一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统技术方案

本实用新型专利技术公开了一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，涉及多晶硅设备技术领域，主要目的是提供一种能够提高三氯氢硅中二氯二氢硅的比例控制的准确度的一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统。本实用新型专利技术的主要技术方案为：一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，包括：存储部件；输送部件，第一管道的一端连接于三氯氢硅储罐，另一端连接于混合部件，第一控制部件设置在第一管道上，第二管道的一端连接于二氯二氢硅储罐，另一端连接于混合部件；浓度检测部件，输出管道的一端连接于混合部件，另一端连接于高压罐体，浓度检测器设置在输出管道上，浓度检测器连接于第一控制部件。本实用新型专利技术主要用于监测二氯二氢硅含量。二氯二氢硅含量。二氯二氢硅含量。

【技术实现步骤摘要】
一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统


[0001]本技术涉及多晶硅设备
，尤其涉及一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统。

技术介绍

[0002]改良西门子法多晶硅生产工艺中，进还原炉中的高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的比例控制对还原炉的多晶硅生产品质、生长速率、电耗控制有很大的影响，二氯二氢硅含量过高会造成还原炉内生成无定型硅，影响多晶硅品质。二氯二氢硅含量过低会影响多晶硅生长速率，增加电耗。随着多晶硅生产能耗、品质等越来越精细化的控制，进还原炉高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量越来越受到重视。
[0003]为了控制进还原炉高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量，现在的做法普遍是由质量部间断性取样检测分析，从取样分析到出结果一般1
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2小时，结果反馈到生产车间后，再通过调整冷氢化三氯氢硅精馏生产线(TCS≥99.99％)负荷和还原料精馏生产线(9％≤DCS≤12％)负荷的配比，控制进还原炉中的高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的比例5％(质量比)左右。
[0004]现有技术中因还原炉的前期、中期、后期因参数和反应速率的不同，出口二氯二氢硅中的浓度也不同，因此还原炉开炉数量与梯度不同会造成还原高纯TCS罐中二氯二氢硅中的浓度改变，进而影响送还原混合后的高纯TCS罐中二氯二氢硅的浓度，并且，再加上质量部间歇性取样，出检测结果1
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2小时相对滞后，不利于进还原炉高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的及时调节控制。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本技术实施例提供一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，主要目的是提供一种能够提高三氯氢硅中二氯二氢硅的比例控制的准确度的一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统。
[0006]为达到上述目的，本技术主要提供如下技术方案：
[0007]本技术实施例提供了一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，该系统包括：
[0008]存储部件，所述存储部件包括三氯氢硅储罐和二氯二氢硅储罐；
[0009]输送部件，所述输送部件包括第一管道、第二管道、第一控制部件、第二控制部件和混合部件，所述第一管道的一端连接于所述三氯氢硅储罐，另一端连接于所述混合部件，所述第一控制部件设置在所述第一管道上，所述第二管道的一端连接于所述二氯二氢硅储罐，另一端连接于所述混合部件，所述第二控制部件设置在所述第二管道上；
[0010]浓度检测部件，所述浓度检测部件包括输出管道和浓度检测器，所述输出管道的一端连接于所述混合部件，另一端连接于高压罐体，所述浓度检测器设置在所述输出管道上，所述浓度检测器连接于所述第一控制部件。
[0011]进一步的，所述第一控制部件包括第一泵体、第一阀门和第一流量计，所述第一流量计设置所述第一泵体和所述第一阀门之间，所述第一流量计信号连接于所述第一阀门和所述浓度检测器，所述第二控制部件包括第二泵体、第二阀门和第二流量计，所述第二流量计设置所述第二泵体和所述第二阀门之间，所述第二阀门信号连接于所述第二流量计。
