一种LED钝化层、制备方法及LED芯片技术

本发明专利技术提供一种LED钝化层、制备方法及LED芯片，通过在LED外延片表面沉积具有曲折形状的第一钝化子层和第二钝化子层，若芯片在切割过程中造成损伤，即钝化层与芯片衔接处开裂，由于第一钝化子层和第二钝化子层为曲折结构，可以有效增加交界面路径，增加湿气沿界面入侵到芯片的距离，从而改善了芯片湿气腐蚀的问题，增加了芯片的使用寿命。增加了芯片的使用寿命。增加了芯片的使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种LED钝化层、制备方法及LED芯片


[0001]本专利技术涉及LED
，特别涉及一种LED钝化层、制备方法及LED芯片。

技术介绍

[0002]发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件，由于其体积小、亮度高、能耗低等特点，吸引了越来越多研究者的注意。
[0003]需要说明的是，LED的光效能力固然重要，但其可靠性也需要得到保证，具体的，温度和湿度是影响LED可靠性的两个重要因素。随着时间推移，芯片吸湿会发生外延腐蚀、ITO腐蚀、金属迁移等现象，从而导致芯片死灯、漏电等失效。
[0004]其中，吸湿失效是影响LED可靠性的一个重要问题。为避免LED吸湿出现使用寿命降低、发光效率降低以及发光颜色红移等现象，在LED制造过程中通常会覆盖一层钝化层，钝化层可保护电极和侧壁，有良好的抗湿抗腐蚀能力，可以理解的，其破损势必会影响LED可靠性。然而在切割过程中不可避免地会造成钝化层的损伤，其中就包括钝化层破裂。此外，在长时间的使用过程中，湿气会沿着钝化层与芯片的界面进行渗透，最本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED钝化层，所述LED钝化层沉积于外延片的表面，其特征在于，所述LED钝化层至少包括第一钝化子层和沉积于所述第一钝化子层上的第二钝化子层，其中，所述第一钝化子层和所述第二钝化子层的表面均呈曲折形状。2.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层的表面形状和所述第二钝化子层的表面形状相同。3.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层为TiO2层，所述第二钝化子层为SiO2。4.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第一钝化子层的厚度为20nm～30nm。5.根据权利要求1所述的LED钝化层，其特征在于，所述第二钝化子层的厚度为75nm～100nm。6.根据权利要求1～5任一项所述的LED钝化层，其特征在于，所述外延片包括衬底及依次沉积于所述衬底上的N型层、有源层、P型层、电流阻挡层、透明导电膜层以及金属电极；所述第一钝化子层沉积于所述N型层上，所述第二钝化子层还敷设于所述有源层、所述P型层、所述透明导电膜层以及金属电极上。7.根据权利要求6所述的LED钝化层，其特征在于，所述透明导电膜层包括ITO、IZO、ZnO材料中的一种或多种。8.一种LED钝...

【专利技术属性】
技术研发人员：周志兵，张星星，林潇雄，胡加辉，金从龙，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：