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本发明公开了一种肖特基二极管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：在衬底上生长半导体结构层；半导体结构层包括依次生长的高阻层、P型埋层、沟道层和势垒层；刻蚀半导体结构层，以在其两端分别形成到达P型埋层的第一生长台阶和第二生长台阶；在第一...
该专利属于西安电子科技大学芜湖研究院所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学芜湖研究院授权不得商用。

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