一种全包封TO-220F二极管制造方法技术

本发明专利技术公开了一种全包封TO

【技术实现步骤摘要】
一种全包封TO
‑
220F二极管制造方法


[0001]本专利技术涉及全包封
，更具体地说，本专利技术涉及一种全包封TO
‑
220F二极管制造方法。

技术介绍

[0002]功率器件产品发展的方向是全包封，据国外权威机构预测，全包封形式的功率器件在计算机及其外设，通信网络、电子专用设备、仪器仪表、汽车电子等领域的运用将逐步取代传统的半包封产品，市场规模也将大幅度提升。
[0003]传统的半导体功率器件多为半包形式(TO
‑
220、TO
‑
3P等)，其优势在于散热性能好，功率大，封装工艺相对简单。但当有新标准出现时，会出现一些由于设计本身导致的缺陷，如电参数不稳定，安全性能相对较差，抗干扰能力偏低等等。

技术实现思路

[0004]本专利技术技术方案针对现有技术解决方案过于单一的技术问题，提供了显著不同于现有技术的解决方案，为了克服现有技术的上述缺陷，本专利技术的实施例提供一种全包封TO
‑
220F二极管制造方法。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种全包封TO
‑
220F二极管制造方法，具体制造工艺步骤如下：
[0006]步骤一、材料进厂检验，对进厂的二极管制造材料进行检验，检验包括对二极管制造材料的规格尺寸、零件重量和运输过程中有无堆压损坏；
[0007]步骤二、划片，采用划片机对二极管进行划片处理；
[0008]步骤三、上芯，采用上芯机进行上芯处理；
[0009]步骤四、焊线，采用OE双头焊线机在生产过程中，左边焊头负责焊接框架偶数位置的产品，右边焊头负责焊接框架奇数位置的产品；
[0010]步骤五、QC检，对材料的规格、型号、数量、物理化学特性进行质检；
[0011]步骤六、塑封，将焊线后的框架置入模具中，采用树脂胶体对二极管芯片进行注塑压制成型，得到树脂胶体封装的成品二极管组件；
[0012]步骤七、后固化，将上述塑封后的二极管组件放入烘箱中烘烤；
[0013]步骤八、去溢料，配置混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料；
[0014]步骤九、电镀，对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架进行镀锡；
[0015]步骤十、剪切；
[0016]步骤十一、绝缘测试，采用绝缘测试仪对成品二极管组件进行绝缘测试；
[0017]步骤十二、DC测试；
[0018]步骤十三、打印；
[0019]步骤十四、外观检验，对加工的成品二极管进行外观检验，外观检验包括颜色的色
差、表面有无缺损；
[0020]步骤十五、包装，对制造完成的成品二极管进行包装处理；
[0021]步骤十六、QA检验，对成品进行抽样检验提供检验依据和判定标准；
[0022]步骤十七、入库。
[0023]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤四中的OE双头焊线机的每个焊头各有2个勾爪，其位置分别在定位叉的左右边焊接时，左边焊头的第1个勾爪负责框架第2、4、6、8、10位置的产品过位，第2个勾爪负责第12、14位置的产品过位，且每完成4个产品，过位一次，完成整条框架在左边焊头的过位工作，如果框架过位时，勾爪准确定位，其正确的位置是勾爪挨着中筋连接处，使载芯板能准确定位在定位叉中，从而保证产品能够正常焊接。
[0024]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤六中的塑封过程中，注塑压力为65kg/cm2，模具温度为170℃，EMC预热时间为30秒，顶针收缩时间为29秒，注塑速度为16秒。
[0025]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤七后固化中，烘烤分为两个连续阶段，第一阶段120℃烘烤2
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3小时，第二阶段150℃烘烤3
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5小时。
[0026]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤八中去溢料采用由醋酸、工业硫酸和水按照1：1：8的比例配制成的混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料。
[0027]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤九中，对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架的镀锡层厚度为6
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36um，镀锡层为均匀、结晶细致、有一定厚度、可焊性优良的纯锡保护层。
[0028]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤十的剪切步骤中，采用剪切设备对电镀后的成品二极管组件表面的毛刺进行剪切，剪切后采用打磨设备对成品二极管组件的表面剪切部位进行抛光打磨，使其表面平整光滑。
