具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：一、外延材料生长；二、再生长凹槽制作及再生长；三、阴极制作；四、介质层生长；五、阳极制作。其利用再生长形成的垂直方向上的2DEG(二维电子气)，可以显著提高二极管的正向电流；同时利用再生长形成的PN结，可以均匀地分散峰值电场，改善电场集中效应，提高击穿电压，并且，反向时，PN结相比于肖特基结可以更加有效地减小反向漏电。更加有效地减小反向漏电。更加有效地减小反向漏电。

【技术实现步骤摘要】
具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法


[0001]本专利技术属于微电子器件
，涉及一种GaN基肖特基二极管及其制备方法，具体涉及一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管及其制备方法。

技术介绍

[0002]半导体行业发展至今，其产品技术已经为社会发展和进步提供了不可或缺的推动作用。尤其是随着半导体技术的逐渐成熟，以GaN、SiC和半导体金刚石为代表的第三代半导体材料开始兴起，并以相对于前两代半导体材料更加明显的优势而逐渐成为半导体行业的研究热点。GaN材料从第一次被提出到现在二十多年的时间里，已经得到了迅猛的发展，与之相关的第三代半导体器件也得到了广泛的应用。
[0003]其中以氮化镓(GaN)为代表的第三代宽带隙半导体材料正在逐渐兴起。与传统的半导体材料相比，GaN具有良好的化学稳定性，高击穿电压，低导通电阻和较高的工作温度。这些优点极大地弥补了传统半导体材料固有的缺憾。因此，GaN器件能够在高温，高功率，高频环境下工作。
[0004]目前，肖特基二极管正向着高击穿电压、高开关比、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、在厚度为1～4μm的N
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GaN层(1)的正面上生长一层厚度为3～9μm的P
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GaN层(2)；2)、在所述N
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GaN层(1)和P
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GaN层(2)上刻蚀凹槽(a)，所述凹槽(a)的宽度为3～5μm、深度为将所述N
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GaN层(1)刻蚀掉100～500nm；3)、整体生长一层厚度为100～500nm的N
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GaN层(3)；4)、在所述N
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GaN层(3)上生长一层厚度为10～30nm的AlGaN层(4)；5)、在所述N
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GaN层(1)的底面上制作阴极(5)；6)、在所述AlGaN层(4)上沉积一层厚度为0.2～1μm的介质层(6)；7)、刻蚀掉位于所述P
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GaN层(2)上面的部分所述N
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GaN层(3)、AlGaN层(4)和介质层(6)，露出所述P
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GaN层(2)的顶面；8)、在暴露出的所述P
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GaN层(2)的顶面上刻蚀出阳极凹槽(c)，所述阳极凹槽(c)的深度为300
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900nm；9)、在所述阳极凹槽(c)内、剩余的所述介质层(6)上及部分所述P
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GaN层(2)上制作阳极(7)。2.根据权利要求1所述的具有垂直AlGaN/GaN异质结的高压肖特基二极管的制备方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白俊春，程斌，平加峰，汪福进，
申请(专利权)人：江苏芯港半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：