[0012]进一步的，所述混合部件包括混合罐体、第一进料口、第二进料口、第一出料口和分隔组件，所述第一进料口设置所述混合罐体的一端，所述第一管道连接于所述第一进料口，所述第一出料口安装在所述混合罐体的另一端，所述输出管道连接于所述第一出料口，所述第二进料口设置在所述混合罐体的侧面，所述分隔组件设置在所述混合罐体内部。
[0013]进一步的，所述分隔组件包括多个第一折板和第二折板，所述第一折板设置在所述第二折板的两侧，所述第一折板设置在所述混合罐体的上部，所述第二折板设置在所述混合罐体的下部。
[0014]进一步的，所述第一折板和所述第二折板的表面为波纹表面。
[0015]进一步的，所述分隔组件包括输送管道和多个连通管道，所述输送管道的一端连接于所述第一进料口和所述第二进料口，另一端连接于所述第一出料口，多个连通管道贯穿所述输送管道。
[0016]进一步的，所述输送管道为弯折管道。
[0017]与现有技术相比，本技术具有如下技术效果：
[0018]本技术实施例提供的技术方案中，存储部件包括三氯氢硅储罐和二氯二氢硅储罐，三氯氢硅储罐用于装载和存储高纯三氯氢硅，二氯二氢硅储罐用于存储高纯二氯二氢硅；输送部件的作用是将三氯氢硅和二氯二氢硅按照一定的比例进行混合，输送部件包括第一管道、第二管道、第一控制部件、第二控制部件和混合部件，第一管道的一端连接于三氯氢硅储罐，另一端连接于混合部件，第一控制部件设置在第一管道上，第二管道的一端连接于二氯二氢硅储罐，另一端连接于混合部件，第二控制部件设置在第二管道上；浓度检测部件的作用是对混合后的混合气体进行浓度检测，浓度检测部件包括输出管道和浓度检测器，输出管道的一端连接于混合部件，另一端连接于高压罐体，浓度检测器设置在输出管道上，浓度检测器连接于第一控制部件，相对于现有技术，还原炉的前期、中期、后期因参数和反应速率的不同，出口二氯二氢硅中的浓度也不同，因此还原炉开炉数量与梯度不同会造成还原高纯TCS罐中二氯二氢硅中的浓度改变，进而影响送还原混合后的高纯TCS罐中二氯二氢硅的浓度，并且，再加上质量部间歇性取样，出检测结果
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小时相对滞后，不利于进还原炉高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的及时调节控制，本技术方案中，将高纯三氯氢硅通过第一管道和第一控制部件的流量控制使固定流量的三氯氢硅输送到混合部件中，同时将二氯二氢硅通过第二管道和第二控制部件的流量控制使固定流量的二氯二氢硅输送到混合部件中，混合部件将三氯氢硅和二氯二氢硅进行静态混合，混合后的混合气体通过浓度检测器，浓度检测器对混合气体的浓度进行实时检测，当混合气体的浓度数值大于预设的阈值时，浓度检测器向第一控制部件发送电信号，第一控制部件调整第一管道的输出流量，从而达到提高三氯氢硅中二氯二氢硅的比例控制的准确度的技术效果。
附图说明
[0019]图1为本技术实施例提供的一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统
的结构示意图；
[0020]图2为本技术实施例提供的第一种混合部件的结构示意图；
[0021]图3为本技术实施例提供的第二种混合部件的结构示意图。
具体实施方式
[0022]下面结合附图和实施例对本技术作进一步的详细说明。
[0023]如图1和图2所示，本技术实施例提供了一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，该系统包括：
[0024]存储部件，存储部件包括三氯氢硅储罐11和二氯二氢硅储罐12；
[0025]输送部件，输送部件包括第一管道21、第二管道22、第一控制部件、第二控制部件和混合部件25，第一管道21的一端连接于三氯氢硅储罐11，另一端连接于混合部件25，第一控制部件设置在第一管道21上，第二管道22的一端连接于二氯二氢硅储罐12，另一端连接于混合部件25，第二控制部件设置在第二管道22上；
[0026]浓度本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，其特征在于，包括：存储部件，所述存储部件包括三氯氢硅储罐和二氯二氢硅储罐；输送部件，所述输送部件包括第一管道、第二管道、第一控制部件、第二控制部件和混合部件，所述第一管道的一端连接于所述三氯氢硅储罐，另一端连接于所述混合部件，所述第一控制部件设置在所述第一管道上，所述第二管道的一端连接于所述二氯二氢硅储罐，另一端连接于所述混合部件，所述第二控制部件设置在所述第二管道上；浓度检测部件，所述浓度检测部件包括输出管道和浓度检测器，所述输出管道的一端连接于所述混合部件，另一端连接于高压罐体，所述浓度检测器设置在所述输出管道上，所述浓度检测器连接于所述第一控制部件。2.根据权利要求1所述的一种控制高纯三氯氢硅中二氯二氢硅含量的系统，其特征在于，所述第一控制部件包括第一泵体、第一阀门和第一流量计，所述第一流量计设置所述第一泵体和所述第一阀门之间，所述第一流量计信号连接于所述第一阀门和所述浓度检测器，所述第二控制部件包括第二泵体、第二阀门和第二流量计，所述第二流量计设置所述第二泵体和所述第二阀门之间，所述第二阀门信号连接于所述第二流量计。3.根据权利要求2所述的一种控制高纯三氯氢硅中二氯...

【专利技术属性】
技术研发人员：牛刚，刘华鹏，刘飞，李鹏，
申请(专利权)人：新疆大全新能源股份有限公司，
类型：新型
国别省市：