一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管技术

本申请实施例提供了一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管，采用第一氧化硅层和掩蔽膜等多层膜结构作为沟槽掩蔽膜，在进行栅氧化过程中，采用硅局部氧化工艺，在氧化硅层和氮化硅层之间产生了一段厚氧化硅层，在后续多层掩蔽膜和第一氧化硅层刻蚀过程，由于该厚氧化硅层存在，有效补偿了多层膜刻蚀过程中栅氧化层的丢失，消除了沟槽结构缺陷，解决了反向漏电问题，提高了晶圆产品的良率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管


[0001]本申请各实施例属于集成电路工艺
，特别是涉及一种沟槽式肖特基二极管制备方法及沟槽式肖特基二极管。

技术介绍

[0002]肖特基二极管由于其低的正向导通压降和快速的反向恢复时间，在功率整流器件中得到了广泛的应用，传统的平面硅基肖特基二极管中，其反向漏电主要来自于热电子发射，在相同面积和电压下，反向漏电流比PN结大得多，另一方面，在高压器件中，平面肖特基二极管的正向导通电压的优势也不明显，沟槽式肖特基二极管(Trench MOS Barrier Schottkydiodes,TMBS)通过电场耦合作用改变了一定电压下的电场强度分布，将电场强度的最大值从肖特基结处转移到了硅内部，有效的抑制了反向偏压下肖特基势垒降低效应，减小了肖特基的反向漏电流；TMBS结构还可以降低有源区中电场强度的最大值，从而实现二极管反向雪崩击穿电压的增加，因此，在保证维持同样击穿电压的前提下，可以使用比较高掺杂浓度的外延层，从而实现较低的正向导通压降。
[0003]如图1所示，通过现有工艺制备的沟槽本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种沟槽式肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一掺杂浓度的衬底上形成第二掺杂浓度的外延层；在外延层远离衬底的表面上形成第一氧化硅层；在第一氧化硅层远离外延层的表面上形成掩蔽层；对第一氧化硅层和掩蔽层进行刻蚀以形成多个沟槽刻蚀窗口，在外延层上与沟槽刻蚀窗口对应位置进行刻蚀以形式多个沟槽；在沟槽底部和侧壁形成第二氧化硅层；在第一氧化硅层和掩蔽层之间形成一段第三氧化硅层，所述第三氧化硅层位于靠近多个沟槽顶端外侧；在多个沟槽内形成多晶硅，并在多晶硅表面及掩蔽层表面形成第四氧化硅层；刻蚀去除第四氧化硅层、掩蔽层和第一氧化硅层；在外延层远离衬底的表面上形成第一金属层形成肖特基结；在第一金属层表面上形成第二金属层。2.如权利要求1所述的一种沟槽式肖特基二极管制备方法，其特征在于，所述掩蔽层包括氮化硅层和第五氧化硅层；所述在外延层远离衬底的表面上形成掩蔽层，包括：在外延层远离衬底的表面上依次从下到上形成氮化硅层和第五氧化硅层。3.如权利要求2所述的一种沟槽式肖特基二极管制备方法，其特征在于，第一氧化硅层厚度处于500
‑
1500A之间，第二氧化硅层厚度处于500
‑
2500A之间，第三氧化硅层厚度处于300
‑
2000A之间，第五氧化硅层厚度处于1000
‑
5000A之间，氮化硅层厚度处于200
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：何增谊，顾建平，乐双申，张立波，吴兴敏，袁晴雯，
申请(专利权)人：上海韦尔半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：