Flash读写系统技术方案

本发明专利技术揭示了一种Flash读取缓存系统，所述Flash读取缓存系统包括：AHB总线，以及分别与所述AHB总线和所述Flash模块电性连接的高速缓存模块，所述高速缓存模块设置于AHB总线与Flash模块之间；所述高速缓存模块配置为，存储所述Flash模块内的数据，并在第一状态下接受CPU对Flash数据的直接调用，完成CPU对Flash模块的读写配置，本发明专利技术提供的Flash读取缓存系统通过在AHB总线与Flash模块之间设置高速缓存模块，通过CPU选择性调取Flash模块内的数据或直接调用高速缓存模块内的Flash数据，无需等待周期，减少Flash的访问，降低系统功耗，能够提高Flash数据的读取速率，避免重复存取数据，减少CPU等待时间，提高系统效率。提高系统效率。提高系统效率。

【技术实现步骤摘要】
Flash读写系统


[0001]本专利技术涉及数据存储
，尤其涉及一种Flash读写系统。

技术介绍

[0002]FLASH闪存是属于内存器件的一种，是一种非易失性(Non
‑
Volatile)内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
[0003]现有的Flash数据读取过程中，CPU(Central Processing Unit，中央处理器)需要多个周期等待才能进行数据读取，Flash数据读取效率较低，且在CPU读取数据过程中需要系统频率达到要求时才能将Flash数据安全读出，系统效率较低。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的之一在于提供一种Flash读写系统，以解决现有技术中CPU读取Flash数据需要较长的等待时间，以及读取效率较低的技术问题。
[0005]为实现上述专利技术目的之一，本专利技术一实施方式提供一种Flash读写系统，用于读取Flash模块内存储的数据，其特征在于，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Flash读写系统，用于读取Flash模块内存储的数据，其特征在于，所述Flash读写系统包括：AHB总线，以及分别与所述AHB总线和所述Flash模块电性连接的高速缓存模块，所述高速缓存模块设置于AHB总线与Flash模块之间；所述高速缓存模块配置为，存储所述Flash模块内的数据，并在第一状态下接受CPU对Flash数据的直接调用，完成CPU对Flash模块的读写配置。2.根据权利要求1所述的Flash读写系统，其特征在于，所述Flash读写系统配置为，在第二状态下控制所述CPU直接对所述Flash模块执行读写配置。3.根据权利要求2所述的Flash读写系统，其特征在于，所述Flash读写系统还包括总线接口模块，所述AHB总线通过所述总线接口模块与所述高速缓存模块电性连接；所述总线接口模块配置为，根据AHB总线地址，判断读写所述Flash模块或所述高速缓存模块。4.根据权利要求1所述的Flash读写系统，其特征在于，所述Flash读写系统还包括寄存器模块，所述寄存器模块分别与所述AHB总线、所述高速缓存模块与Flash模块电性连接，所述寄存器模块用于存储所述CPU运算的数据。5.根据权利要求4所述的Flash读写系统，其特征在于，所述Flash读写系统还包括擦写模块，所述擦写模块分别与所述Flash模块、AHB总线电...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈家敏，石国城，张季润，岳海群，董厚希，杨维，王荣华，王成，
申请(专利权)人：芯弦半导体苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：