电容式真空规的膜片及其电容式真空规制造技术

本发明专利技术提供一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规，包括膜片层、抗刻蚀层和导电层，膜片层用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间，所述膜片层的材质为石英材质；抗刻蚀层设置在所述膜片层远离固定电极的一端；导电层设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端，用于与真空规的电极柱电连接。通过石英材质制作的膜片层作为隔膜，并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层，有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性，并提高了膜片的应力次数，从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点，有效降低了真空规的成本。有效降低了真空规的成本。有效降低了真空规的成本。

【技术实现步骤摘要】
电容式真空规的膜片及其电容式真空规


[0001]本专利技术涉及真空规
，尤其涉及一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规。

技术介绍

[0002]真空规可用于检测气体或者液体的压力，实际使用过程中，会涉及到硫酸、硝酸、氢氯酸、氢溴酸、氢碘酸、高氯酸，氢氧化钠，二氧化硫、三氧化硫、二氧化氮等具有刻蚀性的物质，它们会造成真空规的测量隔膜被腐蚀掉，从而降低真空规的灵敏度，导致真空规失效，因此真空规具有抗刻蚀十分重要。目前的薄膜真空规管薄膜主要使用金属薄片，但是金属薄片应力比较低，容易产生机械疲劳，并且易被腐蚀。
[0003]在现有技术中，在专利(CN 107843385 A)中，采用三氧化二铝薄膜作为真空规管薄膜，能够极大提高薄膜的应力次数；三氧化二铝薄膜的表面镀金，可以有效地保证薄膜无漏气、无放气，外壳的材料为哈氏合金、镍铜合金，具有很好的耐蚀性能，能应用于苛刻的腐蚀环境中。但是，由于三氧化二铝的杨氏模量为370GPa，比常用的金属膜的杨氏模量大，在实际应用中，膜应变小，测试精度低，实际上是牺牲精度换取耐刻蚀性，况且，对三氧化二铝薄膜镀金，只能提高一定的耐刻蚀性，但是由于金能够被HF(氢氟酸)刻蚀，从而限制了实际应用。
[0004]在专利(CN 107976279 A)中，通过预先设置前级腔室，在前级腔室中设置前级隔膜，前级隔膜与测量隔膜之间形成压力传导腔，压力传导腔内填充有压力传导液。即使腐蚀性气体或高温气体造成前级隔膜损坏，位于前级腔室中也便于前级隔膜更换，不会影响到真空规隔膜。但是，采用牺牲前级隔膜保护真空规隔膜的方式，增加了工艺的复杂性，并增大了成本。
[0005]在专利(CN 107845459 A)中，采用蓝宝石材料的薄膜片作为可变电极，具有应力次数高和耐腐蚀的优点，但是采用蓝宝石材料制作薄膜片，增大了成本。

