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本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括多个第一线结构，其在第一方向上延伸，多个第一线结构中的每一个包括在固定磁化方向上呈现磁化的第一钉扎层；多个第二线结构，其与第一线结构间隔开并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；多个第一自由层，其每...
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