IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法技术

本发明专利技术属于IC载板以及类载板SLP加工技术领域，尤其为IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，利用覆铜膜BT板材裁切得到IC载板与类载板、并对其一面减铜，减铜后采用激光钻孔机钻孔，采用纳米石墨胶体让孔壁导电，选择性电镀铜加厚后腐蚀出线路，最后行后续处理并包装存放。本发明专利技术，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保，解决了通过化学药水反应生成薄铜层，易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，导致后续电镀薄铜层保护不均匀，腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水的问题。还会产生甲醛与化学铜废水的问题。

【技术实现步骤摘要】
IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法


[0001]本专利技术涉及IC载板以及类载板SLP加工加工
，具体为IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法。

技术介绍

[0002]IC载板与类载板现通过化学药水反应生成薄铜层，让孔壁导电，该方法易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，再做电镀薄铜层保护又易有不均匀，后续快速腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水。

技术实现思路

[0003]（一）解决的技术问题针对现有技术的不足，本专利技术提供了IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保，解决了通过化学药水反应生成薄铜层，易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，导致后续电镀薄铜层保护不均匀，腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水的问题。
[0004]（二）技术方案本专利技术为了实现上述目的具体采用以下技术方案：IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，包括如下步骤：S1、选取覆铜膜BT板材开料，裁切成IC载板与类载板所需的尺寸；S2、对裁切好的IC载板与类载板一面进行减铜，并利用激光钻孔机在IC载板与类载板减铜的一面钻孔；S3、采用纳米石墨胶体填充到IC载板与类载板上所钻的孔中，使得孔壁导通电；S4、在IC载板与类载板上用干膜做出选择性图形，并在随后通过选择性图形电镀铜加工减铜一面的选择区域；S5、剥去干膜，并在IC载板与类载板上腐蚀出线路；S6、对腐蚀出线路的IC载板与类载板进行后续处理并包装存放。
[0005]进一步地，所述IC载板与类载板减铜的一面定义为薄面，没有减铜的一面定义为厚面，并在薄面附着一层棕化膜；采用激光钻孔机对IC载板与类载板减铜并附着棕化膜的薄面钻孔，使用连续双光圈激光单面钻孔，一次钻出上大下小的漏斗形孔，中间孔距变近变窄；采用激光钻孔机进行单面钻孔时，激光能量参数采用同一能量，以保证能量稳定；激光能量参数连续采用不同光圈大小，先大后小，以保证漏斗形孔；激光能量参数不同光圈配套用不同脉宽（微秒），和不同发数，以保证钻出通孔导通。
[0006]进一步地，所述在IC载板与类载板上贴合干膜之后，通过光刻工艺使曝光部分的干膜改性，用溶剂将不需要保留部分的干膜剥离，形成所需图案，保留的干膜在一定温度下固化，干膜材料包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。
[0007]进一步地，所述后续处理包括AOI、防焊加工、成型、测试、FQC、FQA以及包装；在进行AOI检测之前对酸蚀的IC载板与类载板进行水洗和酸洗，并将及烘干。
[0008]（三）有益效果与现有技术相比，本专利技术提供了IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，具备以下有益效果：本专利技术，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保，解决了通过化学药水反应生成薄铜层，易反应生成铜粉小颗粒，与铜层氧化，导致后续电镀薄铜层保护不均匀，腐蚀时易有底铜残留，还会产生甲醛与化学铜废水的问题。
