一种金属阵列的制备方法，该金属阵列以及使用该金属阵列的肖特基二极管和电容器技术

本发明专利技术涉及一种金属阵列的制备方法，该金属阵列以及使用该金属阵列的肖特基二极管和电容器。本发明专利技术的金属阵列的制备方法，包括如下步骤：在基板上形成一个以上的第一金属单元，形成第一金属阵列M1；在第一金属阵列M1上沉积有机自组装单分子层，包覆在每一个第一金属单元的外表面；从第一金属单元的间隙开始沉积第二金属，形成包覆于第一金属阵列M1的第二金属层M2；在第二金属层M2上方粘贴粘性胶带；将粘性胶带沿着与第一金属阵列M1的分布方向不同的方向去除，去除部分第二金属层M2；将M1和M2之间的有机自组装单分子层去除，得到金属阵列。本发明专利技术金属阵列的制备方法，使金属阵列的生产过程简单、制备效率高、产量高、稳定性强。强。强。

【技术实现步骤摘要】
一种金属阵列的制备方法，该金属阵列以及使用该金属阵列的肖特基二极管和电容器


[0001]本专利技术具有一种金属阵列的制备方法，该金属阵列以及使用该金属阵列的肖特基二极管和电容器，属于电子元器件制备领域。

技术介绍

[0002]在集成电路和无线通信领域，需要使用以二极管和电容器为核心器件的整流器将无线通信过程中使用的交流信号转换为平稳直流信号。所以二极管和电容的制备方法和性能，就决定了无线通信器件的应用领域、性能和成本。以NFC设备为例，NFC读卡器发出13.56MHz的交流信号，被RFID标签设备中的电路识别并返回给读卡器适当的信息。如下图所示，在一个RFID系统中，一般包括一个天线、一个整流器，和其他的逻辑电路。整流器中的二极管将交流信号转换为单一方向的直流信号，再由电容器将高低变化的直流信号稳压成为电压平稳的直流信号，以供后面的逻辑电路使用。
[0003]现有制备二极管和电容的方法包括使用有机溶液和无机非溶液的工艺，例如使用并五苯或碳60等有机材料，以及铟镓锌氧化物等制备肖特基二极管。尽管以上这些技术都能够用来生产高性能的肖特基二极管，但它们全部涉及的真空的制备过程都非常复杂，且产量低下，稳定性差，以至于需要高额的成本。这些缺点都是使这些技术实现大规模量产的阻碍。

