薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔内真空度的方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔真空度的方法，所述薄膜真空计应用于等离子体处理设备中等离子体处理设备包括反应腔；包括：由外壳围成的空腔，空腔中设置有测量压力的薄膜；与空腔连通的气体通路，气体通路可以与反应腔气密连通；反应腔内部的气体通过气体通路进入空腔，用于测量所述反应腔内的气压；气体通路吸收从其内通过的气体中的氟离子，防止薄膜真空计中的膜片变性，保证了薄膜真空计零点的稳定性，及提高了反应腔内真空度测量的准确度。腔内真空度测量的准确度。腔内真空度测量的准确度。

【技术实现步骤摘要】
薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔内真空度的方法


[0001]本专利技术涉及等离子体处理
，特别涉及一种薄膜真空计、等离子体处理设备及测量反应腔真空度的方法。

技术介绍

[0002]在工业生产中真空已广泛地应用于冶金、化工、航天、原子能加速器、半导体及电真空制造中，所以真空测量也必不可少。近年来随着电子技术的发展，已可测量微小电容的变化，因此电容式薄膜真空计(Capacitor Diaphragm Gauge)得到了飞速发展。
[0003]电容式薄膜真空计是根据弹性的检测膜片在压差作用下产生应变而引起电容变化的原理制成的，其主要由电容式薄膜规(又称电容式绝压变送器)和测量仪器两部分组成。电容式薄膜真空计与其他低真空测量仪器相比具有如下特点：1、是全压强测量，与被测气体的种类无关，其灵敏度对各种气体、蒸汽是相同的。2、动态响应时间快。3、测最范围宽。4、可以实现压力的远距离测量和控制。其输出电信号可接上百米的电缆以实现真空系统的远距离测量。
[0004]对于应用到ICP机台中的电容式薄膜真空计，现有技术中，ICP机台使本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜真空计，其特征在于，其应用于等离子体处理设备中，所述等离子体处理设备包括反应腔；所述薄膜真空计包括：由外壳围成的空腔，所述空腔中设置有测量压力的薄膜；与所述空腔连通的气体通路，所述气体通路与所述反应腔气密连通；所述反应腔内部的气体通过所述气体通路进入所述空腔，用于测量所述反应腔内部的气压；所述气体通路吸收从其内通过的气体中的氟离子。2.如权利要求1所述的薄膜真空计，其特征在于，所述外壳从所述空腔向外延伸出一入口，所述气体通路包括所述入口的内部，所述气体通路中设置有一气塞，用于增大所述气体通路内通过的单位气体与所述气体通路的内壁的接触面积。3.如权利要求2所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气体通路包括：所述气塞位于所述入口的内部，所述气塞的外壁与所述入口的内壁之间形成的缝隙。4.如权利要求2所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气体通路包括：分布在所述气塞上的若干个通孔。5.如权利要求4所述的薄膜真空计，其特征在于，所述通孔成螺旋状围绕所述气塞。6.如权利要求2所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气塞采用硅和/或碳化硅材料制备。7.如权利要求1所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气体通路的至少部分表面涂覆有涂层，所述涂层用于吸收朝所述空腔内部传输的氟离子。8.如权利要求7所述的薄膜真空计，其特征在于，所述涂层采用硅和/或碳化硅材料制备。9.如权利要求4所述的薄膜真空计，其特征在于，每一所述通孔的孔径小于或等于2mm。10.如权利要求2所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气塞的长度小于或等于所述入口的长度。11.如权利要求10所述的薄膜真空计，其特征在于，所述气塞的长度范围为小于或等于6...

【专利技术属性】
技术研发人员：连增迪，左涛涛，吴狄，
申请(专利权)人：中微半导体设备上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：