一种宽量程的薄膜真空计制造技术

本发明专利技术公开了一种宽量程的薄膜真空计，包括壳体，所述壳体内设置检测电极，所述检测电极将壳体内部分为检测腔室和真空腔室，所述检测腔室连接进气管，所述真空腔室连接抽气管；所述真空腔室内设置压阻元件，所述压阻元件与所述检测电极相对平行设置，所述压阻元件上与检测电极相对的一面镀设有固定电极，所述压阻元件上集成有四个等值电阻，并联接为惠斯通电桥；所述固定电极和惠斯通电桥分别通过引出线引出真空腔室，并连接外部测试电路。本发明专利技术所公开的薄膜真空计能够实现中低真空范围内的测量，保留真空计在中真空范围内的高灵敏度，并有效地拓宽了电容薄膜真空计的量程。并有效地拓宽了电容薄膜真空计的量程。并有效地拓宽了电容薄膜真空计的量程。

【技术实现步骤摘要】
一种宽量程的薄膜真空计


[0001]本专利技术涉及真空计
，特别涉及一种宽量程的薄膜真空计。

技术介绍

[0002]随着科学技术的不断进步，许多高
需要极高的真空环境。尤其在半导体制造领域，许多工艺步骤需要在高真空度下进行，比如刻蚀，沉积等工艺。薄膜真空计是利用弹性薄膜在压力差作用下产生弹性变形的原理而制成的一种直接测量真空计，可以在压力为1～105Pa的范围内进行中低真空压力测量。
[0003]根据变形量与电信号间的变送方式不同可分为压电式、压阻式和电容式等。其中，压阻式薄膜真空计利用半导体材料的压阻效应，通过位于敏感薄膜上的压敏电阻互联形成惠斯通电桥，将真空环境压力转换为电信号从而实现对低真空压力的测量。电容式薄膜真空计利用压力作用下，金属薄膜发生形变，从而引起金属薄膜与固定电极组成的敏感电容器的电容发生变化，通过外围电路读出电容变化以测量外界真空压力。
[0004]现有的电容式薄膜真空计为了获得较高的灵敏度和较大的电容量，真空计会采用极小的薄膜厚度和电容间距，因此限制了电容真空计对几个kPa的低真空的测量；压阻本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种宽量程的薄膜真空计，其特征在于，包括壳体，所述壳体内设置检测电极，所述检测电极将壳体内部分为检测腔室和真空腔室，所述检测腔室连接进气管，所述真空腔室连接抽气管；所述真空腔室内设置压阻元件，所述压阻元件与所述检测电极相对平行设置，所述压阻元件上与检测电极相对的一面镀设有固定电极，所述压阻元件上集成有四个等值电阻，并联接为惠斯通电桥；所述固定电极和惠斯通电桥分别通过引出线引出真空腔室，并连接外部测试电路。2.根据权利要求1所述的一种宽量程的薄膜真空计，其特征在于，所述检测电极采用镍基合金、不锈钢或磷青铜制成。3.根据权利要求1所述的一种宽量程的薄膜真空计，其特征在于，所述压阻元件为硅片薄膜，利用集成电路的扩散工艺将四个等值电阻集成在硅片薄膜上。4.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：林玉哲，陈公贤，周同金，陶继方，
申请(专利权)人：山东大学，
类型：发明
国别省市：