【技术实现步骤摘要】
显示装置
[0001]本专利技术属于半导体制造领域,具体是有关于一种以微型发光二极管作为显示画素的显示装置。
技术介绍
[0002]近年来,发光二极管(LED)因其特有的优势属性已在照明等领域得以普遍应用,并已取代了原有传统型的照明光源。随着技术的演进,微型发光二极管(Micro LED)具有低功率消耗、高亮度、超高分辨率、超高色彩饱和度、响应速度快、能耗低、寿命长等优点,逐渐成为新一代显示器中的发光元器件。微型发光二极管由于尺寸缩小,制程难度上升,特别是如何提升器件可靠性,降低生产成本为行业内关注的话题。
技术实现思路
[0003]本专利技术为提升微显示装置的量产化提出了解决方案,特别是致力于解决产品可靠性问题、降低整体方案的制作成本。
[0004]在一些实施例中,一种显示装置,包括: 提供驱动控制的驱动基板、作为显示光源的多个微型发光元件以及向微发光元件提供电流的共电极,微型发光元件分散地配置于驱动基板上,每一微型发光元件包括提供电洞复合的磊晶结构层及配置于磊晶结构层相对两侧上的第一电极与第二电极 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示装置,包括: 驱动基板、多个微型发光元件以及共电极,微型发光元件分散地配置于驱动基板上,每一微型发光元件包括磊晶结构层及配置于磊晶结构层相对两侧上的第一电极与第二电极,共电极位于微型发光元件的第一电极之间,共电极设置与第一电极电连接,其特征在于,微型发光元件之间的驱动基板上设置有凹槽,微型发光元件侧壁覆盖有绝缘层,并延伸至凹槽内。2.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,绝缘层覆盖在凹槽内,绝缘层与凹槽接触,凹槽深度大于100纳米,且小于1000纳米。3.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,凹槽的剖面为V型或者U型。4.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,微型发光元件之间的最小间隔为0.1微米至2微米。5.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,共电极与第一电极为一体结构,共电极材料包括透明导电层或者金属层,从俯视上看,共电极呈网格状。6.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,第二电极至少部分位于磊晶结构层和驱动基板之间,微型发光元件通过第二电极与驱动基板键合。7.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,从俯视上看,第二电极的投影面积为0.5平方微米至10平方微米。8.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,凹槽内的绝缘层呈V型或者U型。9.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,微型发光元件之间设置有隔离槽,凹槽设置在隔离槽内。10.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,从俯视上看,第二电极的投影面积为微型发光元件投影面积的0.3至0.8倍,或者0.8倍至1倍。11.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,绝缘层配置至驱动基板上,且至少部分覆盖各微型发光元件的第一电极,而共电极位于绝缘层上,绝缘层覆盖凹槽侧壁,共电极设置在第一电极上表面,其中共电极的透光率小于第一电极的透光率。12.根据权利要求1所述的一种显示装置,其特征在于,绝缘层依次从磊晶结构层侧壁、第二电极侧壁,延伸至凹槽侧壁,绝缘层为绝缘无机物或者绝缘有机物,磊晶结构层侧壁和水平面的夹角为α1,第二电极侧壁和水平面的夹角为α2,凹槽侧壁和水平面的夹角为α3,其中α1、α2、α3为30
°
至80
°
,α1和α2的差值、α2和α3的差值不大于20
°
...
【专利技术属性】
技术研发人员:林科闯,刘鹏,何安和,黄少华,曾明俊,黎小蒙,王鸿伟,
申请(专利权)人:厦门三安光电有限公司,
类型:发明
国别省市:
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