技术实现思路

[0004]专利技术要解决的问题
[0005]针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种金属阵列的制备方法，该金属阵列以及使用该金属阵列的肖特基二极管和电容器。
[0006]用于解决问题的方案
[0007]本专利技术提供一种金属阵列的制备方法，包括如下步骤：
[0008]在基板上形成一个以上的第一金属单元，形成第一金属阵列M1；
[0009]在第一金属阵列M1上沉积有机自组装单分子层，包覆在每一个第一金属单元的外表面；
[0010]从第一金属单元的间隙开始沉积第二金属，形成包覆于第一金属阵列M1的第二金属层M2；
[0011]在第二金属层M2上方粘贴粘性胶带；
[0012]将粘性胶带沿着与第一金属阵列M1的分布方向不同的方向去除，去除部分第二金属层M2；
[0013]将M1和M2之间的有机自组装单分子层去除，得到金属阵列。
[0014]根据本专利技术所述的制备方法，其中，所述第一金属阵列M1的厚度为40
‑
50nm。
[0015]根据本专利技术所述的制备方法，其中，所述有机自组装单分子层的分子具有亲金属
基团和疏金属基团。
[0016]根据本专利技术所述的制备方法，其中，所述有机自组装单分子层的分子为十八硫醇或十八烷基磷酸。
[0017]根据本专利技术所述的制备方法，其中，所述粘性胶带的厚度为0.050
‑
0.080mm。
[0018]根据本专利技术所述的制备方法，其中，所述第一金属为Al，所述第二金属为Au。
[0019]根据本专利技术所述的制备方法，其中，将M1和M2之间的有机自组装单分子层去除后，M1和M2之间具有纳米级间隙。
[0020]本专利技术还提供一种金属阵列，其是由本专利技术所述的制备方法制备得到的。
[0021]本专利技术还提供一种肖特基二极管，使用本专利技术所述的金属阵列，将介质材料填充入所述M1和所述M2之间的纳米级间隙，所述介质材料包含选自于由三氧化二铝(Al2O3)、二氧化铪(HfO2)、五氧化二钽(Ta2O5)、二氧化锆(ZrO2)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化镁(MgO)、和氮化钛(TiN)组成的组之中的至少一种。
[0022]本专利技术还提供一种电容器，使用本专利技术所述的金属阵列，将介质材料填充入所述M1和所述M2之间的纳米级间隙，所述介质材料包含选自于由三氧化二铝、二氧化铪、二氧化锆，或空气组成的组之中的至少一种。
[0023]专利技术的效果
[0024]本专利技术金属阵列的制备方法，使金属阵列的生产过程简单、制备效率高、产量高、稳定性强，有效降低了制作肖特基二极管和电容器的成本，使大规模量产成为可能。
附图说明
[0025]图1NFC设备工作原理示意图
‑
1。
[0026]图2本专利技术的金属阵列的制备方法的流程示意图
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1。
[0027]图3本专利技术的有机自组装单分子层的分子结构示意图
‑
1。
[0028]图4实施例1的金属阵列得到的电容器
‑
1的显微镜观察的示意图。
[0029]图5实施例1的金属阵列得到的氧化锌肖特基二极管
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1的性能测试图。
[0030]图6电容器
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1的阻抗特性曲线示意图。
[0031]图7电容器
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1的电容特性曲线示意图。
具体实施方式
[0032]以下，针对本专利技术的内容进行详细说明。以下所记载的技术特征的说明基于本专利技术的代表性的实施方案、具体例子而进行，但本专利技术不限定于这些实施方案、具体例子。需要说明的是：
[0033]本说明书中，使用“数值A～数值B”表示的数值范围是指包含端点数值A、B的范围。
[0034]本说明书中，如没有特殊声明，则“多”、“多种”、“多个”等中的“多”表示2或以上的数值。
[0035]本说明书中，所述“基本上”、“大体上”或“实质上”表示于相关的完美标准或理论标准相比，误差在5％以下，或3％以下或1％以下。
[0036]本说明书中，如没有特别说明，则“％”均表示质量百分含量。
[0037]本说明书中，如没有特别说明，则“纳米级”均表示1
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100nm。
[0038]本说明书中，使用“可以”表示的含义包括了进行某种处理以及不进行某种处理两方面的含义。
[0039]本说明书中，“任选的”或“任选地”是指接下来描述的事件或情况可发生或可不发生，并且该描述包括该事件发生的情况和该事件不发生的情况。
[0040]本说明书中，所提及的“一些具体/优选的实施方案”、“另一些具体/优选的实施方案”、“实施方案”等是指所描述的与该实施方案有关的特定要素(例如，特征、结构、性质和/或特性)包括在此处所述的至少一种实施方案中，并且可存在于其它实施方案中或者可不存在于其它实施方案中。另外，应理解，所述要素可以任何合适的方式组合在各种实施方案中。
[0041]本专利技术提供一种金属阵列的制备方法，包括如下步骤：
[0042]在基板上形成一个以上的第一金属单元，形成第一金属阵列M1；
[0043]在第一金属阵列M1上沉积有机自组装单分子层，包覆在每一个第一金属单元的外表面；
[0044]从第一金属单元的间隙开始沉积第二金属，形成包覆于第一金属阵列M1的第二金属层M2；
[0045]在第二金属层M2上方粘贴粘性胶带；
[0046]将粘性胶带按照与第一金属阵列M1的分布方向不同的方向去除，去除部分第二金属层M2；<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属阵列的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上形成一个以上的第一金属单元，形成第一金属阵列M1；在第一金属阵列M1上沉积有机自组装单分子层，包覆在每一个第一金属单元的外表面；从第一金属单元的间隙开始沉积第二金属，形成包覆于第一金属阵列M1的第二金属层M2；在第二金属层M2上方粘贴粘性胶带；将粘性胶带沿着与第一金属阵列M1的分布方向不同的方向去除，去除部分第二金属层M2；将M1和M2之间的有机自组装单分子层去除，得到金属阵列。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属阵列M1的厚度为40
‑
50nm。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述有机自组装单分子层的分子具有亲金属基团和疏金属基团。4.根据权利要求1
‑
3项任一项所述的制备方法，其特征在于，所述有机自组装单分子层的分子为十八硫醇或十八烷基磷酸。5.根据权利要求1
‑
4项任一项所述的制备方法，其特征在于，所述粘性胶带的厚度为0.050
‑
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【专利技术属性】
技术研发人员：陈祖旺，
申请(专利权)人：北京集创北方科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：