四氯化硅氢化处理方法技术

本发明专利技术公开了一种四氯化硅氢化处理方法。根据本发明专利技术的实施例，四氯化硅氢化处理方法包括：以四氯化硅、硅粉、氢气为原料，对四氯化硅进行冷氢化处理，采用具有磁性的镍基合金作为催化剂，所述冷氢化处理在流化床中进行，增加外置磁场，使所述冷氢化处理过程中所述流化床处的磁场强度为15kA/m～40kA/m。由此，通过选用具有磁性的镍基合金作为催化剂，并使流化床处于强度合适的磁场中，在磁场作用下，催化剂会向下运动，抑制催化剂向上的运动，使得流化床的上部和下部均具有适量的催化剂，促进四氯化硅氢化反应充分进行，从而可以至少在一定程度上减少催化剂被气相产物带出流化床的量，进而可以降低气相产物中杂质的含量，有利于提高产物三氯氢硅的纯度。产物三氯氢硅的纯度。

【技术实现步骤摘要】
四氯化硅氢化处理方法


[0001]本专利技术涉及电子级多晶硅生产
，具体地，涉及四氯化硅氢化处理方法。

技术介绍

[0002]电子级多晶硅通常采用改良西门子工艺制备，其还原工序会副产大量的四氯化硅，生产1吨的多晶硅产品副产四氯化硅的质量为14吨至17吨，需要对大量的副产物四氯化硅进行处理，通常的解决思路是利用氢化工艺将其转化为三氯氢硅，三氯氢硅可以作为原料再次提纯循环使用。最初的氢化工艺为热氢化，即通过氢化炉将四氯化硅与氢气转化为三氯氢硅，其优点是较为洁净，产出的三氯氢硅杂质较少，设备运行与维护较为方便，但是其转化率较低、电耗较高，其整体运行成本较高。随着冷氢化工艺的发展，在改良西门子工艺中逐渐取代热氢化工艺，其优点在于转化率高、电耗低、单体规模大，但是其使用流化床将硅粉、氢气与四氯化硅转化为三氯氢硅，生产过程中杂质(例如催化剂)较容易进入系统，对后续三氯氢硅的提纯提出了更苛刻的要求，对于高纯电子级多晶硅的生产是不利的。
[0003]因此，目前的四氯化硅氢化处理方法仍有待改进。

技术实现思路

[0004]本专利技术本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四氯化硅氢化处理方法，其特征在于，包括：以四氯化硅、硅粉、氢气为原料，对四氯化硅进行冷氢化处理，采用具有磁性的镍基合金作为催化剂，所述冷氢化处理在流化床中进行，增加外置磁场，使所述冷氢化处理过程中所述流化床处的磁场强度为15kA/m～40kA/m。2.根据权利要求1所述的四氯化硅氢化处理方法，其特征在于，所述外置磁场是通过在所述流化床外设置线圈并对线圈通电形成的。3.根据权利要求1所述的四氯化硅氢化处理方法，其特征在于，所述镍基合金中除主元素镍外，还包括硼元素、铁元素、钴元素、磷元素和铜元素中的至少之一。4.根据权利要求1所述的四氯化硅氢化处理方法，其特征在于，所述镍基合金包括镍元素、硼元素、铁元素、钴元素和铜元素，基于所述镍基合金的总质量，镍元素的质量含量为85％～...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴锋，马一雷，田新，蒋文武，
申请(专利权)人：江苏鑫华半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：