半导体器件制造技术

本发明专利技术涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括多个第一线结构，其在第一方向上延伸，多个第一线结构中的每一个包括在固定磁化方向上呈现磁化的第一钉扎层；多个第二线结构，其与第一线结构间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第一自由层，其每一个均呈现具有可变的磁化方向的磁化，第一自由层在第一线结构和第二线结构之间分别与第一线结构和第二线结构的交叉区域重叠；以及第一隧道势垒层，其插置在第一线结构和第一自由层之间。间。间。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利文件要求于2021年12月20日提交的第10
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2021
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0182952号韩国专利申请的优先权和权益，其整体通过引用并入本文。


[0003]本专利文件涉及存储电路或存储器件。

技术介绍

[0004]电气与电子行业朝向小型化、低功耗、高性能以及多功能化的近期趋势已促使半导体制造商聚焦于高性能、高容量的半导体器件。这样的高性能、高容量的半导体器件的示例包括半导体器件(诸如能够使用根据所施加的电压或电流在不同的电阻状态之间切换的特性来存储数据的存储器件)，例如，电阻随机存取存储器(RRAM)、相变随机存取存储器(PRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)、磁随机存取存储器(MRAM)以及电熔丝(E
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fuse)。

技术实现思路

[0005]在本专利文件中所公开的技术包括具有改善的操作特性和简单的制造工艺的存储器件的多个实施例。
[0006]在实施例中，半导体器件包括：多个第一线结构，其在第一方向本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：多个第一线结构，其在第一方向上延伸，所述多个第一线结构中的每一个包括在固定磁化方向上呈现磁化的第一钉扎层；多个第二线结构，其与所述第一线结构间隔开并且在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第一自由层，其每一个均呈现具有可变的磁化方向的磁化，所述第一自由层在所述第一线结构和所述第二线结构之间分别与所述第一线结构和所述第二线结构的交叉区域重叠；以及第一隧道势垒层，其插置在所述第一线结构和所述第一自由层之间。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隧道势垒层与所述第一自由层重叠并且具有与所述第一自由层的侧壁对齐的侧壁。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隧道势垒层与所述第一线结构重叠并且具有与所述第一线结构的侧壁对齐的侧壁。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一隧道势垒层具有与所有所述多个第一自由层重叠的板状。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二线结构包括其电阻率小于所述第一线结构的电阻率的导电材料。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述第一线结构的厚度大于所述第二线结构的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一线结构和所述第二线结构具有相同的层结构。8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：多个第三线结构，其与所述第二线结构间隔开并且在所述第一方向上延伸；多个第二自由层，其在所述第二线结构和所述第三线结构之间分别与所述第二线结构和所述第三线结构的交叉区域重叠，所述多个第二自由层中的每一个具有可变的磁化方向；以及第二隧道势垒层，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐秀万，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：