非易失性存储器件制造技术

提供了一种非易失性存储器件，该非易失性存储器件包括：存储单元阵列；第一电压生成器，该第一电压生成器被配置为为该存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，该第二电压生成器被配置为生成该存储单元阵列的位线操作电压；以及温度单元，该温度单元被配置为：根据该存储单元阵列的实时温度，从温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整该第一电压生成器或该第二电压生成器的供电电压。电电压。电电压。

【技术实现步骤摘要】
非易失性存储器件


[0001]本公开涉及存储器件，更具体地，涉及根据存储器件的温度状态执行温度补偿的非易失性存储器件。

技术介绍

[0002]半导体存储器件是使用诸如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等半导体的存储器件。半导体存储器件可以大致分为易失性存储器件或非易失性存储器件。
[0003]非易失性存储器件是即使当电力供应中断时也能保持数据的存储器件。非易失性存储器件的示例包括只读存储器(ROM)、可编程ROM、电可编程ROM(EPROM)、电可擦除可编程ROM(EEPROM)、闪存器件、相变随机存取存储器(PRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(RRAM)、铁电随机存取存储器(FRAM)等。闪存器件可以宽泛地分为NOR闪存和NAND闪存。
[0004]非易失性存储器件可以包括在例如MP3播放器、数码相机、智能手机、摄像机、闪存卡、固态硬盘(SSD)等中。在非易失性存储器件的操作期间，生成位线操作电压和字线操作电压来控制存储单元。在此情况下，如果没有根据温度调整位线操作电压和字线操作电压，则由存储单元读出的数据中可能出现错误。

