法，通过静电吸附点的布局设计，改善晶片局部塌陷的工艺问题，提高晶片加工良率。
[0004]为实现上述目的，本专利技术有如下技术方案：
[0005]一种基片支撑结构，包括基座以及基座上用于升降杆穿过的杆孔、基座上用于静电吸附的凸点，其中，
[0006]所述杆孔的数量为三个，且该三个杆孔布置在以所述基座为圆心的第一圆周上且呈等边三角形分布；
[0007]所述凸点为多个，所述加热基座的圆心处设置一凸点，不在同一直线上的三个相邻凸点呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与所述三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等。
[0008]可选地，多个所述凸点布置在以基座为圆心的第二圆周范围内的基座上，所述第二圆周的直径小于待加工基片的直径，所述第一圆周的直径小于所述第二圆周的直径。
[0009]可选地，各杆孔周围分别形成有三个凸点，所述三个凸点连线构成的等边三角形内切圆的圆心所在位置为对应杆孔的位置。
[0010]可选地，所述第一圆周的直径与所述基座用于支撑的基片的直径的比值范围为：0.6
‑
0.87。
[0011]可选地，所述基座用于支撑300mm基片，所述第一圆周的直径范围为250mm
‑
260mm。
[0012]可选地，所述第二圆周的直径范围为293mm
‑
297mm。
[0013]可选地，沿着所述第一圆周的半径之内分布有平行的七行凸点。
[0014]可选地，所述基座用于支撑300mm基片，所述第一圆周的直径为254mm，相邻两凸点之间的间距为20mm。
[0015]可选地，所述基座用于支撑300mm基片，所述第一圆周的直径范围为175mm
‑
185mm。
[0016]可选地，所述第二圆周的直径范围为293mm
‑
297mm。
[0017]可选地，所述基座用于支撑300mm基片，所述第一圆周的直径为180mm，相邻两凸点之间的间距为19.49mm。
[0018]可选地，所述凸点为绝缘材料。
[0019]可选地，所述绝缘材料为陶瓷。
[0020]可选地，所述基座为陶瓷材料。
[0021]可选地，所述凸点的直径范围为0.5mm
‑
1mm。
[0022]一种沉积设备，包括反应腔和设置于反应腔内的上述任一项所述的基片支撑结构。
[0023]一种沉积方法，在上述的沉积设备中进行基片的加工。
[0024]本专利技术实施例提供的基片支撑结构以及具有该基片支撑结构的沉积设备，对用于静电吸附的凸点布局设计，将三个杆孔以基座圆心为中心呈等边三角形排布，同时基座的圆心处设置一凸点，不在同一直线上的三个相邻凸点呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等，该布局下凸点呈三点支撑，使得基片局部变形小，同时在该整体布局下，吸附力更为均匀，可以克服高温过程中由于局部温差而导致的基片局部塌陷问题，提升基片加工良率。
[0025]进一步地，杆孔之外的区域也设置有凸点，且各杆孔周围分别形成有三个凸点，三个凸点连线构成的等边三角形内切圆的圆心所在位置为对应杆孔的位置。这样，杆孔顶起基片时的力臂是相等的，在基座进行静电吸附或释放后，不会由于力矩的不同而导致顶起力不同，从而避免顶起基片时造成偏移或跳动。
附图说明
[0026]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
[0027]图1示出了根据本专利技术一实施例的基片支撑结构的俯视结构示意图；
[0028]图2示出了根据本专利技术另一实施例的基片支撑结构的俯视结构示意图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。
[0030]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术，但是本专利技术还可以采用其它不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0031]参考图1
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2所示，本专利技术实施例提供了一种基片支撑结构，包括基座100以及基座100上用于升降杆穿过的杆孔110、基座100上用于静电吸附的凸点120，其中，
[0032]所述杆孔110的数量为三个，且该三个杆孔110布置在以所述基座100为圆心的第一圆周R1上且呈等边三角形分布；
[0033]所述加热基座100的圆心处设置一凸点120，不在同一直线上的三个相邻凸点120
呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与所述三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等。本专利技术实施例中，对杆孔和静电吸附的凸点布局设计，该布局下凸点呈三点支撑，使得基片局部变形小，同时在该整体布局下，吸附力更为均匀，可以克服高温过程中由于局部温差而导致的基片局部塌陷问题，提升基片加工良率。
[0034]本专利技术实施例的基片支撑结构应用于半导体设备中，用于基片加工过程中对基片的支撑，基片例如可以为硅晶片等，尤其可以应用于沉积设备中，例如PECVD(Plasma Enhanced CVD)或ALD设备中。
[0035]基座100为晶片的支撑结构，基座100可以为可加热基座，用于基片加工过程中基片的温度控制，加热方式例如可以为气体加热、液体加热、电阻加热等方式，加热可以采用区域加热或其他合适的方式，如环形加热或扇形加热等。基座可以由电介质材料制成，例如可以为陶瓷基座。
[0036]在基座100上设置有杆孔110，杆孔110用于升降杆(Lift Pin)穿过，升降杆为可伸缩结构，在放置基片或取走基片时，该杆孔110中穿出升降杆将基片顶起，以便机械手放置或取走晶片操作，在加工基片时，该升降杆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片支撑结构，其特征在于，包括基座以及基座上用于升降杆穿过的杆孔、基座上用于静电吸附的凸点，其中，所述杆孔的数量为三个，且该三个杆孔布置在以所述基座为圆心的第一圆周上且呈等边三角形分布；所述凸点为多个，所述加热基座的圆心处设置一凸点，不在同一直线上的三个相邻凸点呈等边三角形排布，且两个相邻的凸点的连线与所述三个杆孔构成的等边三角形的一边平行，各相邻两凸点之间的间距相等。2.根据权利要求1所述的基片支撑结构，其特征在于，多个所述凸点布置在以基座为圆心的第二圆周范围内的基座上，所述第二圆周的直径小于待加工基片的直径，所述第一圆周的直径小于所述第二圆周的直径。3.根据权利要求2所述的基片支撑结构，其特征在于，各杆孔周围分别形成有三个凸点，所述三个凸点连线构成的等边三角形内切圆的圆心所在位置为对应杆孔的位置。4.根据权利要求2所述的基片支撑结构，其特征在于，所述第一圆周的直径与所述基座用于支撑的基片的直径的比值范围为：0.6
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0.87。5.根据权利要求4所述的基片支撑结构，其特征在于，所述基座用于支撑300mm基片，所述第一圆周的直径范围为250mm
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260mm。6.根据权利要求5所述的基片支撑结构，其特征在于，所述第二圆周的直径范围为293mm
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297mm。7.根据权利要求6所述的基片支撑结构，其特征在于，沿着所述第一圆周的半径之内分布有平行的...

【专利技术属性】
技术研发人员：周芸福，
申请(专利权)人：江苏微导纳米科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：