[0029]作为本专利技术技术方案的进一步改进，所述步骤十二中DC测试，采用DC测试机对加工的成品二极管组件进行DC测试，并利用步骤十三中打印，对加工的成品二极管组件数量以及各项测试数据进行记录并打印成单据以便后续包装后将单据贴附在包装袋上供人们更加直观的对包装后的成品二极管组件进行性能观察。
[0030]本专利技术的有益效果：
[0031]本专利技术全包封TO
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220F二极管产品与双极型功率器件相比，生产制造方便，通过对TO
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220F产品结构的研究，确定了其封装工艺流程和工艺条件，通过对封装设备工作原理的分析，解决了TO
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220F产品包封均匀性问题、塑封顶针孔填胶问题和绝缘测试问题，这种工艺技术适应于大批量全包封TO
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220F产品的制造，其装配后的产品技术指示可达到国际先进水平，而且产品质量稳定，客户认可度高，工艺流程及加工制造简单方便，制造的全包封TO
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220F二极管产品电参数稳定，安全性能相对较高，抗干扰能力强。
附图说明
[0032]图1为本专利技术的工艺流程图。
具体实施方式
[0033]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0034]如附图1所示的一种全包封TO
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220F二极管制造方法，具体制造工艺步骤如下：
[0035]步骤一、材料进厂检验，对进厂的二极管制造材料进行检验，检验包括对二极管制造材料的规格尺寸、零件重量和运输过程中有无堆压损坏；
[0036]步骤二、划片，采用划片机对二极管进行划片处理；
[0037]步骤三、上芯，采用上芯机进行上芯处理；
[0038]步骤四、焊线，采用OE双头焊线机在生产过程中，左边焊头负责焊接框架偶数位置的产品，右边焊头负责焊接框架奇数位置的产品；
[0039]步骤五、QC检，对材料的规格、型号、数量、物理化学特性进行质检；
[0040]步骤六、塑封，将焊线后的框架置入模具中，采用树脂胶体对二极管芯片进行注本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种全包封TO
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220F二极管制造方法，其特征在于，具体制造工艺步骤如下：步骤一、材料进厂检验，对进厂的二极管制造材料进行检验，检验包括对二极管制造材料的规格尺寸、零件重量和运输过程中有无堆压损坏；步骤二、划片，采用划片机对二极管进行划片处理；步骤三、上芯，采用上芯机进行上芯处理；步骤四、焊线，采用OE双头焊线机在生产过程中，左边焊头负责焊接框架偶数位置的产品，右边焊头负责焊接框架奇数位置的产品；步骤五、QC检，对材料的规格、型号、数量、物理化学特性进行质检；步骤六、塑封，将焊线后的框架置入模具中，采用树脂胶体对二极管芯片进行注塑压制成型，得到树脂胶体封装的成品二极管组件；步骤七、后固化，将上述塑封后的二极管组件放入烘箱中烘烤；步骤八、去溢料，配置混合酸液去除固化后二极管组件的引线及框架上的溢料；步骤九、电镀，对成品二极管组件伸出树脂胶体封装部位之外的料片框架进行镀锡；步骤十、剪切；步骤十一、绝缘测试，采用绝缘测试仪对成品二极管组件进行绝缘测试；步骤十二、DC测试；步骤十三、打印；步骤十四、外观检验，对加工的成品二极管进行外观检验，外观检验包括颜色的色差、表面有无缺损；步骤十五、包装，对制造完成的成品二极管进行包装处理；步骤十六、QA检验，对成品进行抽样检验提供检验依据和判定标准；步骤十七、入库。2.根据权利要求1所述的一种全包封TO
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220F二极管制造方法，其特征在于：所述步骤四中的OE双头焊线机的每个焊头各有2个勾爪，其位置分别在定位叉的左右边焊接时，左边焊头的第1个勾爪负责框架第2、4、6、8、10位置的产品过位，第2个勾爪负责第12、14位置的产品过位，且每完成4个产品，过位一次，完成整条框架在左边焊头的过位工作，如果框架过位时，勾爪准确定位，其正确的位置是勾爪挨着中筋连接处，使载芯板能准确定位在定位叉中，从而保证产品能够正常焊接。3.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：万奎，丁伟，
申请(专利权)人：常州星海电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：