一种偏置电流源电路制造技术

本申请实施例提供一种偏置电流源电路，包括启动模块和偏置模块，启动模块包括第一电阻、控制电路、第一钳位开关、第二钳位开关和第一开关管；第一电阻的第一端分别与控制电路的第一端、第二钳位开关的负极和第一开关管的控制端电连接，第一开关管的第一端分别与偏置模块的控制端和第一钳位开关的正极电连接，控制电路的控制端与偏置模块的输出端电连接，第一钳位开关的负极、第一电阻的第二端和偏置模块的电源正极端均电连接第一电压，第一开关管的第二端、第二钳位开关的正极、控制电路的第二端和偏置模块的电源负极端均电连接第二电压；该偏置电流源电路在初始高压上电过程中能够自行启动。自行启动。自行启动。

【技术实现步骤摘要】
一种偏置电流源电路


[0001]本申请实施例涉及模拟集成电路
，尤其涉及一种偏置电流源电路。

技术介绍

[0002]在例如运算放大器电路、低压线性放大器电路和带隙基准电路等模拟集成电路中，都需要设置静态工作点。在电源初始上电过程中，通常利用偏置电流源为设置静态工作点提供所需的偏置电流或偏置电压。但在电源初始高压上电过程中，偏置电流源存在无法自行启动的问题。

