LED芯片的制备方法及LED基板技术

本申请具体涉及LED芯片的制备方法及LED基板，制备方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底上形成第一金属膜层，并对第一金属膜层进行光刻处理形成第一金属阻隔块；在衬底和第一金属阻隔块上形成保护层，并对保护层进行光刻处理获得保护块；在衬底、保护块和阻隔部上形成第二金属膜层，并对第二金属膜层进行光刻处理形成第二金属阻隔块；在衬底、第二金属阻隔块和阻隔部上形成外延层；对外延层进行刻蚀处理，以去除第二金属阻隔块上的外延层和阻隔部上的外延层；去除第一金属阻隔块和第二金属阻隔块；在外延层远离衬底的一侧形成电极。本方案通过在外延层侧壁上增加保护块，利用电感耦合等离子体刻蚀时对外延层的侧壁进行保护，保证了LED芯片的发光效率。了LED芯片的发光效率。了LED芯片的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片的制备方法及LED基板


[0001]本申请属于芯片
，具体涉及一种LED芯片的制备方法及LED基板。

技术介绍

[0002]随着发光二极管(Light Emitting Diode，简称：LED)技术的发展，LED芯片已广泛应用于照明、指示、显示和背光源中，半导体晶片的切割技术对生产出的LED芯片的亮度造成一定程度的影响。
[0003]其中，microled显示技术因其高稳定性、长寿命、更佳的显示效果、更高分辨率被人们认为是未来最佳的显示技术。microled芯片在制作过程中利用电感耦合等离子体刻蚀时，容易对LED的侧壁造成损伤，导致LED边缘发光效率下降。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种LED芯片的制备方法及LED基板，能够在电感耦合等离子体刻蚀时对LED的侧壁进行保护。
[0005]本申请第一方面提供了一种LED芯片的制备方法，包括以下步骤：
[0006]提供衬底；
[0007]在所述衬底上形成第一金属膜层，并对所述第一金属膜层进行光刻处理形成第一金属阻隔块本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底；在所述衬底上形成第一金属膜层，并对所述第一金属膜层进行光刻处理形成第一金属阻隔块；所述第一金属阻隔块包括承接部和阻隔部，所述阻隔部设于所述承接部远离所述衬底的一侧，所述承接部在所述衬底上的正投影位于所述阻隔部在所述衬底上的正投影内；在所述衬底和所述第一金属阻隔块上形成保护层，并对所述保护层进行光刻处理获得保护块，所述保护块覆盖所述承接部并环绕所述阻隔部设置；在所述衬底、所述保护块和所述阻隔部上形成第二金属膜层，并对所述第二金属膜层进行光刻处理形成第二金属阻隔块，所述第二金属阻隔块设于所述保护块远离所述衬底的一侧；在所述衬底、所述第二金属阻隔块和所述阻隔部上形成外延层，位于所述衬底上的所述外延层侧壁与所述保护块连接，且位于所述衬底上的所述外延层的高度小于或等于所述保护块和所述承接部的高度之和；对所述外延层进行刻蚀处理，以去除所述第二金属阻隔块上的所述外延层和所述阻隔部上的所述外延层；去除所述第一金属阻隔块和所述第二金属阻隔块；在所述外延层远离所述衬底的一侧形成电极。2.根据权利要求1所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，形成保护块包括如下步骤：通过原子层沉积并以三甲基铝和水蒸气为反应气体以及氮气为载气，在所述衬底和所述第一阻隔块上形成氧化铝保护层。3.根据权利要求2所述的LED芯片的制备方法，其特征在于，在形成所述保护块后还包括如下步骤：在700℃至1200℃的温度下，对所述保护块进行退火处理。4.根据权利要求1或3所述的LE...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒲洋，李荣荣，
申请(专利权)人：惠科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：