一种读取数据的方法和相关设备技术

本申请公开了一种读取数据的方法和相关设备，应用于SFGT存储阵列，SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器，获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值；获取参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值；控制灵敏放大器对第一电压变化值进行放大，获得第一放大电压变化值，以及对第二电压变化值进行放大，获得第二放大电压变化值；根据第一放大电压变化值以及第二放大电压变化值，读取目标真实半浮栅存储单元的目标存储值。在读取SFGT存储阵列中的存储单元内所存储的数据时，通过灵敏放大器对从存储单元读取出的信号进行放大。可以减少读取数据的过程的耗时，提高读取数据的效率。提高读取数据的效率。提高读取数据的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种读取数据的方法和相关设备


[0001]本申请涉及存储
，尤其涉及一种读取数据的方法和相关设备。

技术介绍

[0002]半浮栅晶体管(Semi
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Floating gate transistor,SFGT)是介于金属
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氧化物半导体场效应晶体管(Metal
‑
Oxide
‑
Semiconductor Field
‑
Effect Transistor，MOSFET)和浮栅晶体管(Floating Gate Transistor)之间的晶体管。SFGT可以用来存储数据，其主要在字线(word line)、位线(bit line)加不同的电压来工作。可以将SFGT集成为存储阵列，进而可以实现大量的数据存储。
[0003]现有技术中，在读取SFGT存储阵列中的存储单元内所存储的数据时，由于SFGT存储阵列的位线较长，导致从存储单元读取出的信号比较微弱，使得读取数据的过程耗时较长，读取数据的效率较低。

技术实现思路

>[0004]本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种读取数据的方法，其特征在于，应用于SFGT存储阵列，所述SFGT存储阵列包含真实半浮栅阵列、参考半浮栅阵列和灵敏放大器，所述方法包括：获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值，其中，所述第一目标字线为所述真实半浮栅阵列所包含的多条第一字线中的一条第一字线；获取所述参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值；控制灵敏放大器对所述第一电压变化值进行放大，获得第一放大电压变化值，以及对所述第二电压变化值进行放大，获得第二放大电压变化值；根据所述第一放大电压变化值以及所述第二放大电压变化值，读取所述目标真实半浮栅存储单元的目标存储值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值，包括：获取所述参考半浮栅阵列中的参考字线经过的参考半浮栅存储单元所对应的第二目标位线的第二电压变化值。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值的步骤之前，所述方法还包括：接收读取数据命令；根据所述读取数据命令，选择所述第一目标字线以及所述参考字线；所述获取第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值，包括：在经过预设时间间隔之后，获取所述第一目标字线经过的目标真实半浮栅存储单元所对应的第一目标位线的第一电压变化值。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取所述参考半浮栅阵列中第二目标位线的第二电压变化值，包括：从所述灵敏放大器内读取预先设置的所述第二电压变化值。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一放大电压变化值以及所述第二放大电压变化值，读取所述目标真实半浮栅存储单元的目标存储值，包括：在所述第一放大电压变化值大于所述第二放大电压...

【专利技术属性】
技术研发人员：拜福君，俞冰，赵善真，
申请(专利权)人：西安紫光国芯半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：