技术实现思路

[0003]鉴于上述问题，本申请实施例提供了一种偏置电流源电路，在初始高压上电过程中能够自行启动。
[0004]本申请实施例的一个方面，提供了一种偏置电流源电路，该偏置电流源电路包括：启动模块和偏置模块，启动模块包括：第一电阻、控制电路、第一钳位开关、第二钳位开关和第一开关管；第一电阻的第一端分别与控制电路的第一端、第二钳位开关的负极和第一开关管的控制端电连接，第一开关管的第一端分别与偏置模块的控制端和第一钳位开关的正极电连接，控制电路的控制端与偏置模块的输出端电连接，第一钳位开关的负极、第一电阻的第二端和偏置模块的电源正极端均电连接第一电压，第一开关管的第二端、第二钳位开关的正极、控制电路的第二端和偏置模块的电源负极端均电连接第二电压；其中，第一电压大于第二电压；启动模块，用于当偏置模块无输出且第一电压大于电压阈值时，向偏置模块的控制端提供控制电压；偏置模块，用于在控制电压的作用下生成偏置基准电压。
[0005]在一种可选的方式中，该偏置模块包括：偏置电流电路和偏置电压电路，偏置电流电路的控制端分别与第一开关管的第一端和第一钳位开关的正极电连接，偏置电流电路的输出端与偏置电压电路的控制端电连接，偏置电压电路的输出端与控制电路的控制端电连接，偏置电流电路的第一端和偏置电压电路的第一端均电连接第一电压，偏置电流电路的第二端和偏置电压电路的第二端均电连接第二电压；偏置电流电路，用于在控制电压的作用下生成偏置电流；偏置电压电路，用于基于偏置电流生成偏置基准电压。
[0006]在一种可选的方式中，该偏置电流电路包括：偏置单元、调压单元、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻；偏置单元的第一端与调压单元的第一端连接，偏置单元的第二端分别与调压单元的第二端、偏置电压电路的第二控制端和第一开关管的第一端电连接，调压单元的第三端分别与第一三极管的集电极、第一三极管的基极和第二三极管的基极电连接，第一三极管的发射极分别与第四三极管的基极和第三三极管的集电极电连接，调压单元的第四端与第二三极管的集电极电连接，第二三极管的发射极分别与第三三极管的基极和第四三极管的集电极电连接，第四三极管的发射极与第二电阻的第一端电连接，第三三极管的发射极、第二电阻的第二端和调压单元的第五端均电连接第二电压，偏置单元的第三端与第一电压电连接，偏置单元的第四端与偏置电压电路的第一
控制端电连接；调压单元，用于调整偏置单元的输出电压，并基于输出电压，控制第一三极管和第二三极管的通断。
[0007]在一种可选的方式中，该偏置单元包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管；第一场效应管的源极和第二场效应管的源极均与第一电压电连接，第一场效应管的栅极、第二场效应管的栅极、第二场效应管的漏极和第四场效应管的源极均与偏置电压电路的第一控制端电连接，第一场效应管的漏极与第三场效应管的源极电连接，第三场效应管的栅极、第四场效应管的栅极、第四场效应管的漏极和调压单元的第二端均与偏置电压电路的第二控制端电连接，第三场效应管的漏极与调压单元的第一端电连接。
[0008]在一种可选的方式中，该调压单元包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管和第五NMOS管；第一NMOS管的漏极分别与第三场效应管的漏极、第一NMOS管的栅极、第二NMOS管的漏极、第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极电连接，第二NMOS管的源极分别与第一三极管的集电极、第一三极管的基极和第二三极管的基极电连接，第三NMOS管的漏极与第四场效应管的漏极电连接，第三NMOS管的源极与第二三极管的集电极电连接，第一NMOS管的源极分别与第四NMOS管的漏极和第四NMOS管的栅极电连接，第四NMOS管的源极分别与第五NMOS管的漏极和第五NMOS管的栅极电连接，第五NMOS管的源极与第二电压电连接。
[0009]在一种可选的方式中，该偏置电流电路还包括：第一电容、第二电容、第三电容和第四电容，第一电容连接于第一三极管的基极与第一三极管的发射极之间，第二电容连接于第二三极管的基极与第二三极管的发射极之间，第三电容连接于第三三极管的基极与第三三极管的发射极之间，第四电容连接于第四三极管的基极与第四三极管的发射极之间。
[0010]在一种可选的方式中，该偏置电压电路包括：电流镜单元和第三电阻，电流镜单元的第一端与第二场效应管的漏极电连接，电流镜单元的第二端与第四场效应管的漏极电连接，电流镜单元的第三端分别与控制电路的控制端和第三电阻的第一端电连接，电流镜单元的第四端与第一电压电连接，第三电阻的第二端与第二电压电连接。
[0011]在一种可选的方式中，该偏置电压电路还包括：第五三极管，第三电阻的第二端与第五三极管的第一端电连接，第五三极管的第二端和第五三极管的第三端均与第二电压电连接。
[0012]在一种可选的方式中，该电流镜单元包括：第五场效应管和第六场效应管，第五场效应管的栅极与第二场效应管的漏极电连接，第五场效应管的源极与第一电压电连接，第五场效应管的漏极与第六场效应管的源极电连接，第六场效应管的栅极与第四场效应管的漏极电连接，第六场效应管的漏极分别与控制电路的控制端和第三电阻的第一端电连接。
[0013]在一种可选的方式中，第一钳位开关和第二钳位开关均为肖特基二极管。
[0014]本申请实施例提供一种偏置电流源电路，该偏置电流源电路包括：启动模块和偏置模块，启动模块包括：第一电阻、控制电路、第一钳位开关、第二钳位开关和第一开关管；第一电阻的第一端分别与控制电路的第一端、第二钳位开关的负极和第一开关管的控制端电连接，第一开关管的第一端分别与偏置模块的控制端和第一钳位开关的正极电连接，控制电路的控制端与偏置模块的输出端电连接，第一钳位开关的负极、第一电阻的第二端和偏置模块的电源正极端均电连接第一电压，第一开关管的第二端、第二钳位开关的正极、控
制电路的第二端和偏置模块的电源负极端均电连接第二电压；其中，第一电压大于第二电压；启动模块，用于当偏置模块无输出且第一电压大于电压阈值时，向偏置模块的控制端提供控制电压；偏置模块，用于在控制电压的作用下生成偏置基准电压。综上，由于第一电压大于电压阈值，因此偏置电流源电路处于较高的电源电压的环境，在偏置模块无输出时，通过启动模块向偏置模块的控制端提供控制电压，使得偏置模块在控制电压的作用下能够生成偏置基准电压，即在初始高压上电过程中，偏置电流源电路能够自行启动。
[0015]上述说明仅是本申请实施例技术方案的概述，为了能够更清楚了解本申请实施例的技术手段，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种偏置电流源电路，其特征在于，包括：启动模块和偏置模块，所述启动模块包括：第一电阻、控制电路、第一钳位开关、第二钳位开关和第一开关管；所述第一电阻的第一端分别与所述控制电路的第一端、所述第二钳位开关的负极和所述第一开关管的控制端电连接，所述第一开关管的第一端分别与所述偏置模块的控制端和所述第一钳位开关的正极电连接，所述控制电路的控制端与所述偏置模块的输出端电连接，所述第一钳位开关的负极、所述第一电阻的第二端和所述偏置模块的电源正极端均电连接第一电压，所述第一开关管的第二端、所述第二钳位开关的正极、所述控制电路的第二端和所述偏置模块的电源负极端均电连接第二电压；其中，所述第一电压大于所述第二电压；所述启动模块，用于当所述偏置模块无输出且所述第一电压大于电压阈值时，向所述偏置模块的控制端提供控制电压；所述偏置模块，用于在所述控制电压的作用下生成偏置基准电压。2.根据权利要求1所述的偏置电流源电路，其特征在于，所述偏置模块包括：偏置电流电路和偏置电压电路，所述偏置电流电路的控制端分别与所述第一开关管的第一端和所述第一钳位开关的正极电连接，所述偏置电流电路的输出端与所述偏置电压电路的控制端电连接，所述偏置电压电路的输出端与所述控制电路的控制端电连接，所述偏置电流电路的第一端和所述偏置电压电路的第一端均电连接所述第一电压，所述偏置电流电路的第二端和所述偏置电压电路的第二端均电连接所述第二电压；所述偏置电流电路，用于在所述控制电压的作用下生成偏置电流；所述偏置电压电路，用于基于所述偏置电流生成所述偏置基准电压。3.根据权利要求2所述的偏置电流源电路，其特征在于，所述偏置电流电路包括：偏置单元、调压单元、第一三极管、第二三极管、第三三极管、第四三极管和第二电阻；所述偏置单元的第一端与所述调压单元的第一端连接，所述偏置单元的第二端分别与所述调压单元的第二端、所述偏置电压电路的第二控制端和所述第一开关管的第一端电连接，所述调压单元的第三端分别与所述第一三极管的集电极、所述第一三极管的基极和所述第二三极管的基极电连接，所述第一三极管的发射极分别与所述第四三极管的基极和所述第三三极管的集电极电连接，所述调压单元的第四端与所述第二三极管的集电极电连接，所述第二三极管的发射极分别与所述第三三极管的基极和所述第四三极管的集电极电连接，所述第四三极管的发射极与所述第二电阻的第一端电连接，所述第三三极管的发射极、所述第二电阻的第二端和所述调压单元的第五端均电连接所述第二电压，所述偏置单元的第三端与所述第一电压电连接，所述偏置单元的第四端与所述偏置电压电路的第一控制端电连接；所述调压单元，用于调整所述偏置单元的输出电压，并基于所述输出电压，控制所述第一三极管和所述第二三极管的通断。4.根据权利要求3所述的偏置电流源电路，其特征在于，所述偏置单元包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管和第四场效应管；所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极均与所述第一电压电连接，所述第一场效应管的栅极、所述第二场效应管的栅极、所述第二场效应管的漏极和所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋宇，陈立新，熊海峰，
申请(专利权)人：上海泰矽微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：