一种肖特基二极管的制备方法及器件技术

本发明专利技术公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一生长台阶处的P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，离子注入区贯穿P型埋层并延伸至第一生长台阶外；分别在第一生长台阶和第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。本发明专利技术中的方法，能够制备得到反向耐压值较高，漏电电流较低，且其结构简，内部各个结构层的结晶质量较高的肖特基二极管。管。管。

【技术实现步骤摘要】
一种肖特基二极管的制备方法及器件


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及到一种增肖特基二极管的制备方法和一种肖特基二极管器件。

技术介绍

[0002]宽禁带高迁移率半导体材料氮化镓GaN被认为可用于制备具有高击穿电场和低导通电阻的功率二极管，这类器件将被广泛应用于能源、航空航天、交通运输等诸多领域。但目前仍有难度实现GaN材料的理论临界击穿电场(3.3MV/cm)，其根本原因是电应力下器件局部电场过高而引发器件预击穿。为了解决该问题，现有技术中存在基于理论建模提出的使用p型埋层改善器件在反偏电压下的电场分布，进而提高器件的反偏耐压水平的技术方案，但是这些技术方案中的结果大多比较复杂，或者虽然具有相对简单的结构，但是其中涉及非平面上再生长GaN薄膜的制备工艺，这将导致生长得到的GaN薄膜内结晶质量差，进而影响导致二极管的整体性能。

技术实现思路

[0003]因此，本专利技术要解决的技术问题在于解决现有的使用P型埋层提高二极管反偏耐压水平的技术方案中所具有的结构较为复杂，或者结构相对简单但是器件内的结构层难以实现高质量生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；所述半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀所述半导体结构层，以在其两端分别形成到达所述P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在所述第一生长台阶处的所述P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，所述离子注入区贯穿所述P型埋层并延伸至所述第一生长台阶外；分别在所述第一生长台阶和所述第二生长台阶上生长阴电极和阳电极。2.根据权利要求1所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述在所述第一生长台阶处的所述P型埋层内注入阻挡离子形成离子注入区，且所述离子注入区延伸至所述第一生长台阶外的步骤，具体包括：采用离子注入工艺在所述第一生长台阶处的所述P型埋层内注入所述阻挡离子；采用退火工艺使所述阻挡离子扩散至所述第一生长台阶外，形成所述离子注入区。3.根据权利要求1或2所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述阳电极还延伸于所述半导体结构层上。4.根据权利要求3所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述半导体结构层还包括一P型帽层，所述P型帽层生长于所述势垒层上。5.根据权利要求4所述的肖特基二极管的制备方法，其特征在于，所述分别在所述第一生长台阶和所述第二生长台阶上生长阴电极和阳电极的步骤之前，还包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄永，王亦飞，王东，陈兴，吴勇，杨旭豪，龚子刚，薛荣宇，台运涛，邵语嫣，
申请(专利权)人：西安电子科技大学芜湖研究院，
类型：发明
国别省市：