具体实施方式
[0009]下面对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
实施例
[0010]本专利技术一个实施例提出的：IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，包括如下步骤：S1、选取覆铜膜BT板材开料，裁切成IC载板与类载板所需的尺寸；S2、对裁切好的IC载板与类载板一面进行减铜，并利用激光钻孔机在IC载板与类载板减铜的一面钻孔；S3、采用纳米石墨胶体填充到IC载板与类载板上所钻的孔中，使得孔壁导通电，采用纳米石墨胶体让孔壁导通电的新方法，直接用石墨导电，制做IC载板与类载板，不产生甲醛与化学铜废水，及铜粉颗粒，避免镀铜不均匀而造成底铜残留的问题，有利于品质与环保；S4、在IC载板与类载板上用干膜做出选择性图形，并在随后通过选择性图形电镀铜加工减铜一面的选择区域，选择性图形为需要加工的线路图，以便于确保电镀制备出线路；S5、剥去干膜，并在IC载板与类载板上腐蚀出线路；S6、对腐蚀出线路的IC载板与类载板进行后续处理并包装存放。
[0011]其中，板材表面的覆铜膜过微蚀线减铜，同时在减铜之后过棕化线在板材减铜面附着棕化膜，减铜棕化的过线速度为4.5m/min，确保在激光钻孔时铜面不会反光，保障激光打孔的顺畅进行，完成激光钻孔；同时，在激光钻孔采用双光圈激光单面钻孔的方法，在IC载板与类载板上的同一
坐标钻孔，连续换用两种光圈钻出上大下小的漏斗形孔，让中下部孔径变小变窄，有利于后续在孔中纳米石墨胶体填充，让孔壁导通电；激光钻孔机的激光能量参数采用同一能量，以保证能量稳定；激光能量参数连续采用不同光圈大小，先大后小，以保证漏斗形孔；激光能量参数不同光圈配套用不同脉宽（微秒），和不同发数，以保证钻出通孔导通；激光钻孔的参数频率为140
‑
170Hz，脉冲宽度为3
‑
20μs，激光能为2
‑
26mJ，脉冲次数为1
‑
8。
[0012]其中，在IC载板与类载板上贴合干膜之后，通过光刻工艺使曝光部分的干膜改性，用溶剂将不需要保留部分的干膜剥离，形成所需图案，保留的干膜在一定温度下固化，干膜材料包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质；曝光能量65mj，显影速度4m/min，采用ADH
‑
308干膜，膜厚度30μm，采用热贴；通过底片对贴有干膜的所述待加工板件的线路区域进行曝光，通过底片使载板线路区域见光，非线路区域不见光；见光区域的干膜与光发生聚合反应后，后续显影药水无法去除，未见光区域干膜可被显影药水去除，底片为一种黑白相间的胶片，白色区域透光，黑色区域阻光，然后，对未进行曝光的非线路区域进行显影，去除非线路区域的干膜，并蚀刻掉非线路区域的铜面，然后在蚀刻掉非线路区域的铜面后将线路区域的干膜通过药水去除掉；然后，通过UV光对IC载板与类载板上线路区域的铜面进行烧蚀，剩下未烧蚀的部分为所需的线路，使用UV激光将多余铜面烧蚀掉，剩下区域为所需的外层线路，UV光能被铜吸收的特性，使用UV光具有以下功能：能确保能烧蚀铜面，可以测量图形识别点距离，然后自动与理论值做对比计算涨缩，并将加工程序进行相应涨缩更改，激光头具有捕捉图像功能，在UV光烧蚀铜面的过程中，对烧蚀面与非烧蚀面图像进行实时比对，当系统判定烧蚀区域铜面被烧蚀干净漏出基材面时，设备自动跳过或停止加工；然后，对烧蚀后的铜面进行快速微蚀，其主要目的主要在于去掉激光烧蚀后残留的零星铜点。
[0013]其中，IC载板与类载板后续处理包括AOI、防焊加工、成型、测试、FQC、F本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、选取覆铜膜BT板材开料，裁切成IC载板与类载板所需的尺寸；S2、对裁切好的IC载板与类载板一面进行减铜，并利用激光钻孔机在IC载板与类载板减铜的一面钻孔；S3、采用纳米石墨胶体填充到IC载板与类载板上所钻的孔中，使得孔壁导通电；S4、在IC载板与类载板上用干膜做出选择性图形，并在随后通过选择性图形电镀铜加工减铜一面的选择区域；S5、剥去干膜，并在IC载板与类载板上腐蚀出线路；S6、对腐蚀出线路的IC载板与类载板进行后续处理并包装存放。2.根据权利要求1所述的IC载板与类载板SLP用纳米石墨导通孔壁的新方法，其特征在于：所述IC载板与类载板减铜的一面定义为薄面，没有减铜的一面定义为厚面，并在薄面附着一层棕化膜；采用激光钻孔机对IC载板与类载板减铜并附着棕化膜的薄面钻孔，使用连续双光圈激光单面...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐志强，胡伟进，
申请(专利权)人：欣强电子清远有限公司，
类型：发明
国别省市：