一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法技术

本发明专利技术提供一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，涉及电流源技术领域。该一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，包括电磁屏蔽系统和电流产生模块，所述电流产生模块包括电流启动模块，所述电流启动模块通过线性电源控制镜像电流模块，所述镜像电流模块控制总电流，所述总电流包括第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元均通过电阻控温模块进行电阻补偿。通过控温机构对电阻进行降温，减少电阻的热量，提高整个电路的使用寿命，同时整个电路通过线性电源启动，以及整个电路被电磁屏蔽包裹和每个支路的滤波器使用，使得每个支路的电流更加的平稳。支路的电流更加的平稳。支路的电流更加的平稳。

【技术实现步骤摘要】
一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法


[0001]本专利技术涉及电流源
，具体为一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法。

技术介绍

[0002]在跨导放大器及运算放大器等常用模拟集成电路中，基准电流源是很重要的组成部分。基站电流源可以为模拟集成电路中的其它其他电路提供偏置电流，在实际应用中，需要尽量避免基准电流源中出现电流不匹配的情况，以使得基准电流源的输出电流保持稳定，由此才能后满足对基准电流源灵敏度特性的要求。
[0003]然而现如今的基准电路电流源的分支电路稳定性不足，尤其针对电阻热量的更改较为麻烦，热量过高及其影响使用寿命，同时针对整个的电路的噪声去除不够彻底，就会导致整个电路以及各个支路的电流稳定性变差。因此，本领域技术人员提供了一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

