一种MPCVD设备基片台制造技术

本实用新型专利技术公开了一种MPCVD设备基片台，属于金刚石单晶的制备设备技术领域，包括控温底座、固定安装环、旋转放置座、集中筒和留置式恒温处理组件，固定安装环焊接在控温底座的顶部，控温底座的中心位置处设置有驱动电机，旋转放置座活动安装在固定安装环内，且旋转放置座与驱动电机的输出轴相连接，留置式恒温处理组件与控温底座相连通，集中筒的顶部和底部分别与控温底座和留置式恒温处理组件相连通，旋转放置座内开设有分隔槽，控温底座内开设有与分隔槽位置对应的控温槽，控温槽位于分隔槽的底部，本实用新型专利技术通过留置式恒温处理组件的设置，能够有效的避免冷却液快速循环导致的恒温效果不足的问题，恒温效果好，保证金刚石沉积效果。效果。效果。

【技术实现步骤摘要】
一种MPCVD设备基片台


[0001]本技术涉及一种MPCVD设备基片台，属于金刚石单晶的制备设备


技术介绍

[0002]MPCVD设备为一种常见的气相沉积设备，特别适合于金刚石生产，通过等离子体在基片台上的基片表面沉积金刚石。为实现批量生产，基片台上会按照阵列放置基片(如金刚石单晶片)，为了实现各个基片表面均匀沉积金刚石，要求整个生长过程各个基片的上表面温度尽量保持一致，在申请号为CN202110399533.1的中国专利中提出一种MPCVD设备温度控制装置及控制方法，通过加快冷却水的流速以及降低冷却水的温度，从而达到快速降低基片温度的效果，每一个感应板监测一个基片，每一个基舱连接一个基片，通过多对一的方式，实现对每一个基片温度的精准控制，通过若干组感应板和基舱的设置，从而实现对基片台每一个区域温度的精准控制，通过再次降低冷却水的温度以及提高冷却水的流速提高对基片降温的效率，而且，通过对冷却水进行升温和对冷却水流速进行降低，从而降低基片的降温效率，进而可以快速实现该基片与周围基片温度的统一，通过加速基片的降温速度以及降低基片的降温速度，可以快速实现基片台温度的统一，上述对比文件包含的MPCVD设备基片台结构仍然较为简单，在进行恒温处理时采用通入冷却液的方式实现冷却，但是冷却液采用外接的方式持续通入，消耗量巨大，不利于长时间恒温处理，采用循环结构时则无法充分保证冷却液充分冷却后再次通入。
[0003]有鉴于此提出本申请。