技术实现思路

[0006]本专利技术提供一种电容式真空规的膜片及其电容式真空规，用以解决现有技术中现有技术中真空规的隔膜应变小或抗刻蚀性差或成本高的缺陷，通过石英材质制作的膜片层作为隔膜，并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层，有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性，并提高了膜片的应力次数，从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点，从而有效降低了真空规的成本。
[0007]本专利技术提供一种电容式真空规的膜片，包括：
[0008]膜片层，用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间，所述膜片层的材质为石英材质；
[0009]抗刻蚀层，设置在所述膜片层远离固定电极的一端；
[0010]导电层，设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端，用于与真空规的电极柱电
连接。
[0011]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述抗刻蚀层质量比所述导电层的质量小5％，且所述抗刻蚀层的厚度小于所述膜片层的厚度。
[0012]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述膜片层、所述抗刻蚀层和所述导电层的横截面形状和尺寸相一致。
[0013]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述抗刻蚀层的材质为Y2O3、Al2O3、YF2、Er2O3、Gd2O、RuO2、Tr2O3、Zr2O3、AlN、SiC、Si2N3、呋喃粉、金属、合金和不锈钢中的一种或多种。
[0014]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述导电层的材质为金属或导电浆料。
[0015]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述抗刻蚀层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。
[0016]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述导电层溅射或热熔或烧结或焊接在所述膜片层上。
[0017]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述膜片层的表面粗糙度小于或等于10μm。
[0018]根据本专利技术提供的一种电容式真空规的膜片，所述膜片层的弓高小于或等于10mm。
[0019]本专利技术还提供一种电容式真空规，包括隔膜，所述隔膜为如上述任意一项所述的电容式真空规的膜片。
[0020]本专利技术提供的电容式真空规的膜片及其电容式真空规，通过石英材质制作的膜片层作为隔膜，并在膜片层位于被测空间的一端设置抗刻蚀层，有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性，并提高了膜片的应力次数，从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点，有效降低了真空规的成本。
附图说明
[0021]为了更清楚地说明本专利技术或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0022]图1是本专利技术提供的电容式真空规的膜片的结构示意图。
[0023]附图标记：
[0024]1：膜片层；2：抗刻蚀层；3：导电层。
具体实施方式
[0025]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术中的附图，对本专利技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0026]下面结合图1描述本专利技术的电容式真空规的膜片及其电容式真空规。
[0027]如图1所示，本专利技术提供了一种电容式真空规的膜片，包括膜片层1、抗刻蚀层2和导电层3。
[0028]其中，膜片层1用于将真空规的内部空间分隔为真空空间和被测空间，并且，膜片层1的材质可以为石英材质，采用石英材质制作的膜片层1平整，测试结果准确，在测试过程中，测试结果精度高，膜片层1经过长时间变形，恢复后，膜片层1依旧能保证自身平整，不易变形，由石英膜片作为隔膜制备的真空规精度高，稳定性好，且石英材料耐酸耐碱，从而能够提高隔膜的抗刻蚀性，并且降低了隔膜的成本。
[0029]导电层3设置在膜片层1靠近固定电极的一端，并用于与真空规的电极柱电连接，以使导电层3与固定电极一起构成电容器；抗刻蚀层2设置在膜片层1远离固定电极的一端，即抗刻蚀层2位于被测空间内，以避免膜片层1被被测空气或被测液体腐蚀或刻蚀，从而提高膜片的抗刻蚀性。
[0030]这里，固定电极为电容式真空规的固定电极。
[0031]如此设置，通过石英材质制作的膜片层1作为隔膜，并在膜片层1位于被测空间的一端设置抗刻蚀层2，有效地提高了真空规的抗刻蚀性或防腐蚀性，并提高了膜片的应力次数，从而使真空规具有精度高、抗刻蚀性、寿命长、可重复使用、稳定性好及其实际应用广的特点，有效降低了真空规的成本。
[0032]在本专利技术的可选实施例中，抗刻蚀层2的质量可以比导电层3的质量小5％，以降低该膜片的应力。
[0033]并且，抗刻蚀层2的厚度小于膜片层1的厚度，这样，进一步地降低了膜片的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电容式真空规的膜片，其特征在于，包括：膜片层，用于将真空规的内部空间分为真空空间和被测空间，所述膜片层的材质为石英材质；抗刻蚀层，设置在所述膜片层远离固定电极的一端；导电层，设置在所述膜片层靠近所述固定电极的一端，用于与真空规的电极柱电连接。2.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片，其特征在于，所述抗刻蚀层的质量比所述导电层的质量小5％，且所述抗刻蚀层的厚度小于所述膜片层的厚度。3.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片，其特征在于，所述膜片层、所述抗刻蚀层和所述导电层的横截面形状和尺寸相一致。4.根据权利要求1所述的电容式真空规的膜片，其特征在于，所述抗刻蚀层的材质为Y2O3、Al2O3、YF2、Er2O3、Gd2O、RuO2、Tr2O3、Zr2O3、AlN、SiC、S...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹文静，林立男，姜浩延，张琳琳，陶硕，廖兴才，
申请(专利权)人：北京晨晶电子有限公司，
类型：发明
国别省市：