技术实现思路

[0005]本公开的各方面提供了一种非易失性存储器件及其操作方法，该非易失性存储器件通过针对每个操作温度范围自适应地补偿操作电压而具有改进的操作性能。
[0006]本公开的各方面提供了一种非易失性存储器件及其操作方法，该非易失性存储器件通过在使用数字温度传感器的时针对每个温度范围改变补偿来提供更可靠的数据。
[0007]然而，本公开的各方面并不限于本文所描述的那些。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的上述和其他方面对于本公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。
[0008]根据本公开的一个方面，提供了一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；地址译码器，所述地址译码器被配置为从地址信号译码出行地址和列地址；第一电压生成器，所述第一电压生成器被配置为根据所译码出的行地址为所述存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，所述第二电压生成器被配置为根据所译码出的列地址生成所述存储单元阵列的位线操作电压；页缓冲电路，所述页缓冲电路被配置为根据所述位线操作电压启用并存储要存储在至少一个存储单元中或从所述至少一个存储单元读取的数据；以及温度单元，所述温度单元被配置为：根据所述存储单元阵列的实时温度，从存储映射到多个温度范围中的每一者的多个选择信号的温度范围表中确定温度代码的温度范围，并且基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整所述第一电压生成器或所述第二电压生成器中的至少一者的供电电压。
[0009]根据本公开的另一方面，提供了一种非易失性存储器件，包括：单元区域，所述单
元区域位于第一基板上并且包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域位于所述第二基板上，并且包括多个电路元件和温度单元，所述多个电路元件被配置为访问所述存储单元阵列，所述温度单元被配置为：感测所述存储单元阵列的实时温度，并从多个温度范围中确定所感测到的实时温度所属的温度范围，以及基于映射到所确定的温度范围的补偿值来调整要施加到所述存储单元阵列的操作电压。
[0010]根据本公开的又一方面，提供了一种非易失性存储器件，包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；数字温度传感器，所述数字温度传感器位于所述存储单元阵列下方，并被配置为测量所述存储单元阵列的实时温度，并根据所述实时温度输出温度代码；第一地址译码器和电压生成器，所述第一地址译码器和电压生成器与所述存储单元阵列的至少一条字线连接，并且被配置为根据译码出的字线地址向所述至少一条字线施加字线操作电压；第二地址译码器和电压生成器，所述第二地址译码器和电压生成器与所述存储单元阵列的至少一条位线连接，并且被配置为根据译码出的位线地址向所述至少一条位线施加位线操作电压；多个页缓冲电路，所述多个页缓冲电路与所述存储单元阵列的所述至少一条位线连接，并且被配置为向与所译码出的字线地址和所译码出的位线地址相对应的存储单元发送数据和/或接收存储的数据；以及温度单元，所述温度单元被配置为控制所述字线操作电压或所述位线操作电压中的至少一者，使得基于根据多个温度范围中的针对所述温度代码的温度范围所选择的补偿值来调整所述字线操作电压的电压电平或所述位线操作电压的电压电平中的至少一者。
[0011]应当注意，本公开的效果不限于上面描述的那些，并且根据以下的描述，本公开的其他效果将是明显的。
附图说明
[0012]通过参考附图详细描述本公开的一些示例实施例，本公开的上述和其他方面和特征将变得更加明显，其中：
[0013]图1是示出根据本公开的一些示例实施例的存储器系统的框图；
[0014]图2是示出根据本公开的一些示例实施例的非易失性存储器件的框图；
[0015]图3是更详细地示出图2的示例温度单元的框图；
[0016]图4A和图4B示出了用于解释根据一些示例实施例的温度单元的操作的图；
[0017]图5是根据一些示例实施例的温度范围表；
[0018]图6是用于解释根据一些示例实施例的适用于非易失性存储器件的三维V
‑
NAND结构的示图；
[0019]图7是更详细地示出图2的页缓冲电路和控制逻辑的示例的框图；
[0020]图8是示出图3的页缓冲电路中包括的一个页缓冲电路的示图；
[0021]图9是图8的页缓冲电路中的数据锁存节点的操作的时序图；
[0022]图10至图12是用于解释根据一些示例实施例的存储器件的操作的示图；
[0023]图13是示出被应用根据一些示例实施例的存储器系统的系统的示意图；以及
[0024]图14和图15是根据一些实施例的非易失性存储器件的截面图。
具体实施方式
[0025]在下文中，将参照图1至图15描述根据本公开的一些示例实施例的存储器件。除非另有说明，否则在所有附图和书面描述中，相同的附图标记表示相同的元件，因此将不再重复描述。
[0026]本公开所描述的功能块可以表示处理(和/或执行)至少一个功能或操作的元件，并且除非另有说明，否则可以包括在处理电路中(和/或实现为处理电路)，例如处理电路为硬件、软件或者硬件和软件的组合。例如，处理电路更具体地可以包括以下(和/或被包括在以下中)，但不限于：处理器(和/或多个处理器)、中央处理单元(CPU)、控制器、算术逻辑单元(ALU)、数字信号处理器、微型计算机、现场可编程门阵列(FPGA)、片上系统(SoC)、可编程逻辑单元、微处理器、专用集成电路(ASIC)等。
