二极管加工方法及二极管技术

本申请实施例提供了一种二极管加工方法及二极管。该方法包括：获取基底层，基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；在外延层的形成面形成多个凹槽，外延层的形成面为背离外延过渡层的表面；在形成面上形成阳极层；在阳极层上形成第一金属层，且在衬底层背离外延过渡层的表面形成第二金属层。离外延过渡层的表面形成第二金属层。离外延过渡层的表面形成第二金属层。

【技术实现步骤摘要】
二极管加工方法及二极管


[0001]本申请涉及二极管
，具体涉及一种二极管加工方法及二极管。

技术介绍

[0002]随着科技的发展，二极管的应用越来越广泛。通常，在加工二极管时，在硅片上注入硼元素，使得硼元素形成阳极层。但在注入硼元素时，硼元素较多的进入硅片中，导致硅片中的硼元素增大，从而使得最终形成的二极管的关断软度较小，影响二极管的电磁兼容性。
[0003]申请内容
[0004]本申请实施例提供了一种二极管加工方法及二极管，以解决相关技术中二极管的关断软度较小，影响二极管的电磁兼容性的问题。
[0005]为了解决上述技术问题，本申请是这样实现的：
[0006]第一方面，本申请实施例提供了一种二极管加工方法，所述方法包括：
[0007]获取基底层，所述基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；
[0008]在所述外延层的形成面形成多个凹槽，所述外延层的形成面为背离所述外延过渡层的表面；
[0009]在所述形成面上形成阳极层；
[0010]在所述阳极层上形成第一金属层本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种二极管加工方法，其特征在于，所述方法包括：获取基底层，所述基底层包括层叠设置的衬底层、外延过渡层以及外延层；在所述外延层的形成面形成多个凹槽，所述外延层的形成面为背离所述外延过渡层的表面；在所述形成面上形成阳极层；在所述阳极层上形成第一金属层，且在所述衬底层背离所述外延过渡层的表面形成第二金属层。2.根据权利要求1所述的二极管加工方法，其特征在于，所述在所述外延层的形成面形成多个凹槽，包括：通过高能粒子轰击所述形成面，以形成多个所述凹槽。3.根据权利要求1所述的二极管加工方法，其特征在于，所述在所述外延层的形成面形成多个凹槽，包括：蚀刻所述形成面，以形成多个所述凹槽。4.根据权利要求1所述的二极管加工方法，其特征在于，所述获取基底层，包括：获取所述衬底层；在所述衬底层的第一面上形成外延过渡层；在所述外延过渡层的第一面上形成所述外延层。5.根据权利要求1所述的二极管加工方法，其特征在于，所述阳极层的厚度范围为2微米至10微米。6.根据权利要求1所述的二极管加工方法，其特征在于，在所述形成面上形成阳极层之前，所述方法还包括：通过电子辐照所述外延层以及所述基底层，以增加所述二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹群，吴海平，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：