技术实现思路

[0004]本技术的目的就在于为了解决上述问题而提供一种MPCVD设备基片台，能够通过留置式恒温处理组件的设置，使得经过控温底座回流的冷却液能够被暂时留置分隔，先将一部分冷却液恒温处理至指定温度后输送至集中筒内，然后再对下一批冷却液进行处理，从而避免冷却液快速循环导致的恒温效果不足的问题，恒温效果更好，保证金刚石沉积效果。
[0005]本技术通过以下技术方案来实现上述目的，一种MPCVD设备基片台，包括控温底座、固定安装环、旋转放置座、集中筒和留置式恒温处理组件，所述固定安装环焊接在所述控温底座的顶部，所述控温底座的中心位置处设置有驱动电机，所述旋转放置座活动安装在所述固定安装环内，且所述旋转放置座与所述驱动电机的输出轴相连接，所述留置式恒温处理组件与所述控温底座相连通，所述集中筒的顶部和底部分别与所述控温底座和所述留置式恒温处理组件相连通。
[0006]优选的，为了使得第一抽泵能够将集中筒内的冷却液输送至控温底座内的各个控温槽内，所述控温底座内开设有与所述分隔槽位置对应的控温槽，所述控温槽位于所述分隔槽的底部，所述旋转放置座的底部设置有弹性密封垫，所述集中筒的顶部安装有第一抽泵，所述第一抽泵的出料端通过输送管与所述控温底座的各个所述控温槽相连通。
[0007]优选的，为了使得恒温箱能够通过回流管将控温底座内的冷却液回收，经过恒温处理后通过第二抽泵输送至集中筒内，用于保持恒温，所述留置式恒温处理组件包括恒温箱和回流管，所述恒温箱通过所述回流管与所述控温底座相连通，所述留置式恒温处理组件还包括第二抽泵和输送管，所述第二抽泵安装在所述恒温箱的一侧，所述第二抽泵通过所述输送管与所述集中筒连通。
[0008]优选的，为了使得分隔板能够将恒温箱内腔分隔，使用时下恒温腔内液体充满后关闭电控阀门，使得留置腔内的冷却液暂时留置，等待下恒温腔内的冷却液达到指定温度排出后再进入，所述留置式恒温处理组件还包括分隔板，所述分隔板设置于所述恒温箱内，所述分隔板内开设有排放孔，所述排放孔内置电控阀门，所述恒温箱的内腔通过所述分隔板被分隔为上留置腔和下恒温腔，所述下恒温腔内设置有恒温棒，所述第二抽泵的抽取端与所述下恒温腔连通。
[0009]本技术的有益效果是：本技术通过留置式恒温处理组件的设置，使得经过控温底座回流的冷却液能够被暂时留置分隔，先将一部分冷却液恒温处理至指定温度后输送至集中筒内，然后再对下一批冷却液进行处理，从而避免冷却液快速循环导致的恒温效果不足的问题，恒温效果更好，保证金刚石沉积效果。
附图说明
[0010]图1为本技术俯视角度的结构示意图。
[0011]图2为本技术仰视角度的结构示意图。
[0012]图3为本技术中留置式恒温处理组件的外部结构示意图。
[0013]图4为本技术中留置式恒温处理组件的内部结构示意图。
[0014]图中：1、控温底座；2、固定安装环；3、旋转放置座；301、分隔槽；4、集中筒；401、第一抽泵；402、输送管；5、留置式恒温处理组件；501、恒温箱；502、回流管；503、第二抽泵；504、排放管；505、分隔板；506、排放孔；507、恒温棒。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0016]请参阅图1
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4所示，一种MPCVD设备基片台，包括控温底座1、固定安装环2、旋转放置座3、集中筒4和留置式恒温处理组件5，固定安装环2焊接在控温底座1的顶部，控温底座1的中心位置处设置有驱动电机，旋转放置座3活动安装在固定安装环2内，且旋转放置座3与驱动电机的输出轴相连接，留置式恒温处理组件5与控温底座1相连通，集中筒4的顶部和底部分别与控温底座1和留置式恒温处理组件5相连通。
[0017]在本技术中，通过集中筒4和留置式恒温处理组件5持续的向控温底座1内通入恒温的冷却液，从而使得控温底座1内能够保持恒温，旋转放置座3即可保持静止进行金刚石沉积，也可缓慢旋转，经过控温底座1的各个位置，保证更好的恒温效果，使得旋转放置座3内的各个部位均可保持恒温，使用过程中通过留置式恒温处理组件5的设置，使得经过
控温底座1回流的冷却液能够被暂时留置分隔，先将一部分冷却液恒温处理至指定温度后输送至集中筒4内，然后再对下一批冷却液进行处理，从而避免冷却液快速循环导致的恒温效果不足的问题，恒温效果更好，保证金刚石沉积效果。
[0018]作为本技术的一种技术优化方案，旋转放置座3内开设有分隔槽301，控温底座1内开设有与分隔槽301位置对应的控温槽，控温槽位于分隔槽301的底部，旋转放置座3的底部设置有弹性密封垫，集中筒4的顶部安装有第一抽泵401，第一抽泵401的出料端通过输送管402与控温底座1的各个控温槽相连通，第一抽泵401能够将集中筒4内的冷却液输送至控温底座1内的各个控温槽内，从而能够对控温槽顶部的各个分隔槽301进行控温。
[0019]作为本技术的一种技术优化方案，如图3所示，留置式恒温处理组件5包括恒温箱501和回流管502，恒温箱501通过回流管502与控温底座1相连通，留置式恒温处理组件5还包括第二抽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MPCVD设备基片台，其特征在于：包括控温底座(1)、固定安装环(2)、旋转放置座(3)、集中筒(4)和留置式恒温处理组件(5)，所述固定安装环(2)焊接在所述控温底座(1)的顶部，所述控温底座(1)的中心位置处设置有驱动电机，所述旋转放置座(3)活动安装在所述固定安装环(2)内，且所述旋转放置座(3)与所述驱动电机的输出轴相连接，所述留置式恒温处理组件(5)与所述控温底座(1)相连通，所述集中筒(4)的顶部和底部分别与所述控温底座(1)和所述留置式恒温处理组件(5)相连通。2.根据权利要求1所述的一种MPCVD设备基片台，其特征在于：所述旋转放置座(3)内开设有分隔槽(301)，所述控温底座(1)内开设有与所述分隔槽(301)位置对应的控温槽。3.根据权利要求2所述的一种MPCVD设备基片台，其特征在于：所述控温槽位于所述分隔槽(301)的底部，所述旋转放置座(3)的底部设置有弹性密封垫。4.根据权利要求3所述的一种MPCVD设备基片台，其特征在于：所述集中筒(4)的顶部安装有第一抽泵(401)，所述第一抽泵(401)的出料端通过输送管(402)与所述控温...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凯，秦静，
申请(专利权)人：美若科技有限公司，
类型：新型
国别省市：