【技术实现步骤摘要】
寻址转移设备和寻址转移方法
[0001]本专利技术涉及半导体
,尤其涉及一种寻址转移设备和一种寻址转移方法。
技术介绍
[0002]Micro
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LED(Micro light
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emitting diode,微型发光二极管)显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点,成为人们追求新一代显示技术的研究热点。目前Micro
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LED难以在玻璃基板上直接生长出来,需要依靠转移技术将载体基板上的Micro
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LED转移到玻璃基板上。现有技术中常用的转移技术有印章转移、激光转移等转移技术,但是印章转移技术只能进行固定位置转移,无法针对随机缺陷进行巨量修复转移,激光转移技术需要逐点转移,无法进行选择性转移,转移效率和转移良率较低。
技术实现思路
[0003]因此,为克服现有技术中存在的至少部分缺陷和不足,本专利技术实施例提供一种寻址转移设备和一种寻址转移方法。
[0004]具体地,一方面,本专利技术实施例提供的一种寻址转移设 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种寻址转移设备,其特征在于,包括:转移基板;驱动基板,设置在所述转移基板的一侧;多个解粘光源,相互间隔地设置在所述驱动基板远离所述转移基板的一侧,所述多个解粘光源电连接所述驱动基板,所述驱动基板用于点亮或关闭所述多个解粘光源中的目标解粘光源;以及光解粘胶转移头,设置在所述驱动基板上且覆盖所述多个解粘光源,所述光解粘胶转移头用于粘附微电子元件、并在经过所述目标解粘光源照射后释放对应的所述微电子元件至目标基板。2.如权利要求1所述的寻址转移设备,其特征在于,所述光解粘胶转移头包括相互间隔设置的多个凸起,所述多个凸起与所述多个解粘光源一一对应。3.如权利要求2所述的寻址转移设备,其特征在于,所述目标基板上的两个相邻所述微电子元件间的距离为所述寻址转移设备上两个相邻所述解粘光源间的距离的整数倍。4.如权利要求1所述的寻址转移设备,其特征在于,每个所述解粘光源的出光角度α为:α<90
°‑
arcsin(1/n),其中α为出光角度,n为所述光解粘胶转移头的折射率。5.如权利要求1所述的寻址转移设备,其特征在于,所述多个解粘光源为红外光LED光源,所述光解粘胶转移头为红外光解粘胶转移头。6...
【专利技术属性】
技术研发人员:樊勇,
申请(专利权)人:厦门市芯颖显示科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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