【技术实现步骤摘要】
发光器件和转移装置
[0001]本专利技术涉及一种显示
,尤其涉及一种发光器件和转移装置。
技术介绍
[0002]Micro LED(微型发光二极管)显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点,在显示方面与LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势,因此其常作为一种发光器件应用在各种场所中。
[0003]但是现有的Micro LED发光角度大,无法实现窄发光,因此当其应用在AR(augmented reality,增强现实)、MR(mixed reality,混合现实)Micro
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LED显示面板、高亮车载以及微型器件转移装置等需要窄发光光源的应用场景时,现有的Micro LED难以满足其需求。
技术实现思路
[0004]因此,为克服现有技术存在的至少部分缺陷与不足,本专利技术实施例提供的一种发光器件以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种发光器件,其特征在于,包括:发光功能层,设置有出光面;第一电极,设置在所述发光功能层的一侧且电连接所述发光功能层;第二电极,设置在所述发光功能层上与所述第一电极的同一侧且分别电连接所述发光功能层;遮光层,覆盖在所述出光面上,所述遮光层上设置有出光口以露出所述发光功能层发出的光线,所述出光口的面积小于所述出光面的面积。2.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光功能层包括:第一掺杂类型半导体层,电连接所述第一电极;第二掺杂类型半导体层,电连接所述第二电极;有源层,设置所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体之间;缓冲层,位于所述第二掺杂类型半导体层远离所述第二电极的一侧;其中,所述出光面位于所述缓冲层远离所述第二掺杂类型半导体层的一侧,所述第一电极位于所述第一掺杂类型半导体层远离所述有源层的一侧,所述第二电极位于所述第二掺杂类型半导体层远离所述缓冲层的一侧。3.如权利要求1所述的发光器件,其特征在于,所述发光功能层包括:第一掺杂类型半导体层,连接所述第一电极;第二掺杂类型半导体层,连接所述第二电极;有源层,设置所述第一掺杂类型半导体层和所述第二掺杂类型半导体之间;缓冲层,位于所述第二掺杂类型半导体层背离所述第二电极的一侧;其中,所述出光面和所述第一电极位于所述第一掺杂类型半导体层远离所述有源层的一侧,所述第一电极贯穿所述遮光层且连接所述第一掺杂类型半导体层,所述第二电极位于所述第二掺杂类型...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊勇,
申请(专利权)人:厦门市芯颖显示科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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