一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉制造技术

技术编号:37690943 阅读:51 留言:0更新日期:2023-05-28 09:49
本实用新型专利技术涉及三氯氢硅合成技术领域,具体公开了一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,包括:合成炉,合成炉内部设置有控温板,合成炉一端设置有电机,电机一端设置转轴,转轴表面套设有支撑架;有益效果为:本实用新型专利技术提出的一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,使用时启动电机,带动支撑架旋转,然后从下料管将硅粉投入,硅粉落入旋转的支撑架内,支撑架旋转的离心力使硅粉利用网板将其均匀的投放合成炉内部进行反应,在利用控温板对合成炉内部温度进行控制,总体设计避免了现有的合成炉在使用时,通过下料管直接向炉体内投入硅粉,导致投入炉体内的硅粉易堆积在一处,使得反应不充分,而且合成炉内部温度无法实时观察调控的问题。调控的问题。调控的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉


[0001]本技术涉及三氯氢硅合成
,具体为一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉。

技术介绍

[0002]三氯氢硅是一种无机物,为无色液体,极易挥发,溶于苯、醚等多数有机溶剂,性质稳定,主要用于有机硅烷和烷基、芳基以及有机官能团氯硅烷的合成,是有机硅烷偶联剂中最基本的单体,也是生产半导体硅、单晶硅的原料。
[0003]现有技术中,三氯氢硅的合成过程通常是使硅粉和干燥的氯化氢气体在合成炉内进行反应,反应生成三氯氢硅及四氯化硅、二氯二氢硅等副产物。
[0004]但是,现有的合成炉在使用时,通过下料管直接向炉体内投入硅粉,导致投入炉体内的硅粉易堆积在一处,不仅影响了硅粉与氯化氢气体的接触面积,使得反应不充分,而且产生的副产物较多,而且合成炉内部温度无法实时观察调控。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0006]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,其特征在于:所述带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉包括:合成炉(1),合成炉(1)底部设置有底座(2),合成炉(1)侧面设置有温度调控机(3),合成炉(1)内表面设置有控温板(4),合成炉(1)表面设置有盖体(5),盖体(5)表面设置有下料管(6),盖体(5)表面开设有通孔(7);轴承(8),轴承(8)设置在通孔(7)内,轴承(8)表面设置有密封板(9),轴承(8)内设置有转轴(10),转轴(10)一端设置有电机(11),电机(11)下表面设置有支架(12),转轴(10)一端套设有支撑架(13),支撑架(13)内部设置有网板(14)。2.根据权利要求1所述的一种带有温度调控功能的三氯氢硅合成炉,其特征在于:所述网板(14)呈环形板状结构,网板(14)利...

【专利技术属性】
技术研发人员:陈鹏飞肖锋王哲斌尚艳军
申请(专利权)人:河南尚宇新能源股份有限公司
类型:新型
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1