一种双面铜产品通孔的加工方法技术

本发明专利技术提供了一种双面铜产品通孔的加工方法，包括以下步骤：提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。本发明专利技术的双面铜产品通孔的加工方法将等离子处理步骤分为三步进行，保证除残胶速度，提高通孔内清洁度，避免出现孔铜角裂不良。避免出现孔铜角裂不良。避免出现孔铜角裂不良。

【技术实现步骤摘要】
一种双面铜产品通孔的加工方法


[0001]本专利技术属于线路板加工
，尤其涉及一种双面铜产品通孔的加工方法。

技术介绍

[0002]FPC、PCB板双面铜产品的生产工艺流程中，会涉及到对孔的加工，在现有工艺中，孔的加工步骤为：卷料下料
→
镭射通孔
→
AOI裁切片料
→
线路布建
→
镀孔铜；但在对下料的卷料镭射通孔的步骤中，孔内会残留有碳粉、残胶类异物，在镀孔铜后切片检测会发现孔铜有角裂不良的情况，且切片异常位置多分布在孔转角位置，不良率高达5％，不经切片检验，检出率低，使得后期的客户端产品存在短路风险，造成损失。因此，如何改进孔的加工工艺，使其内无碳粉、残胶类异物残留，改善孔铜分离角裂不良的状况，因此工艺进行改进：卷料下料
→
镭射通孔
→
AOI裁切片料
→
等离子处理
→
线路布建
→
镀孔铜，但等离子处理中，由于参数控制问题，仍会出现除胶速率低、通孔内清洁度达不到预设值，后期仍会出现孔铜角裂不良的情况。因此，仍需对FPC、PCB板双面铜产品的生产工艺流程进行改进。

技术实现思路

[0003]鉴于上述现有线路板加工技术中存在的问题，本专利技术的主要目的在于提供一种双面铜产品通孔的加工方法，将等离子处理步骤分为三步进行，保证除残胶速度，提高通孔内清洁度，避免出现孔铜角裂不良。
[0004]本专利技术的目的通过如下技术方案得以实现：
>[0005]本专利技术提供一种双面铜产品通孔的加工方法，包括以下步骤：
[0006]提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；
[0007]对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；
[0008]将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；
[0009]将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：
[0010]S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；
[0011]S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；
[0012]S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。
[0013]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，所述真空腔室的真空度为25PA，所述真空腔室的温度为30℃。
[0014]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，等离子处理过程的射频功率为5000W～5500W。
[0015]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气”中，所述氮气和氩气的射频功率均为5000W，所述氮气和氩气的预设流速均为300SCCM。
[0016]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳”中，所述氧气和四氟化碳的射频功率均为5500W；所述氧气的预设流
速为400SCCM，所述四氟化碳的预设流速为200SCCM。
[0017]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气”中，所述氧气的射频功率为5000W，所述氧气的预设流速为600SCCM。
[0018]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”后，还包括以下步骤：
[0019]在所述预设片料上布建线路，所述线路经过所述通孔；
[0020]对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化。
[0021]作为上述技术方案的进一步描述，在步骤“对所述通孔镀铜，使所述通孔实现金属化”中，采用通孔镀铜技术对所述通孔电镀上铜。
[0022]借由以上的技术方案，本专利技术的突出效果为：
[0023]本专利技术所提供的双面铜产品通孔的加工方法中，等离子处理中所使用的真空腔室的真空度和温度恒定为等离子处理过程提供了稳定的预设条件，对预设片料的等离子处理分为三步控制用于等离子处理的各气体的射频功率和流速，在第一步骤中快速去除预设片料上的有机物，在第二步骤中再去除残胶和孔内残渣，两次清洁，有机物和无机物分开去除，保证了通孔内清洁度达到预设值，使得后续镀铜和通孔粘结性强，不会发生角裂不良；同时在第三步骤中利用氧气进行了气体交换，无高浓度四氟化碳气体在预设片料出真空腔室时逸散，保证了后续作业人员的人身安全。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025]图1为本专利技术实施例中双面铜产品通孔的加工方法的流程示意图；
[0026]图2为现有技术中双面铜产品通孔镀铜后出现角裂不良的实际切片示意图；
[0027]图3为本专利技术实施例中双面铜产品通孔镀铜后的实际切片示意图。
[0028]附图标记：
[0029]1、预设片料；2、通孔；3、孔铜；4、角裂不良。
具体实施方式
[0030]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0031]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“上”、“中”、“下”、“内”、“外”、“前”、“后”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。对于本领域的普通技术人员而言，可
以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。下面根据本专利技术的整体结构，对其实施方式进行说明。
[0032]请参阅图1至图3，本专利技术公开了一种双面铜产品通孔2的加工方法，包括以下步骤：
[0033]提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔2；
[0034]对镭射有所述通孔2的所述双面基材进行AOI自动光学检测；
[0035]将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料1；
[0036]将所述预设片料1送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：
[0037]S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；
[0038]S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，包括以下步骤：提供双面基材，沿所述双面基材的厚度方向镭射通孔；对镭射有所述通孔的所述双面基材进行AOI自动光学检测；将通过AOI自动光学检测的所述双面基材裁切成预设片料；将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理，包括以下步骤：S1、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氮气和氩气，持续时间为3min；S2、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气和四氟化碳，持续时间为20min；S3、以预设流速向所述真空腔室内持续通入氧气，持续时间为5min。2.根据权利要求1所述的双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，所述真空腔室的真空度为25PA，所述真空腔室的温度为30℃。3.根据权利要求1所述的双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，在步骤“将所述预设片料送入真空腔室进行等离子处理”中，等离子处理过程的射频功率为5000W～5500W。4.根据权利要求3所述的双面铜产品通孔的加工方法，其特征在于，在步骤“S1、以预设流速向所述真空腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：皇甫铭，鲜运贵，
申请(专利权)人：福莱盈电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：