IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法技术

本发明专利技术属于IC载板以及类载板SLP加工技术领域，尤其为IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，利用覆铜膜BT板材裁切得到IC载板与类载板、并对其一面减铜，减铜后采用激光钻孔机钻孔，采用纳米石墨胶体让孔壁导电，选择性电镀铜加厚后腐蚀出线路，最后行后续处理并包装存放。本发明专利技术，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保，解决了通过化学药水反应生成薄铜层，易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，导致后续电镀薄铜层保护不均匀，腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水的问题。还会产生甲醛与化学铜废水的问题。

【技术实现步骤摘要】
IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法


[0001]本专利技术涉及IC载板以及类载板SLP加工加工
，具体为IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法。

技术介绍

[0002]IC载板与类载板现通过化学药水反应生成薄铜层，让孔壁导电，该方法易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，再做电镀薄铜层保护又易有不均匀，后续快速腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水。

技术实现思路

[0003]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保，解决了通过化学药水反应生成薄铜层，易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，导致后续电镀薄铜层保护不均匀，腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水的问题。
[0004]（二）技术方案本专利技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案：IC载板与类载板SLP用纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选取覆铜膜BT板材开料，裁切成IC载板与类载板所需的尺寸；S2、对裁切好的IC载板与类载板一面进行减铜，并利用激光钻孔机在IC载板与类载板减铜的一面钻孔；S3、采用纳米石墨胶体填充到IC载板与类载板上所钻的孔中，使得孔壁导通电；S4、在IC载板与类载板上用干膜做出选择性图形，并在随后通过选择性图形电镀铜加工减铜一面的选择区域；S5、剥去干膜，并在IC载板与类载板上腐蚀出线路；S6、对腐蚀出线路的IC载板与类载板进行后续处理并包装存放。2.根据权利要求1所述的IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，其特征在于：所述IC载板与类载板减铜的一面定义为薄面，没有减铜的一面定义为厚面，并在薄面附着一层棕化膜；采用激光钻孔机对IC载板与类载板减铜并附着棕化膜的薄面钻孔，使用连续双光圈激光单面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志强，胡伟进，
申请(专利权)人：欣强电子清远有限公司，
类型：发明
国别省市：