LED芯片封装结构、发光产品制造技术

本发明专利技术涉及一种LED芯片封装结构，包括金属基金刚石散热层、LED芯片、隔离框架以及导电电极；LED芯片和隔离框架均与金属基金刚石散热层连接，且隔离框架环绕LED芯片设置；隔离框架包括绝缘层，导电电极与绝缘层连接，且悬空设置于金属基金刚石散热层之上，导电电极通过引线与LED芯片电性连接。本申请提供的LED芯片封装结构，导电电极设置于隔离框架的绝缘层上且与金属基金刚石散热层悬空，避免了导电电极与金属基金刚石散热层直接接触造成的短路风险，使具有高散热性能的金属基金刚石散热层能够安全应用于LED芯片封装结构中，有效实现热电分离，有利于提高芯片的封装密度和发光效率以及长期可靠性。以及长期可靠性。以及长期可靠性。

【技术实现步骤摘要】
LED芯片封装结构、发光产品


[0001]本专利技术涉及LED封装
，特别是涉及LED芯片封装结构、发光产品。

技术介绍

[0002]LED(半导体发光二极管)封装是指对发光芯片进行封装的技术，通过封装可以提高对发光芯片的保护能力，能够防止芯片在空气中长期暴露或机械损伤而失效，以提高芯片的稳定性；通过封装技术还可以使LED具有更高的发光效率和散热效率，从而有利于提高LED的长期可靠性和产品寿命。
[0003]目前常见的LED芯片封装主要包括正装、倒装和垂直封装三种形式。封装方案则有表面贴装器件(Surface Mounted Devices，SMD)、矩阵式集成封装(Integrated Matrix Devices，IMD)、板上芯片封装(Chip on board，COB)等。LED封装使用的材料包括散热基板、荧光粉以及灌封胶等，其中散热基板包括印刷电路板(PCB)、金属核印刷电路板(MCPCB)、陶瓷基板等，散热基板的热导率通常不超过250W/(m
·
k)，但随着LED功率、封装密度的不断增加，常规的散热基板已不能满足当下的散热需求。
[0004]金属基金刚石是一种高导热、低热膨胀系数的复合材料，其热导率最高可到1000w/(m
·
k))，导热能力强，非常适合用作为LED封装的高导热基板。但金属基金刚石具有导电性，在表面直接制造电路会导致电路短路。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要提供一种能够提高散热能力且能够有效避免电路短路的LED芯片封装结构、发光产品。
[0006]第一个方面，本申请提供一种LED芯片封装结构，包括金属基金刚石散热层、LED芯片、隔离框架以及导电电极；
[0007]所述LED芯片和隔离框架均与所述金属基金刚石散热层连接，且所述隔离框架环绕所述LED芯片设置；
[0008]所述隔离框架包括绝缘层，所述导电电极与所述绝缘层连接，且悬空设置于所述金属基金刚石散热层之上，所述导电电极通过引线与所述LED芯片电性连接。
[0009]在其中一个实施例中，所述隔离框架环绕所述LED芯片形成闭合的环绕结构。
[0010]在其中一个实施例中，所述导电电极与所述绝缘层的顶面连接。
[0011]在其中一个实施例中，所述导电电极与所述绝缘层的侧面连接，可选地，所述导电电极贯穿所述绝缘层的侧面。
[0012]在其中一个实施例中，所述导电电极为平面结构或呈立体结构。
[0013]在其中一个实施例中，所述导电电极包括导电正极和导电负极，所述导电正极和所述导电负极连接于所述绝缘层的不同位置处，所述导电正极通过引线与所述LED芯片的正极引脚电性连接，所述导电负极通过引线与所述LED芯片的负极引脚电性连接。
[0014]在其中一个实施例中，所述LED芯片的正极引脚和负极引脚各自独立地位于远离
所述金属基金刚石散热层的一侧，所述LED芯片靠近所述金属基金刚石散热层的一侧绝缘。
[0015]在其中一个实施例中，所述LED芯片有多个且为阵列结构；
[0016]在所述阵列结构中，同一行的多个所述LED芯片间通过引线串联，最外侧的两个所述LED芯片中，其中一个所述LED芯片通过所述引线与所述导电正极电性连接，另一个所述LED芯片通过所述引线与所述导电负极电性连接；各行所述LED芯片通过所述导电正极和所述导电负极并联。
[0017]在其中一个实施例中，还包括粘接层，所述金属基金刚石散热层与所述隔离框架和/或与所述LED芯片通过所述粘接层连接。
[0018]在其中一个实施例中，还包括封装层，所述封装层位于所述隔离框架形成的闭合的环绕结构内，且覆盖所述LED芯片、所述引线以及在所述环绕结构内的所述金属基金刚石散热层表面。
[0019]第二个方面，本申请还提供了一种发光产品，包括如本申请第一个方面所述的LED芯片封装结构。
[0020]本申请提供的LED芯片封装结构，在金属基金刚石散热层的同一侧设置LED芯片、隔离框架以及导电电极，导电电极设置于隔离框架的绝缘层上且与金属基金刚石散热层悬空，避免了导电电极与金属基金刚石散热层直接接触造成的短路风险，使具有高散热性能的金属基金刚石散热层能够安全应用于LED芯片封装结构中，有效实现热电分离，有利于提高芯片的封装密度和发光效率以及长期可靠性。
附图说明
[0021]图1为一实施例中LED芯片封装结构的俯视图；
[0022]图2为一实施例中LED芯片封装结构隔离框架中的绝缘层与导电电极的位置关系示意图；
[0023]图3为另一实施例中LED芯片封装结构隔离框架中的绝缘层与导电电极的位置关系示意图；
[0024]图4为一实施例中LED芯片封装结构关于金属基金刚石散热层、粘接层以及LED芯片的局部结构放大图；
[0025]图5为一实施例中LED芯片封装结构包括封装层的结构示意图。
[0026]附图标记说明：
[0027]10：LED芯片封装结构；110：金属基金刚石散热层；120：LED芯片；121：正极引脚；122：负极引脚；130：隔离框架；131：绝缘层；140：导电电极；141：导电正极；142：导电负极；150：引线；160：粘接层；170：封装层。
具体实施方式
[0028]为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。
[0029]在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、
“
厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0030]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
[0031]在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片封装结构，其特征在于，包括金属基金刚石散热层、LED芯片、隔离框架以及导电电极；所述LED芯片和所述隔离框架均与所述金属基金刚石散热层连接，且所述隔离框架环绕所述LED芯片设置；所述隔离框架包括绝缘层，所述导电电极与所述绝缘层连接，且悬空设置于所述金属基金刚石散热层之上，所述导电电极通过引线与所述LED芯片电性连接。2.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述隔离框架环绕所述LED芯片形成闭合的环绕结构。3.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电电极与所述绝缘层的顶面连接。4.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电电极与所述绝缘层的侧面连接，可选地，所述导电电极贯穿所述绝缘层的侧面。5.根据权利要求1所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电电极为平面结构或呈立体结构。6.根据权利要求1～5任一项所述的LED芯片封装结构，其特征在于，所述导电电极包括导电正极和导电负极，所述导电正极和所述导电负极连接于所述绝缘层的不同位置处，所述导电正极通过引线与所述LED芯片的正极引脚电性连接，所述导电负极通过引线与所述LED芯片的负极引脚电...

【专利技术属性】
技术研发人员：王郑，王金，李生权，
申请(专利权)人：佛山华智新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：