三氯氢硅的提纯方法及多晶硅技术

本发明专利技术公开了一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅，将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。该方法不仅生产效率高，成本低，并且可以显著提高三氯氢硅提纯率，最终可得到高纯多晶硅产品。最终可得到高纯多晶硅产品。最终可得到高纯多晶硅产品。

【技术实现步骤摘要】
三氯氢硅的提纯方法及多晶硅


[0001]本专利技术属于多晶硅
，具体涉及一种三氯氢硅的提纯方法及多晶硅。

技术介绍

[0002]电子级多晶硅通常采用改良西门子工艺，三氯氢硅是其主要原料，其纯度很大程度上决定了多晶硅产品的纯度，对三氯氢硅的提纯是整个工艺体系较为核心的环节。三氯氢硅提纯的主流技术是多级精馏，辅以适当的吸附，但是其对于与三氯氢硅沸点较为接近的杂质，在痕量提纯的阶段效果并不好，但这往往关系到多晶硅是否能达到12寸晶圆等高等级产品的使用需求。
[0003]对于多晶硅而言，碳杂质含量是一个非常关键的指标，其来源主要是三氯氢硅中含有的有机物，有机物的组成有较多种类，其中较难除去的为二甲基氯硅烷，常用的针对性工艺有吸附、反应精馏等。但是吸附的问题在于对1ppb以下的杂质吸附效率不佳，反应精馏则在于反应速度过慢，反应器或反应精馏塔需要匹配特别大的规格，设备投资的经济性不佳。

技术实现思路

[0004]本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
[0005]在本专利技术的第一个方面，本专利技本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种三氯氢硅的提纯方法，其特征在于，包括：将三氯氢硅混料通入反应器中，所述三氯氢硅混料包括三氯氢硅和杂质，所述杂质包括二甲基氯硅烷和甲基二氯硅烷中的至少之一，所述反应器中放置有催化剂；将反应器加热至反应温度反应预定时间，使得所述二甲基氯硅烷和/或所述甲基二氯硅烷转化为三甲基氯硅烷，得到反应产物；对所述反应产物进行精馏处理，将所述三甲基氯硅烷去除，得到所述三氯氢硅。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，利用微波加热对所述反应器加热。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应温度为40～60℃。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述反应器内的压力为1～3barg。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂为金属负载型分子筛催化剂。6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锋，张正阳，吴冬，赵春梅，田新，蒋文武，徐玲锋，袁北京，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：