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本公开提供一种存储阵列、存储单元及其数据读写方法，通过在MRAM的存储阵列中的每个存储单元中设置两个存储节点，使得存储单元中一个存储节点失效时，还可以使用该存储单元另一个存储节点进行写入数据和读取数据，从而延长了存储单元的耐久力和保持力，进...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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