技术实现思路

[0004](一)解决的技术问题
[0005]针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，能够利用控温机构对电阻进行降温，减少电阻的热量，提高整个电路的使用寿命，同时整个电路通过线性电源启动，以及整个电路被电磁屏蔽包裹和每个支路的滤波器使用，使得每个支路的电流更加的平稳，解决了现有技术中的基准电路电流源寿命偏低以及电路不稳定的问题。
[0006](二)技术方案
[0007]为实现以上目的，本专利技术通过以下技术方案予以实现：一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，包括电磁屏蔽系统和电流产生模块，所述电流产生模块包括电流启动模块，所述电流启动模块通过线性电源控制镜像电流模块，所述镜像电流模块控制总电流，所述总电流包括第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元均通过电阻控温模块进行电阻补偿，其中所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元分别包括第一偏置电流、第二偏置电流和第三偏置电流，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元分别通过第一补偿模块、第二补偿模块和第三补偿模块进行电阻补偿修正，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元电路上分别设置有第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元均通过上述补偿机构分别形成第一电路、第二电路和第三电路；
[0008]所述电阻温控模块包括智能控温机构，所述智能控温机构包括中央处理器、数据分析模块、温度采样单元、数据储存模块和补偿修正储存模块，所述温度采样单元根据每个支路单元所需要的温度更改进行补偿修正，所述补偿修正储存模块主要根据每个支路单元所需要的温度补偿修正后进行数据记录，同时根据每个支路单元所需要的温度补偿修正后进行数据对比，为后期提供更改数据提供较合适的数据进行修正。
[0009]通过上述技术方案，确定整个支路的组成，以及对整个支路的电阻进行控温，同时确定了控温机构的整个操作流程，对电阻控温后的数据进行采样、分析以及储存。
[0010]优选的，所述电磁屏蔽系统包括干扰发生设备，所述干扰发生设备包括电磁信号控制模块、电磁干扰模块和电磁敏感模块，其中所述电磁敏感模块通过电磁敏感的数据更改进行电磁信号控制；
[0011]通过上述技术方案，通过电磁屏蔽系统将整个电路进行包裹。
[0012]优选的，所述线性电源抑制噪声源，选择噪声性能好的器件，将开关电源改为线性电源，做好电源去耦；
[0013]通过上述技术方案，利用线性电源去抑制噪声源，实现电源去耦的目的。
[0014]优选的，所述电磁屏蔽系统阻断路径，采用电磁屏蔽技术，布线要防止噪声耦合进信号；
[0015]通过上述技术方案，利用电磁屏蔽系统可以阻断外界的电磁信号。
[0016]优选的，所述滤波器提高电路本身的噪声性能，使用滤波器放大信号的频率和带宽，减小噪声带宽；
[0017]通过上述技术方案，通过每个支路分配的滤波器可以对每个支路的频率和带宽的信号放大，减小噪声带宽。
[0018]工作原理：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法操控流程如下：
[0019]S1：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法在进行操作时，将整个设备处在一个电磁屏蔽空间内进行操作，通过自带的干扰发生设备对电磁进行干扰，期间某个支路在产生电磁干扰敏感时，通过电磁信号控制模块来去除电磁干扰所受到的敏感；
[0020]S2：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法在电源启动时将开关电源更改为线性电源，为后续的电源去耦；
[0021]S3：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法通过将电源统一至总电流再分别将电流分为第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元；
[0022]S4：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法通过分为的第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元利用电阻控温模块进行电阻控温，降低电阻的热量，期间通过原先配备的智能控温机构进行使用，根据数据的分析对温度的改变进行采样，再对每个支路单元所需要的温度更改进行补偿修正，同时再对补偿修正的温度数据进行储存；
[0023]S5：该用于一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法通过支路形成的偏置电流通过补偿模块进行电阻补偿，同时通过滤波器放大信号的频率和带宽，减小噪声带宽，以便于分支电路的电流能够运行平稳定。
[0024](三)有益效果
[0025]本专利技术提供了一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法。具备以下有益效果：
[0026]1、本专利技术提供了一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，相比现有基准电路电流源，该基准电路电流源利用电阻控温机构对每个支路的电阻进行降温，减少电阻的热量，同时再利用补偿模块对电阻进行补偿，使其达到合适的电阻值，以便于每个支路都能够达到合适的电阻，提高了整个基准电路电流源的使用寿命。
[0027]2、本专利技术提供了一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，相比现有基准电路电流源，该基准电路电流源通过在外设置电磁屏蔽端，可以阻断路径，采用电磁屏蔽技术，布
线要防止噪声耦合进信号，以及电源使用线性电源启动可以抑制噪声源，选择噪声性能好的器件，将开关电源改为线性电源，做好电源去耦，同时在每个支路增加滤波器来提高电路本身的噪声性能，使用滤波器放大信号的频率和带宽，减小噪声带宽。
附图说明
[0028]图1为本专利技术一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法的系统流程图；
[0029]图2为本专利技术一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法支路电阻控温系统流程图；
[0030]图3为本专利技术一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法电阻控温机构的系统流程图；
[0031]图4为本专利技术一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法电磁屏蔽系统的系统流程图。
具体实施方式
[0032]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，包括电磁屏蔽系统和电流产生模块，其特征在于：所述电流产生模块包括电流启动模块，所述电流启动模块通过线性电源控制镜像电流模块，所述镜像电流模块控制总电流，所述总电流包括第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元均通过电阻控温模块进行电阻补偿，其中所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元分别包括第一偏置电流、第二偏置电流和第三偏置电流，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元分别通过第一补偿模块、第二补偿模块和第三补偿模块进行电阻补偿修正，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元电路上分别设置有第一滤波器、第二滤波器和第三滤波器，所述第一支路单元、第二支路单元和第三支路单元均通过上述补偿机构分别形成第一电路、第二电路和第三电路；所述电阻温控模块包括智能控温机构，所述智能控温机构包括中央处理器、数据分析模块、温度采样单元、数据储存模块和补偿修正储存模块，所述温度采样单元根据每个支路单元所需要的温度更改进行补偿修正，所述补偿修正储存模块主要根据每个支路单元所需要的温度补偿修正后进行数据记录，同时根据每个支路单元所需要的温度补偿修正后进行数据对比，为后期提供更改数据提供较合适的数据进行修正。2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，其特征在于：所述电磁屏蔽系统包括干扰发生设备，所述干扰发生设备包括电磁信号控制模块、电磁干扰模块和电磁敏感模块，其中所述电磁敏感模块通过电磁敏感的数据更改进行电磁信号控制。3.根据权利要求1所述的一种基于CMOS基准电路电流源的操作方法，其特征在于：所述线性电源抑制噪声源，选择噪声性能好的器件，将开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭虎，王照新，李建伟，蔡彩银，
申请(专利权)人：北京炎黄国芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：