存储阵列、存储单元及其数据读写方法技术

本公开提供一种存储阵列、存储单元及其数据读写方法，通过在MRAM的存储阵列中的每个存储单元中设置两个存储节点，使得存储单元中一个存储节点失效时，还可以使用该存储单元另一个存储节点进行写入数据和读取数据，从而延长了存储单元的耐久力和保持力，进而提高了存储单元的使用寿命，增加MRAM的稳定性。增加MRAM的稳定性。增加MRAM的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
存储阵列、存储单元及其数据读写方法


[0001]本公开涉及存储器
，尤其涉及一种存储阵列、存储单元及其数据读写方法。

技术介绍

[0002]磁性随机存储器(Magnetic Random Access Memory，简称：MRAM)是一种非易失性的存储器，具有读写速度较高、集成度较高且重复读写次数较多等特点，在目前的计算机等设备中得到了较为广泛的应用。
[0003]现有技术中，MRAM包括多个存储单元构成的存储阵列，每个存储单元可以通过其磁性隧道结(Magnetic Tunnel Junction，简称：MTJ)进行数据(“0”或者“1”)的读取操作或者写入操作。
[0004]然而现有技术中，由于存储单元内的磁性隧道结易损坏、有效寿命较短，导致MRAM的稳定性较差。

技术实现思路

[0005]本公开提供一种存储阵列、存储单元及其数据读写方法，以解决MRAM的稳定性较差的技术问题。
[0006]本公开第一方面提供一种存储单元，包括：第一存储节点，所述第一存储节点分别与晶体管的第一端和第一位线连接；第二本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，包括：第一存储节点，所述第一存储节点分别与晶体管的第一端和第一位线连接；第二存储节点，所述第二存储节点分别与所述晶体管的第一端和第二位线连接；所述晶体管，所述晶体管的第二端连接源极线，所述晶体管的第三端连接字线。2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：所述第一存储节点和所述第二存储节点并联设置。3.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于：所述第一存储节点包括第一磁性隧道结，所述第一磁性隧道结的第一端连接所述第一位线、所述第一磁性隧道结的第二端连接所述晶体管的第一端，所述第一磁性隧道结具有第一磁特性；所述第二存储节点包括第二磁性隧道结，所述第二磁性隧道结的第一端连接所述第二位线、所述第二磁性隧道结的第二端连接所述晶体管的第一端，所述第二磁性隧道结具有第二磁特性；所述第一磁特性与所述第二磁特性不同。4.根据权利要求3所述的存储单元，其特征在于：所述第一磁性隧道结和/或所述第二磁性隧道结包括：底电极层、自由层、隧道势垒层、参考层、顶电极层。5.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，还包括：开关结构；所述开关结构用于控制其第一端和第三端导通，或者控制其第二端和第三端导通。6.一种存储阵列，其特征在于，包括：m条源极线，m条字线，n条第一位线和n条第二位线，m行n列存储单元，其中，所述存储单元为如权利要求1至5中任一项所述的存储单元，m和n为正整数；位于同一行的每个所述存储单元连接同一条字线，位于同一行的每个所述存储单元连接同一条源极线，位于同一列的每个所述存储单元的所述第一存储节点连接同一条第一位线，位于同一列的每个所述存储单元的第二存储节点连接同一条第二位线。7.根据权利要求6所述的存储阵列，其特征在于：所述第一位线和所述第二位线并联设置。8.一种存储单元的数据读写方法，其特征在于，包括：对权利要求1至5中任一项所述的存储单元进行数据写入或者数据读取。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述对存储单元进行数...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴玉雷，王晓光，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：