一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法技术

本发明专利技术公开了一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，包括：通过第一无限源注入、第一扩散，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区；进行第二无限源注入、第二扩散，在所述N型衬底内形成沿第二方向贯穿所述N型衬底的正向P型主结区、反向P型主结区，所述正向P型主结区、所述反向P型主结区均与所述P+型区接触；通过第一湿刻，在相邻N型衬底中形成一类U型凹槽，其中，所述类U型凹槽两端具有鸟嘴状可刻蚀结构；随后在所述正向P型主结区的上表面及所述U型凹槽表面进行第二湿刻，以去除所述类U型凹槽两端的鸟嘴状可刻蚀结构，经过后道工艺得到所述双向TVS器件。经过后道工艺得到所述双向TVS器件。经过后道工艺得到所述双向TVS器件。

【技术实现步骤摘要】
一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法。

技术介绍

[0002]瞬态二极管(Transient Voltage Suppressor，简称TVS)是一种二极管形式的高效能保护器件，响应时间短，浪涌吸收能力强，经常与电阻、电容等元器件配合，作为瞬态高压抑制保护的用途。在双向TVS器件的制造过程中，一步湿刻法会在芯片中形成不期望的鸟嘴状结构，其会导致TVS器件在高压时放电，造成TVS器件损坏。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，以解决相关技术中出现刻蚀鸟嘴的问题。
[0004]为实现上述目的，本专利技术主要采用以下技术方案：
[0005]本申请实施例提供一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，所述方法包括如下步骤：通过第一无限源注入、第一扩散，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区，所述N型衬底具有相对的第一表面和第二表面；进行第二无限源注本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种包括两步湿刻的双向TVS器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：通过第一无限源注入、第一扩散，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区，所述N型衬底具有相对的第一表面和第二表面；进行第二无限源注入、第二扩散，在所述N型衬底内靠近所述第一表面、所述第二表面处分别形成沿第二方向贯穿所述N型衬底的正向P型主结区、反向P型主结区，其中，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述正向P型主结区、所述反向P型主结区均与所述P+型区接触；在所述正向P型主结区的上表面及所述反向P型主结区的下表面沉积氧化层，并进行第一湿刻，所述第一湿刻穿过所述氧化层、所述正向P型主结区、所述N型衬底的未掺杂区及所述P+型区，以在相邻N型衬底中形成一类U型凹槽，其中，所述类U型凹槽两端具有鸟嘴状刻蚀结构；去除所述氧化层，在所述正向P型主结区的上表面及所述U型凹槽表面进行第二湿刻，以去除所述类U型凹槽两端的鸟嘴状刻蚀结构形成U型凹槽，并减薄所述正向P型主结区，得到TVS中间器件；经过后道工艺在所述TVS中间器件上形成钝化层和金属层，得到所述双向TVS器件。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过第一无限源注入，在一N型衬底的两端处形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的P+型区，包括：分别在一N型衬底的上下表面沉积第一氧化层，通过光刻胶掩膜在所述第一氧化层两端刻蚀得到注入窗口；自所述注入窗口进行第一无限源注入，并在隔离下进行第一扩散，以在所述N型衬底的两端处分别形成沿第一方向贯穿所述N型衬底的双弧形P+型区。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述进行第二无限源注入、第二扩散，在所述N型衬底内靠近所述第一表面、所述第二表面处分别形成沿第二方向贯穿所述N型衬底的正向P型主结区、反向P型主结区，包括：去除所述第一氧化层，在所述第一表面、所述第二表面分别进行第二无限源注入，并在隔离下进行第二扩散，从而在所述N型衬底内靠近所述第一表面、所述第二表面内处...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨国江，于世珩，毛嘉云，
申请(专利权)人：江苏长晶科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：