无应力减薄设备制造技术

本发明专利技术公开了无应力减薄设备，包括承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂，所述蚀刻工作台通过支撑架设置在承接箱中，所述蚀刻工作台中设有蚀刻化学液盒，蚀刻化学液盒中有用于对晶圆进行蚀刻的化学液体，且蚀刻化学液盒外侧设有过滤框，其中过滤框呈矩形框状，并套设在蚀刻工作台外侧部用于过滤从蚀刻化学液盒中溢流出来的带有副产物的化学液。本发明专利技术中的无应力减薄设备为单面蚀刻设备，采用了关键的线性扫描蚀刻技术，可以提供出色的单面蚀刻性能，该技术几乎消除了所有与传输相关的及中心对称的不均匀性，从而在超薄大型基板上提供高均匀性和单面性，可广泛用于MEMS制造中晶圆的无应力减薄，以及其它行业中需要进行表面无应力减薄的材料。减薄的材料。减薄的材料。

【技术实现步骤摘要】
无应力减薄设备


[0001]本专利技术涉及单面蚀刻设备
，尤其涉及无应力减薄设备。

技术介绍

[0002]在半导体制程上，蚀刻是不可或缺的技术，蚀刻指的是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。蚀刻机是在芯片生产的过程中所必须使用的一种设备，这种设备的作用就好像是雕刻中的刻刀一样，把一块完整的金属板中不需要的部分给去除掉，剩下的就是需要的电路。
[0003]现有的蚀刻设备在自旋或者喷雾系统中存在的大径向速度梯度上稳定边界层需要定制化学液体，使得使用较为不便。
[0004]为此，我们提出无应力减薄设备来解决上述问题。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的无应力减薄设备。
[0006]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下技术方案：
[0007]无应力减薄设备，包括承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂，承接箱、蚀刻工作台与晶圆携持臂皆设置在单面蚀刻设备的壳体内，所述蚀刻工作台通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.无应力减薄设备，包括承接箱(1)、蚀刻工作台(4)与晶圆携持臂(7)，其特征在于，所述蚀刻工作台(4)通过支撑架(3)设置在承接箱(1)中，所述蚀刻工作台(4)中设有蚀刻化学液盒(5)，且蚀刻化学液盒(5)外侧设有过滤框(6)并套设在蚀刻工作台(4)外侧部。2.根据权利要求1所述的无应力减薄设备，其特征在于，所述支撑架(3)包括两个支撑横板(310)，且两个支撑横板(310)底部靠近两端的位置皆设有加强板(320)，两个支撑横板(310)的同一端皆设有通过螺栓与承接箱(1)内壁连接的连接块(340)，两个支撑横板(310)顶部远离连接块(340)的位置皆设有搭接块(330)；所述蚀刻工作台(4)底部开设有供搭接块(330)进行插设的搭接孔(450)。3.根据权利要求1所述的无应力减薄设备，其特征在于，所述蚀刻工作台(4)顶部中间位置贯穿开设有用于安放蚀刻化学液盒(5)的安装孔(410)；所述蚀刻化学液盒(5)表面固定套设有连接环(510)，所述蚀刻化学液盒(5)表面还连通设有用将化学液注入到蚀刻化学液盒(5)中的进液管(520)。4.根据权利要求1所述的无应力减薄设备，其特征在于，所述蚀刻工作台(4)顶部位于安装孔(410)外部固定设有导流边(420)，所述蚀刻工作台(4)顶部开设有用于将蚀刻工作台(4)顶部化学液导流下去的导流槽(430)。5.根据权利要求1所述的无应力减薄设备，其特征在于，所述过滤框(6)内侧壁靠近顶部拐角处的位置固定设有限位块(610)，所述蚀刻工作台(4)顶部靠近拐角处的位置开设有与限位块(610)相匹配的限位槽(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：王解兵，袁争，
申请(专利权)人：东润万博科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：