[0027]尽管诸如“第一”、“第二”、“第三”等术语在此可用于描述各种元件、组件、区域、层和/或区段，但是这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分开来。因此，这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；地址译码器，所述地址译码器被配置为从地址信号译码出行地址和列地址；第一电压生成器，所述第一电压生成器被配置为根据所译码出的行地址为所述存储单元阵列的每条字线生成字线操作电压；第二电压生成器，所述第二电压生成器被配置为根据所译码出的列地址生成所述存储单元阵列的位线操作电压；页缓冲电路，所述页缓冲电路被配置为根据所述位线操作电压启用并存储要存储在至少一个存储单元中或从所述至少一个存储单元读取的数据；以及温度单元，所述温度单元被配置为：从存储分别映射到多个温度范围的多个选择信号的温度范围表中确定出根据所述存储单元阵列的实时温度的温度代码所对应的温度范围，并且，基于映射到所确定的温度范围的选择信号来调整所述第一电压生成器或所述第二电压生成器中的至少一者的供电电压。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述温度单元包括：数字温度传感器，所述数字温度传感器被配置为实时测量所述非易失性存储器件的温度，并将所测量的温度输出为所述温度代码；系数选择器，所述系数选择器被配置为基于映射到所确定的温度范围的所述选择信号，输出分别与所述多个选择信号相对应的多个系数中的系数；以及截距选择器，所述截距选择器被配置为基于映射到所确定的温度范围的所述选择信号，输出分别与所述多个选择信号相对应的多个截距中的截距。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述温度单元还包括：乘法器，所述乘法器被配置为将所述温度代码乘以所输出的系数；加法器，所述加法器被配置为将所输出的截距与所述乘法器的输出相加；多路选择器，所述多路选择器被配置为当所述数字温度传感器被启用时输出所述加法器的输出；比较器，所述比较器被配置为通过将先前补偿电平与当前参考电压进行比较来输出当前补偿电平，与所述加法器的输出信号相对应的电阻值被应用于所述当前参考电压；以及温度补偿晶体管，所述温度补偿晶体管被配置为根据所述当前补偿电平被门控，并生成调整后的供电电压。4.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲电路包括：预充电电路，所述预充电电路包括由从控制电路输出的位线设置信号控制的至少一个晶体管；以及切断电路，所述切断电路包括由位线切断信号控制的至少一个晶体管，其中，所述第二电压生成器包括位线切断信号生成器，所述位线切断信号生成器被配置为根据所述温度单元的供电电压输出来调整所述位线切断信号的电压电平。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器件，其中，所述位线切断信号生成器被配置为：根据基于映射到所确定的温度范围的所述选择信号所确定的当前补偿电平，来调整所述位线切断信号的电压电平。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器件，其中，
所述地址译码器还被配置为：根据从所述地址信号译码出的所述行地址选择多条字线中的至少一条字线，并且将所述字线操作电压施加到每条所选字线，并且所述第一电压生成器被配置为：根据基于映射到所确定的温度范围的所述选择信号所确定的当前补偿电平，来调整所述字线操作电压的电压电平。7.根据权利要求2所述的非易失性存储器件，其中，所述多个系数和所述多个截距包括：与位线操作相关联的多个位线系数，每一个所述位线系数对应于所述多个温度范围中的相应温度范围；与所述位线操作相关联的多个位线截距，每一个所述位线截距对应于所述多个温度范围中的相应温度范围；与字线操作相关联的多个字线系数，每一个所述字线系数对应于所述多个温度范围中的相应温度范围；以及与字线操作相关联的多个字线截距，每一个所述字线截距对应于所述多个温度范围中的相应温度范围。8.一种非易失性存储器件，所述非易失性存储器件包括：单元区域，所述单元区域位于第一基板上并且包括存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元；以及外围电路区域，所述外围电路区域位于第二基板上，并且包括多个电路元件和温度单元，所述多个电路元件被配置为访问所述存储单元阵列，所述温度单元被配置为：感测所述存储单元阵列的实时温度，并从多个温度范围中确定所感测到的实时温度所属的温度范围，以及，基于映射到所确定的温度范围的补偿值来调整要施加到所述存储单元阵列的操作电压。9.根据权利要求8所述的非易失性存储器件，其中，所述多个电路元件包括：地址译码器，所述地址译码器被配置为从地址信号译码出行地址和列地址；第一电压生成器，所述第一电压生成器被配置为根据所译码出的行地址为所述存储单元阵列生成字线操作电压；第二电压生成器，所述第二电压生成器被配置为根据所译码出的列地址生成位线操作电压；以及页缓冲电路，所述页缓冲电路被配置为根据所述位线操作电压启用并存储要存储在至少一个存储单元中或从所述至少一个存储单元读取的数据。10.根据权利要求9所述的非易失性存储器件，其中，所述页缓冲电路包括：预充电电...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑凤吉，南尚完，白钟民，田旼奇，郑宇哲，崔允熙，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：